Хуабан Дянь заранее запускает расширение завода в Луджу, Гаосюн, модуль B планируется начать строительство в 2027 году

Сообщение ChainCatcher, согласно отчету газеты Gongshang Shibao, в условиях долгосрочного роста спроса на память и передовую упаковку, компания Huabang Dian заранее начала план расширения завода в Гаосюне, объединив первоначально запланированные второй и третий этапы в Module B для одновременной разработки. Ожидается, что в 2027 году начнется строительство чистой комнаты, а установка оборудования начнется как минимум в начале 2029 года, в зависимости от прогнозов потребностей клиентов и поэтапного внедрения оборудования согласно LTA. В настоящее время уже есть клиенты, которые заранее обсуждают мощности на 2029 и 2030 годы.

Юридические лица указывают, что в третьем квартале спрос на нишевые DRAM и SLC NAND превышает предложение, ожидается, что цены вырастут примерно на 50% за квартал; NOR Flash выигрывает от запасов крупных клиентов облачных сервисов, ожидается, что цены вырастут примерно на 30% за квартал. В четвертом квартале ожидается, что рост цен на память сократится до 2% - 5%, но благодаря увеличению мощностей DRAM и росту объемов отгрузки, выручка и прибыль все еще могут поддерживать квартальный рост. Консолидированная выручка Huabang Dian во втором квартале составила 598,43 миллиарда юаней, увеличившись на 56,4% по сравнению с предыдущим кварталом и на 184,7% по сравнению с прошлым годом, цены на DRAM выросли примерно на 100% за квартал, а Flash - примерно на 43%, консолидированная валовая маржа увеличилась до 66,2%, чистая прибыль на акцию после налогообложения составила 5,40 юаня.

Планирование продукта Module B охватывает Standard DRAM, CUBE DRAM, Wafer-on-Wafer (WoW) и кремниевые конденсаторы (Si-Cap), которые будут поддерживать технологические процессы DRAM на 14 нанометрах и будущие 12 нанометрах, также планируется внедрение оборудования EUV.