타이완 반도체 제조 회사는 HBM에 대해 미세 돌출 블록 패키지를 임시로 사용하며 5μm 솔루션 개발을 요구합니다

자료 산업 소식통에 따르면 9월 2일, TSMC는 고대역폭 메모리 HBM과 AI 가속기의 고급 패키징을 연결하기 위해 단기적으로 전통적인 마이크로 범프 기술을 계속 사용할 것으로 예상하고 있습니다. 관련 소재 개발 주기를 고려할 때, 더 세밀한 간격의 마이크로 범프는 HBM4 후반 및 HBM5 초반까지 계속 사용될 것으로 보입니다. TSMC는 소재 및 장비 파트너에게 약 5 마이크로미터 수준의 범프 결합 및 바닥 채움 솔루션을 개발하도록 요청했으며, 한국과 일본 공급업체는 개발을 시작했으며, 5μm 수준의 범프 양산은 2028년 하반기부터 시작될 것으로 예상됩니다.

현재 제3세대 확장 HBM인 HBM3E의 범프 높이는 약 15--25μm이며, HBM4는 약 10μm에 가깝습니다. 일본 소재 공급업체는 이전에 15μm 이하 품질을 보장하기 어렵다고 밝혔습니다. 범프를 줄이고 세분화하는 이유는 HBM 큐브 높이 제한 및 더 높은 상호 연결 밀도 요구 때문입니다. JEDEC는 HBM 스택의 최대 높이를 775μm로 규정하고 있습니다. TSMC의 고급 CoWoS 패키징에서 GPU와 메모리 공급업체가 조립한 HBM 스택은 마이크로 범프를 통해 실리콘 중간층에 장착되며, 16층 DRAM 칩 스택은 SK hynix와 삼성전자 등이 HBM 패키징 내에서 완료합니다.

1세대 및 2세대 HBM은 더 큰 솔더 범프를 사용했으며, 마이크로 범프는 HBM3 세대에서 주류가 되었습니다. SK hynix는 MR-MUF 공정을 사용하고, 삼성전자는 TC-NCF를 사용합니다. 혼합 결합은 직접 결합된 구리 패드를 통해 더 얇고 밀접한 상호 연결을 실현할 수 있으며, TSMC는 SoIC 플랫폼에서 논리 칩 스택에 사용하고 있지만 HBM은 여전히 마이크로 범프를 통해 중간층에 연결됩니다.