hbm

Согласно сообщениям корейских СМИ, Samsung Electronics подписала долгосрочное соглашение о поставках памяти на следующий год, охватывающее примерно 75% до 80%, включая высокоскоростную память. Сообщается, что Samsung Electronics завершила большую часть контрактов с основными технологическими компаниями, такими как NVIDIA, Google и Microsoft.SK Hynix и Micron также ускоряют закрепление объемов поставок и подписывают ряд крупных долгосрочных контрактов с основными клиентами. Сообщается, что Samsung Electro-Mechanics близка к подписанию долгосрочного соглашения с тайваньской компанией Delta Electronics на сумму 700 миллиардов вон для поставки многослойных керамических конденсаторов.

Согласно сообщению агентства Рейтер, опубликованному Nikkei Asia, профсоюз, представляющий сотрудников завода Micron Technology в Тайване, заявил, что в среду получил разрешение на забастовку от членов, основным предметом спора является программа бонусов компании. Профсоюз сообщил, что 1,994 члена проголосовали за забастовку, что составляет 99% от числа голосовавших, детали времени забастовки и другие аспекты все еще обсуждаются. У Micron в Тайване около 15,000 сотрудников, в Тайюане и Тайчжуне действуют независимые профсоюзы, которые в совокупности представляют более 80% сотрудников Micron в Тайване, Micron Тайвань является крупнейшей производственной базой компании.Тайвань является ключевым местом производства DRAM и высокоскоростной памяти Micron, соответствующие чипы являются важными компонентами серверов ИИ. Переговоры с профсоюзом Тайюаня в сентябре не привели к соглашению, профсоюз Тайчжуна все еще ведет переговоры. В сентябре Micron объявила о выплате бонусов более чем 60,000 сотрудникам по всему миру за финансовый год 2026, заявив, что компания пережила "необычный год", при этом сотрудники Тайваня получили 1 миллион новых тайваньских долларов наличными, что составляет около 31,400 долларов США. Профсоюз Тайюаня заявил, что данная программа не ответила на требования о создании постоянного механизма распределения прибыли и раскритиковал Micron за то, что она объявила о бонусах, не достигнув предварительного соглашения с профсоюзом в ходе медиации.

Председатель правления и генеральный директор AMD Лиза Су прибыла в офис Samsung Electronics в Ричо, Сеул, 7 октября около 16:44, чтобы встретиться с вице-председателем Чон Ён Хеном, который возглавляет подразделение решений для оборудования, спустя примерно 7 месяцев после последнего визита в Южную Корею. С ней были руководитель группы вычислений и графики AMD Джек Хуин и вице-президент Джозеф Маки. Лиза Су отметила, что стороны обсудят более широкое партнерство и заявила, что у Samsung много партнеров; на вопрос о встрече с Ли Чжэ Ёном она ответила, что не может этого раскрыть.Перед визитом в Samsung Лиза Су присутствовала на Дне игроков AMD в Сеуле, назвав Samsung и SK Hynix основными партнерами по цепочке поставок, и отметила, что из-за растущего спроса на искусственный интеллект планируется долгосрочная цепочка поставок. Она сообщила, что новое поколение MI455 и системы Helios уже начали отгрузку и обе используют HBM4, получив поддержку от двух компаний, и сотрудничество по HBM не ограничится одним поколением. Сообщается, что Instinct MI455X оснащен 432 ГБ HBM4, что на 50% больше, чем у предыдущего поколения MI355X с 288 ГБ HBM3E. Она отметила, что поставки памяти очень ограничены, и ведет переговоры с клиентами по оптимизации использования и просит партнеров увеличить производство. TrendForce 29 числа прошлого месяца прогнозировал, что HBM и обычная DRAM используют ограниченные мощности передовых технологий, и нехватка поставок может продолжаться до следующего года.Сообщается, что стороны подписали меморандум о взаимопонимании в марте этого года, сосредоточенный на поставках HBM4 и следующего поколения DDR5, назначив Samsung основным поставщиком HBM4 для MI455X и обсудив возможность производства следующих продуктов AMD на заводах Samsung. Чон Ён Хен тогда заявил, что Samsung может одновременно предоставить память, услуги по производству и упаковке.

Согласно отчету Корейской экономической газеты, следующая генерация высокоскоростной памяти Samsung Electronics "12-слойная HBM4E" прошла проверку качества от NVIDIA и основных операторов гипермасштабных дата-центров.

Согласно сообщению финансового агентства, ссылаясь на местные СМИ, 29 сентября, вице-президент Samsung Electronics Ким Тэ У: ожидается, что в следующем году HBM займет почти 30% от общего объема производства полупроводниковых пластин производителей DRAM, в настоящее время этот показатель составляет около 20%. Он отметил, что HBM и традиционный DRAM конкурируют за одну и ту же партию производственных мощностей, увеличение производства HBM может сократить предложение традиционного DRAM.TrendForce ранее прогнозировал, что к концу 2027 года три крупнейших поставщика HBM будут вкладывать около 30% в общий объем пластин DRAM, но по объему памяти это сможет составить лишь около 13% от общего предложения DRAM. Кроме того, согласно сообщениям СМИ от 20 сентября, Samsung начала массовое производство HBM4 в феврале этого года и в мае предоставила образцы 12-слойного HBM4E клиентам, включая NVIDIA; в отрасли ожидают, что ежемесячный объем поставок пластин HBM от Samsung вырастет с примерно 180 000 в этом году до около 250 000 в следующем.TrendForce в тот же день заявила, что спрос на серверы AI продолжает расти, HBM и универсальный DRAM по-прежнему будут делить ограниченные производственные мощности передовых технологий, а в 2027 году предложение памяти останется напряженным, и прогноз цен на HBM на 2027 год был повышен, ожидается, что средняя цена вырастет на 121% по сравнению с прошлым годом. Из-за ограниченного предложения и роста системных затрат 8-слойный HBM, как ожидается, станет приоритетным вариантом для многих производителей в 2027 году, его цена за Гб будет на 10% до 20% выше, чем у 12-слойных продуктов.

Генеральный директор NVIDIA Хуан Жэньсюн снова встретится с председателем Samsung Electronics Ли Чжэён и председателем SK Group Чхве Тэён 28 сентября по местному времени в Нью-Йорке, спустя примерно два месяца после их встречи в Сан-Франциско в июле. По информации бизнес-источников от 27 числа, Ли Чжэён и Чхве Тэён планируют присутствовать на ежегодном ужине Корейской ассоциации, который состоится в Нью-Йорке в 6 часов вечера, а Хуан Жэньсюн будет присутствовать в качестве лауреата премии Ван Флита этого года. Samsung Electronics продвигает сотрудничество с NVIDIA.Темы, вызывающие интерес в отрасли, включают высокоскоростную память. Сообщается, что вице-президент подразделения решений для устройств Samsung Electronics Чон Ёнхён встречался с Хуаном Жэньсюном во время его визита в Корею в июне, где стороны обсуждали долгосрочное сотрудничество по следующему поколению высокоскоростной памяти, такой как HBM4E и HBM5. Встреча в Нью-Йорке также может касаться услуг по производству полупроводников и передовой упаковки, а в июньских переговорах также обсуждалось сотрудничество в области следующего поколения производства полупроводников.

Согласно отчету ZDNet Korea от 28 сентября, Samsung Electronics ускоряет строительство первой линии массового производства (Ph1) в пятом парке Пхенчжина (P5) и обсуждает с основными производителями оборудования перенос сроков установки оборудования Ph1 с запланированного на третий квартал следующего года на второй квартал следующего года. P5 является следующей базой по производству полупроводников с целью запуска в 2028 году, строительство чистой комнаты Ph1 началось в третьем квартале этого года.Ранее Samsung Electronics перенесла завершение строительства чистой комнаты P5 Ph1, запланированное на начало следующего года, примерно на 6 месяцев, поэтому ввод оборудования ожидается примерно в третьем квартале следующего года. Эксперты отрасли сообщают, что начало переноса оборудования планируется с июля-августа следующего года на май-июнь следующего года; другие источники утверждают, что Samsung даже предложила сначала доставить оборудование в первом квартале следующего года и временно хранить его в других местах, что демонстрирует сильную готовность к предварительным инвестициям.Обсуждение инвестиций во втором этапе P5 (Ph2) также продолжается. В настоящее время Ph1, скорее всего, будет построен как линия производства DRAM и HBM, тогда как Ph2, вероятно, будет включать в себя передовые линии NAND, включая десятую (V10). Представители оборудования сообщают, что официальные заказы на закупку еще не размещены, но Samsung уже обсуждала с партнерами возможность создания линии NAND в Ph2 и, учитывая длительный цикл поставки оборудования, требует заранее подготовить соответствующие компоненты. Сообщается, что крупные мировые технологические компании увеличивают заказы на высокопроизводительные DRAM и NAND для инфраструктуры ИИ, в то время как у таких компаний, как Samsung, ограниченные производственные мощности. В июле на телефонной конференции по результатам второго квартала Samsung заявила, что неудовлетворенный спрос этого года будет перенесен на следующий год, нехватка поставок в следующем году будет более серьезной, чем в этом году, и ожидается, что нехватка продлится до 2028 года.

Согласно отчету ZDNet Korea, Samsung Electronics корректирует стратегию следующего поколения DRAM, включая ранее разрабатываемый в рамках проекта B1b в официальную дорожную карту и называя его первым DRAM D0a с размером менее 10 нанометров. Ранее D0a относился к вертикальным транзисторным DRAM, теперь этот продукт отдельно классифицируется как D0a-V. Переименование направлено на ускорение внедрения передовой упаковки в универсальный DRAM.B1b будет производить ячейки памяти и окружающие драйверные цепи на разных пластинах, а затем соединять их, используя смешанное соединение пластин, с прямым соединением через медные межсоединения. В настоящее время коммерчески доступный DRAM — это 1c, то есть 6-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 11 до 12 нанометров; следующее поколение 1d — это 7-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 10 до 11 нанометров, которое рассматривается как фактически последний продукт 10-нанометрового уровня, соответствующая ширина линии является маркетинговым термином, а не фактическим физическим размером. Вертикальные транзисторы могут располагать транзисторы внутри ячейки вертикально, уменьшая площадь ячейки с 6F² до 4F², но необходимо справляться с высокой соотношением глубины и ширины травления и утечкой тока, что делает разработку более сложной. Смешанное соединение пластин уже применяется в массовом производстве CMOS-датчиков изображения и высокостековых NAND.Samsung Electronics оценивает возможность использования B1b для 8-го поколения высокоскоростной памяти HBM5. Ожидается, что HBM5 будет запущен в массовое производство примерно в 2029 году, с целью увеличения скорости работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. В отрасли предполагают, что DRAM D0a на основе B1b будет доступен для коммерческого использования не ранее чем через два года, конкретный график инвестиций в массовое производство может быть определен в середине следующего года.

В 166-м эпизоде подкаста BidClub дизайнер чипов Bubble boi заявил, что высокоскоростная флеш-память технически привлекательна, но ей не хватает решающих примеров использования в центрах обработки данных. Он сообщил, что основными клиентами, о которых он слышал, являются китайские компании, которым трудно получить или произвести высококачественную HBM.Bubble boi отметил, что задержка HBF и высококачественной AI флеш-памяти составляет около 5 микросекунд, пропускная способность ниже, чем у HBM, стоимость за бит ниже, но общая стоимость может быть сопоставимой. Он считает, что наиболее очевидными клиентами являются те, кто не может получить HBM, что соответствует информации о спросе из Китая, которую он слышал от двух-трех человек, поскольку они не могут полностью производить ускорители или готовы принять продукты, не соответствующие передовым спецификациям.

Согласно отчету Money Today от 21 сентября, Samsung Electronics продвигает расширение мощностей по производству передовых технологий полупроводниковых пластин в связи с ростом рынка HBM, оценивая увеличение производства по 4-нм технологии для удовлетворения растущего спроса на чипы базового уровня HBM4. HBM4 от Samsung состоит из 10-нм 6-го поколения (1c) DRAM основных чипов и 4-нм логических базовых чипов, которые отвечают за высокоскоростной обмен данными с GPU и другими AI-ускорителями.В отличие от SK Hynix, использующего 12-нм технологию TSMC, Samsung применяет собственную 4-нм технологию для базовых чипов HBM4. Эта производственная линия работает на полную мощность и принимает заказы, такие как Groq 3 LPU от NVIDIA, компания недавно повысила цены на новые заказы по 4-нм и базовые чипы HBM4. Samsung ожидает, что доходы от HBM4 в третьем квартале вырастут более чем в 3 раза по сравнению с предыдущим кварталом, а доля HBM4 в доходах от HBM во второй половине года значительно превысит 60%. Дополнительное расширение P4 в Пхенчхане в основном будет использовано для 1c DRAM для HBM, более половины мощностей по 4-нм технологии полупроводниковых пластин уже распределено на базовые чипы HBM4.HBM4E также использует 4-нм базовые чипы, Samsung предоставила образцы клиентам в мае. Компания также оценивает возможность строительства новой производственной линии по 2-нм технологии для HBM5, цель состоит в том, чтобы использовать структуру GAA и увеличить плотность TSV, что позволит увеличить скорость работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. Citi ожидает, что в следующем году глобальный спрос на биты HBM достигнет 75,2 миллиарда Gb, что на 62% больше по сравнению с прошлым годом, при этом предложение составит около 59,4 миллиарда Gb, а дефицит составит около 21%.

Согласно отчету Seoul Economic Daily, Samsung Electronics планирует в следующем году увеличить объем производства шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4 и седьмого поколения HBM4E, а также других продуктов серии HBM4 как минимум вдвое по сравнению с текущим годом. Компания намерена увеличить объем очистки стеклянных подложек, необходимых для тонкой обработки HBM на DRAM, с 20 000 штук в месяц в этом году до 50 000 штук в месяц в следующем году, что составляет увеличение в 2,5 раза. В прошлом году месячный спрос на эти подложки составлял около 10 000 штук, в этом году он удвоился по сравнению с прошлым годом.Основное внимание Samsung Electronics уделяет увеличению производства HBM4 и HBM4E, которые в основном состоят из высоких многослойных продуктов с 12 слоями и более. Компания начала массовое производство HBM4 с использованием шестого поколения DRAM на уровне 10 нм (1c) и чипов на основе 4 нм в феврале этого года, а в мае предоставила образцы HBM4E с 12 слоями клиентам, таким как NVIDIA. Ожидается, что с учетом среднемесячного ввода вафель, производственные мощности HBM Samsung Electronics увеличатся с примерно 180 000 штук в этом году до примерно 250 000 штук в следующем году, что составляет рост почти на 40%; доля отгрузок серии HBM4 может вырасти с примерно 40% в этом году до примерно 80% в следующем году.

Микрон Технологии опубликует результаты за четвертый квартал финансового года 30 сентября. Финансовый директор NVIDIA Колетт Кресс на телефонной конференции по результатам второго квартала финансового года 26 августа заявила, что компания наблюдает "экстремальные условия ценообразования на память", и рост цен превысил предыдущие ожидания, а "в следующем году он будет расти еще больше". Ценовое давление уже отразилось на марже прибыли NVIDIA, Кресс указала, что валовая маржа в четвертом квартале достигнет дна в диапазоне 71%-72%, а затем в финансовом году 2028 года восстановится до 72%-73%.Кресс отметила, что текущий дефицит памяти в значительной степени вызван самим строительством ИИ. SK Hynix ожидает, что рынок памяти достигнет баланса между спросом и предложением не раньше 2030 года и уже вложила около 38,3 миллиарда долларов в расширение двух своих заводов в Корее до 2031 года. SK Hynix занимает около 50% рынка высокоскоростной памяти, опережая Samsung с 33% и Micron с 18%.

Согласно сообщению агентства Reuters, осведомленные источники сообщили, что южнокорейская компания SK Hynix ведет переговоры с Intel о сделке, которая предполагает первое производство чипов памяти на территории США. Одним из возможных вариантов является аренда SK Hynix части заводских мощностей Intel, которые долго планировались в штате Огайо; другой вариант — создание совместного предприятия с Intel и крупными облачными сервисами, стремящимися обеспечить поставки чипов памяти.Сделка снизит давление на Intel и станет значительной победой администрации Трампа. Однако источники сообщают, что потенциальное сопротивление со стороны Южной Кореи может стать серьезным препятствием, поскольку эти технологии считаются чувствительными. Один из источников отметил, что переговоры находятся на исследовательской стадии и подчеркивает, что решение еще не принято. Если соглашение будет достигнуто, пока неясно, какие именно чипы SK Hynix сможет производить в Огайо.Его продуктовая линейка включает DRAM для серверов, ПК и смартфонов, а также NAND флеш-память для долгосрочного хранения, и он также является ведущим поставщиком высокоскоростной памяти (HBM), используемой в процессорах AI.

Аналитики Citigroup отметили, что ведущие производители чипов памяти, вероятно, получат выгоду от структурных изменений, связанных с развитием искусственного интеллекта. Агентство ожидает, что непрерывное обучение будет способствовать значительному росту спроса на память, что приведет к дефициту на рынке, который продлится до 2031 года. Непрерывное обучение укрепляет модели, обучая их на новых задачах и знаниях, что создаст постоянный спрос на обновление моделей и доступ к предыдущим данным, а также увеличит объемы использования таких продуктов, как HBM, серверная DDR5 и eSSD.Citigroup ожидает, что спрос на биты HBM вырастет на 62% по сравнению с прошлым годом в 2027 году, достигнув 75,2 миллиарда гигабит, и на 69% в 2028 году, достигнув 127 миллиардов гигабит. Глобальный спрос на DRAM в 2027 и 2028 годах вырастет на 30% и 35% соответственно, в то время как предложение вырастет только на 19% и 22%, что приведет к дефициту в -8,7% и -9,7%. В сегменте NAND спрос в 2027 и 2028 годах вырастет на 29% и 33% соответственно, что превысит рост предложения на 21% и 25%, с дефицитом в -6,1% и -5,5%.Предпочтительные акции Citigroup в области хранения данных включают Samsung Electronics, SK Hynix, Micron, Sandisk и Kioxia, что соответствует логике дефицита памяти, вызванного непрерывным обучением, спросом на HBM и серверную DDR5, дефицитом DRAM и ужесточением поставок высокоплотных eSSD и NAND.

Согласно отчету газеты "Гонконгская торговая газета", с увеличением производства HBM и передовой логики ниже 2 нанометров, эксперты прогнозируют, что дефицит поставок кремниевых пластин в мире вырастет с примерно 8% к концу 2026 года до 15% в 2027 году и 24% в 2028 году. Операции компаний GlobalWafers, Hejing и Тайшэнкэ могут получить выгоду от этого. Эксперты указывают, что середина 2027 года станет ключевым поворотным моментом; если темпы увеличения предложения не смогут соответствовать спросу, во второй половине 2027 года и первой половине 2028 года может возникнуть новая волна дефицита и ажиотажа.Согласно статистике SEMI, во втором квартале 2026 года объем поставок кремниевых пластин в мире составит 3,573 миллиарда квадратных дюймов, что на 9,1% больше по сравнению с предыдущим кварталом и на 7,4% больше по сравнению с прошлым годом. Эксперты оценивают, что в 2026 году месячная производственная мощность 12-дюймовых кремниевых пластин составит около 10,69 миллиона штук, увеличившись на 7% по сравнению с предыдущим годом, в 2027 году увеличится лишь на 3% до 11 миллионов штук, а в 2028 году увеличится примерно на 6% до 11,7–11,76 миллиона штук. Новое предложение включает около 300 тысяч штук на начальном этапе второго этапа от GlobalWafers и около 100 тысяч штук от Hejing.Эксперты прогнозируют, что потребление кремниевых пластин HBM в 2027 и 2028 годах вырастет на 23% и 28% соответственно; новые мощности для обычной DRAM начнут вводиться в эксплуатацию с 2027 года, к 2028 году добавится около 350–450 тысяч штук в месяц. В области передовой логики потребление кремниевых пластин в 2027 и 2028 годах вырастет на 12% и 11% соответственно. В настоящее время запасы кремниевых пластин у клиентов составляют около 100–120 дней, и потребуется время, чтобы вернуться к нормальному уровню в 50–70 дней.

Согласно сообщению газеты "Чосон Ильбо" от 15 сентября, консенсус по операционной прибыли Samsung Electronics и SK Hynix в третьем квартале был снова пересмотрен за три месяца. По данным основных брокеров и зарубежных инвестиционных банков, операционная прибыль Samsung Electronics в третьем квартале оценивается примерно в 114 триллионов вон, что на 12.2836 триллионов вон (12%) выше, чем три месяца назад, когда она составляла 101.9052 триллиона вон, и на 28% выше по сравнению со вторым кварталом, который составил 89.4 триллиона вон. Ожидаемая прибыль SK Hynix в третьем квартале составляет 78.8035 триллиона вон, что на 4% выше, чем три месяца назад, когда она составляла 75.7249 триллиона вон, и на 30% выше по сравнению со вторым кварталом, который составил 60.5426 триллиона вон.TrendForce ожидает, что фиксированные цены на DRAM в третьем квартале вырастут на 13% до 18% по сравнению с предыдущим кварталом, а NAND флеш-память вырастет на 10% до 15%. Финансовые аналитики обращают внимание на то, что доля выручки Samsung Electronics от HBM4 увеличилась с 5% в первом квартале до примерно 35% во втором квартале, а также улучшилась выходная способность. SK Hynix сохраняет первое место по доле рынка HBM, но улучшение массового производства HBM4 от Samsung может размыть его премию на поставки. Citigroup Securities снизила прогноз операционной прибыли SK Hynix в третьем квартале с 76.7 триллиона вон до 74 триллионов вон из-за укрепления вон. Micron опубликует результаты за четвертый квартал 2026 финансового года (с июня по август) 30 числа, прогнозируемая выручка составляет от 49 до 51 миллиарда долларов.

KB Securities 11 сентября опубликовали отчет, в котором указали, что доля рынка HBM компании Samsung Electronics ожидается, что вырастет с 33% во втором квартале до 40% в четвертом квартале, что в основном связано с тем, что продажи HBM4 в третьем квартале увеличились более чем в три раза по сравнению с предыдущим кварталом, и ожидается, что во второй половине года HBM4 составит более 60% от общего объема продаж HBM.Samsung Electronics уже установила полное производство HBM4, начала поставки образцов HBM4E ключевым клиентам, приняла архитектуру HBM5 с ядром 1c и базовыми чипами 2 нм, а также дорожную карту следующего поколения ZHBM. В области контрактного производства стабильность выхода на 4 нм составляет более 80%, а выход на 2 нм GAA быстро увеличивается до более чем 70%. Аналитик KB Securities Ким Донг-Вон заявил, что контрактное производство с третьего квартала ожидается, что выйдет на прибыль, а выход на 2 нм в этом году может помочь получить заказы от крупных клиентов в США.

Согласно эксклюзивному отчету агентства Reuters от 10 сентября, китайские производители AI-чипов значительно повысили цены из-за нехватки высокоскоростной памяти. Huawei повысила цену на ускоритель Ascend 950DT до более чем 250 000 юаней, что на 20% до 50% выше по сравнению с ценой два месяца назад. Cambricon также увеличила ориентировочную цену на свой планируемый чип 690 на 20% до 30%, аналогичные повышения цен наблюдаются у Muxi и Tianxu Zhixin.В отчете говорится, что причиной являются экспортные ограничения США и рост затрат из-за поставок высокоскоростной памяти на сером рынке. Цены на более ранние продукты Huawei, такие как Ascend 950PR и 910C, также выросли примерно на 30%. Указанные повышения цен увеличили стоимость строительства AI-вычислительных мощностей в Китае. Компании, такие как Huawei и Cambricon, не прокомментировали ситуацию.

Согласно сообщениям из отрасли, компания Nvidia рассматривает возможность изменения схемы высокоскоростной памяти для следующего поколения искусственного интеллекта Rubin Ultra с 12 слоев на 8 слоев.На фоне роста затрат на хранение Nvidia уделяет больше внимания стоимости единицы пропускной способности и экономичности всей системы.