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테슬라 CEO 일론 머스크는 10월 13일 소셜 플랫폼 X에서 다음과 같이 말했습니다: "중국이 특정 제품의 제조 방법을 마스터하면, 그 생산 규모를 확장할 수 있는 능력이 종종 세계 다른 지역의 합을 초과합니다." 그는 리튬 배터리와 태양광을 예로 들며, 중국이 이러한 분야에서 이 특징을 보여주었다고 언급했습니다. 이 발언은 메모리 제조업체인 장신 저장소에 대한 논의에 대한 응답으로 이루어졌습니다.게시자 멜빈은 장신이 무시할 수 없는 경쟁자라고 생각하지만, 새로운 기술이 안정적으로 대규모 양산을 실현할 수 있을지는 여전히 수율, 비용 및 신뢰성에 달려 있다고 말했습니다. 그는 또한 메모리 수요가 여전히 증가하고 있으며, 생산 능력의 증가는 시장이 즉시 공급 과잉 상태에 이른다는 것을 의미하지 않는다고 덧붙였습니다. 메모리에 대해 머스크는 약 3년 전 메모리가 여전히 낮은 수익률의 대량 상품에 속했으며, LPDDR5와 LPDDR6는 공동 표준으로 설계되었고, 중국은 관련 기술 문제를 빠르게 해결하고 있는 것 같다고 말했습니다.머스크는 또한 새로운 세대의 고대역폭 메모리 아키텍처가 더 어렵다고 지적했습니다. 또 다른 문제는 논리 칩 아래에 SRAM 층을 배치하고, 그 위에 RAM을 3D 스택으로 쌓으면서 논리 칩의 열 문제를 해결하는 것입니다. 펑황왕 과학기술은 공개된 정보를 인용하여 9월 7일 장신 저장소가 LPDDR6의 양산을 발표했으며, 처음으로 샤오미 18 폴드에 상용화되었고, 용량은 16GB로 JEDEC의 LPDDR6 표준을 충족한다고 전했습니다. 이후 장신은 5세대 DRAM 공정 플랫폼의 양산을 발표하고, 해당 플랫폼을 기반으로 한 두 가지 LPDDR5X 제품을 스마트폰 및 휴대용 소비 전자 기기를 위해 출시했으며, 단일 칩 용량은 이전 세대 동급 제품보다 50% 향상되었습니다.

전 세계 메모리가 지속적으로 심각한 품귀 현상을 겪고 있으며, AI 및 클라우드 애플리케이션이 DRAM과 NAND 플래시의 수요와 가격을 끌어올리고 있습니다. 중국의 두 대형 메모리 제조업체인 장강 저장소와 장신 저장소가 각각 반을 차지하는 구도를 깨뜨릴 것입니다.장강 저장소는 LPDDR5 DRAM에 진입하여 2026년 말에 시험 생산을 시작할 예정이며, 장신 저장소는 DRAM에서 NAND 플래시로 진출할 계획입니다. 업계에서는 두 회사가 가장 빠르면 2028년에 정면으로 맞붙을 것으로 추측하고 있습니다. 장강 저장소는 Xtacking 기술을 통해 294층 3D NAND 개발을 완료하였으며, 삼성은 2025년에 이와 관련된 특허 라이센스 계약을 체결하고 10세대 V-NAND부터 해당 특허를 사용할 예정입니다.장강 저장소의 3기 계획은 2026년 말에 생산을 시작하며, 초기 약 2.5만 장의 DRAM 생산 능력을 갖출 것이고, 2027년에는 생산량을 증가시켜 LPDDR5를 목표로 하며, 후속 증산 및 HBM, 3D DRAM을 계획하고 있습니다. 장신 저장소는 베이징에 NAND 연구개발 생산 라인을 설정할 것이라는 소식이 전해졌으며, 가장 빠르면 2028년에서 2029년 사이에 양산할 것으로 예상됩니다.

블루웨일 뉴스에 따르면, 장신기술로부터 전해진 바에 따르면, 바이트와 중흥이 공동 개발한 차세대 두부폰------누비아 NaviX Ultra가 장신의 최고 속도 10667Mbps LPDDR5X 메모리를 탑재할 예정이다. 공식 발표에 따르면, 이는 국산 10667Mbps 고속 LPDDR5X 메모리 칩이 처음으로 양산 및 실제 적용을 실현한 것이다.이전 소식에 따르면, 누비아 "두부폰"이 네트워크 등록을 완료했으며, 9월에 양산 및 출시될 예정이다.

샤오미가 공식적으로 현링 O3 칩을 발표했습니다. 신세대 현링 O3는 전 세계 최초로 LPDDR6 메모리 칩을 지원하는 플래그십 모바일 프로세서(SoC)입니다. 재경망 기자는 공급망에서 국내 저장소 선두주자인 장신 저장(CXMT)이 샤오미 현링 O3의 LPDDR6 메모리 핵심 파트너라고 전했습니다.올해 3월에는 장신 LPDDR6이 주요 고객에게 샘플을 전달했다는 소식이 있었고, 8월 초에는 여러 매체가 검증이 거의 끝났다고 보도했습니다. 이번 현링 O3의 출시는 국산 LPDDR6 칩 제품이 플래그십 프로세서에서 처음으로 적용된 것이며, 국산 저전력 메모리가 공식적으로 세계 1위 대열에 진입했음을 의미합니다.

SK 하이닉스는 올해 하반기에 공식적으로 16Gb LPDDR6 저전력 모바일 DRAM을 양산할 것이라고 발표했으며, 첫 번째 제품은 샤오미의 차세대 플래그십 스마트폰에 탑재될 예정이다. 이 제품은 3월에 개발을 완료하였고, 10nm급 6세대(1c) 공정을 사용하여 이전 세대에 비해 데이터 처리 속도와 에너지 효율성이 모두 향상되었다. SK 하이닉스는 2013년부터 샤오미에 LPDDR 제품을 공급해 왔으며, 양측은 오랜 협력 관계를 유지하고 있다.LPDDR은 주로 스마트폰과 태블릿 PC와 같은 모바일 장치에 사용되며, 저전력과 고성능 특성을 겸비하고 있다. 최근 AI 서버 수요 증가로 인해 LPDDR 가격이 지속적으로 상승하고 있으며, 계약 가격이 계속해서 오르고 있다. 1분기 전 세계 모바일 DRAM 수익은 전분기 대비 64.5% 증가하였다. SK 하이닉스와 삼성전자는 LPDDR6 양산 준비에서 마이크론보다 앞서 있다. 또한, LPDDR6의 양산은 SO-CAMM (저전력 메모리 모듈) 시장의 경쟁을 가속화할 것으로 기대되며, 이 제품은 AI 서버 CPU의 보조 솔루션으로 간주된다. 엔비디아 CEO 황仁勋은 6월 타이베이 국제 컴퓨터 전시회에서 SK 하이닉스 부스를 방문하여 192GB SO-CAMM에 **"LOVE SOCAMM"**이라는 글귀를 남겼다.