Chengxin Storage в конце года увеличит месячную производственную мощность DRAM до 350 000 чипов, близко к Micron

Согласно отчету TechPowerUp, китайский производитель DRAM Changxin Storage (CXMT) ожидает, что к концу 2026 года месячная производственная мощность кремниевых пластин DRAM составит около 350 000 штук, в то время как Micron прогнозирует около 375 000 штук за тот же период. Строительство чистых помещений Changxin Storage занимает около 12 месяцев, что меньше, чем обычно в отрасли, где это занимает от 21 до 24 месяцев.

Из-за санкций США, которые не позволяют получить EUV, Changxin Storage использует более старую технологию DUV фотолитографии и многократного паттернизирования. Компания уже начала поставки чипов 16 Gb DDR5 со скоростью 8000 MT/s, площадь чипа составляет 67 mm², плотность — 0.239 Gb/mm², ячейка G4 на 20% меньше, чем G3. Модули 24 Gb производятся серийно со скоростью около 6000 MT/s, модули LPDDR5X-10667 (12 Gb и 16 Gb) также уже запущены в серийное производство. Правительство Китая поощряет Changxin Storage к передаче IP DRAM таким отечественным производителям, как JHICC, Swaysure и дочерняя компания Yangtze Memory Technologies (XMC).