화방전자가 가오슝 루주 공장의 증산을 조기에 시작하며, 모듈 B는 2027년에 착공할 예정이다

산업일보에 따르면, AI에 의해 메모리 및 고급 패키징 수요가 장기적으로 성장함에 따라, 화방전자는 고雄 루주 공장의 증산 계획을 조기에 시작하였으며, 원래 예정된 2기 및 3기를 통합하여 모듈 B를 동시 개발할 계획이다. 2027년에는 클린룸 건설을 시작할 예정이며, 가장 빠르면 2029년 초에 장비 설치를 시작하고, 고객의 수요 예측 및 LTA에 따라 단계적으로 장비를 도입할 예정이다. 현재 이미 고객들이 2029년 및 2030년 생산 능력에 대해 조기 협상 중이다.

법인은 화방전자의 3분기 니치형 DRAM과 SLC NAND가 공급 부족 상태이며, 가격은 분기 대비 약 50% 상승할 것으로 예상하고 있다. NOR Flash는 클라우드 서비스 공급업체의 대고객 재고 증가로 인해 가격이 분기 대비 약 30% 상승할 것으로 보인다. 4분기 메모리 가격 상승폭은 2%에서 5%로 수렴할 것으로 예상되지만, DRAM 생산 능력 증가 및 출하량 성장으로 인해 매출 및 수익은 여전히 분기 증가를 유지할 수 있을 것이다. 화방전자의 2분기 연결 매출은 598.43억 대만 달러로, 분기 대비 56.4%, 연간 184.7% 증가하였으며, DRAM 가격은 분기 대비 약 100%, Flash는 약 43% 상승하였고, 연결 총 이익률은 66.2%로 상승하였으며, 주당 세후 순이익은 5.40 대만 달러이다.

모듈 B 제품 계획은 표준 DRAM, CUBE DRAM, 웨이퍼-온-웨이퍼(WoW) 및 실리콘 커패시터(Si-Cap)를 포함하며, 14nm 및 향후 12nm DRAM 공정을 지원할 예정이다. 이후 EUV 장비 도입도 계획하고 있다.