華邦電

工商时报の報道によると、AIがストレージおよび先進パッケージの需要を長期的に成長させる中、華邦電は高雄路竹工場の増産計画を前倒しで開始し、当初予定されていた第2期と第3期を統合してModule Bを同時に開発することになりました。2027年にクリーンルームの建設を開始し、早ければ2029年初頭に設備の導入を開始する予定で、顧客の需要予測およびLTAに基づいて段階的に設備を導入します。現在、すでに顧客が2029年、2030年の生産能力について早期に交渉を行っています。法人は、華邦電の第3四半期のニッチ型DRAMおよびSLC NANDが供給不足であり、価格は四半期で約50%の上昇が見込まれると指摘しています。NOR Flashはクラウドサービスの大手顧客の在庫確保の恩恵を受け、価格は四半期で約30%の上昇が見込まれています。第4四半期のストレージ価格の上昇幅は2%から5%に収束すると予想されていますが、DRAMの生産能力の増加と出荷量の成長により、収益と利益は依然として四半期ごとの増加を維持できる見込みです。華邦電の第2四半期の合併収益は598.43億元で、四半期で56.4%、前年同期比で184.7%の増加となり、DRAMの価格は四半期で約100%、Flashは約43%の上昇を記録し、合併粗利率は66.2%に上昇し、1株当たりの税引後純利益は5.40元となりました。Module Bの製品計画には、Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）、およびシリコンキャパシタ（Si-Cap）が含まれ、14ナノメートルおよび将来の12ナノメートルDRAMプロセスをサポートします。今後、EUV設備の導入も計画されています。