Micron планирует к концу года увеличить мощность производства HBM до примерно 100 тысяч чипов в месяц

Согласно электронным новостям от 3 сентября, Micron планирует удвоить производственные мощности по высокоскоростной памяти HBM по сравнению с прошлым годом, добавив до 60 000 вафель в месяц до конца этого года. По словам информированных источников, в прошлом году объем производства HBM от Micron составлял около 40 000–50 000 вафель в месяц, и к концу года он может достичь примерно 100 000 вафель в месяц, чтобы сократить разрыв с Samsung Electronics и SK Hynix.

Micron увеличивает заказы на закупку у нескольких поставщиков оборудования HBM, производственные мощности расположены в основном на заводах по производству полупроводников в Тайване и Сингапуре, продолжается внедрение оборудования. В настоящее время объем производства в основном сосредоточен на HBM3E 12-слойной памяти, в начале этого года доля HBM4 12-слойной памяти составляла около 20% до 30%, к концу года она может вырасти до 50%. HBM4 12-слойная память будет использоваться в последнем AI-ускорителе от NVIDIA Vera Rubin, Micron начал массовое производство этого продукта с второго квартала этого года.

Генеральный директор Micron Мехротра на пресс-конференции по результатам третьего квартала 2026 финансового года в июне этого года заявил, что скорость наращивания объемов производства HBM4 12-слойной памяти составляет примерно в два раза больше, чем у HBM3E 12-слойной памяти, а общий объем поставок HBM4 уже превысил 1 миллиард долларов. В отрасли считают, что производственные мощности HBM у Samsung и SK Hynix составляют около 150 000–200 000 вафель в месяц. Данные Counterpoint показывают, что во втором квартале этого года мировая доля рынка HBM составила 50% у SK Hynix, 32% у Samsung и 18% у Micron. Micron также готовит соответствующие инвестиции в Хиросиме, Япония.