三星とSKハイニックスが中国のNAND基地を強化し、年内に設備投資を進める

ZDNet Korea の報道によると、サムスン電子と SK ハイニックスは、来年まで中国の NAND フラッシュメモリ量産ラインへの設備投資を継続し、現地生産拠点を強化する計画です。サムスンは今年上半期から西安 X2 生産ラインで V9 NAND への転換投資を進めており、この製品は約 280 層の積層を持つ先進的なプロセスで、月産能力は 4 万から 5 万枚になると予想されています。量産を安定させるために、同社は追加投資計画を確定しており、核心はエッチングプロセス設備の追加です。関連する調達注文は年末前後に明確になる見込みで、追加投資は来年下半期から実施される予定です。

SK ハイニックスは、今年第3四半期から大連 2 工場の NAND 製品アップグレードに関連する設備投資を進めており、議論中の規模は月産能力 3 万枚に相当します。重要な製造設備は来月から順次導入され、来年上半期中に配備を完了する計画です。大連工場は、2020 年下半期にインテルの NAND 事業部を買収した後に引き継いだ資産で、2022 年には増産のために 2 工場の起工式を行いましたが、市況などの要因で設備投入が一時中断されていました。現在、投資が再開されます。

業界関係者は、上記の計画は中国国内の先進的な NAND 生産能力を段階的に拡大し、人工知能サーバーなどの分野における高性能ストレージの需要の急速な増加に対応することを目的としていると指摘しています。