hbm4

Согласно отчету Корейской экономической газеты, следующая генерация высокоскоростной памяти Samsung Electronics "12-слойная HBM4E" прошла проверку качества от NVIDIA и основных операторов гипермасштабных дата-центров.

Согласно отчету Money Today от 21 сентября, Samsung Electronics продвигает расширение мощностей по производству передовых технологий полупроводниковых пластин в связи с ростом рынка HBM, оценивая увеличение производства по 4-нм технологии для удовлетворения растущего спроса на чипы базового уровня HBM4. HBM4 от Samsung состоит из 10-нм 6-го поколения (1c) DRAM основных чипов и 4-нм логических базовых чипов, которые отвечают за высокоскоростной обмен данными с GPU и другими AI-ускорителями.В отличие от SK Hynix, использующего 12-нм технологию TSMC, Samsung применяет собственную 4-нм технологию для базовых чипов HBM4. Эта производственная линия работает на полную мощность и принимает заказы, такие как Groq 3 LPU от NVIDIA, компания недавно повысила цены на новые заказы по 4-нм и базовые чипы HBM4. Samsung ожидает, что доходы от HBM4 в третьем квартале вырастут более чем в 3 раза по сравнению с предыдущим кварталом, а доля HBM4 в доходах от HBM во второй половине года значительно превысит 60%. Дополнительное расширение P4 в Пхенчхане в основном будет использовано для 1c DRAM для HBM, более половины мощностей по 4-нм технологии полупроводниковых пластин уже распределено на базовые чипы HBM4.HBM4E также использует 4-нм базовые чипы, Samsung предоставила образцы клиентам в мае. Компания также оценивает возможность строительства новой производственной линии по 2-нм технологии для HBM5, цель состоит в том, чтобы использовать структуру GAA и увеличить плотность TSV, что позволит увеличить скорость работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. Citi ожидает, что в следующем году глобальный спрос на биты HBM достигнет 75,2 миллиарда Gb, что на 62% больше по сравнению с прошлым годом, при этом предложение составит около 59,4 миллиарда Gb, а дефицит составит около 21%.

Согласно отчету Seoul Economic Daily, Samsung Electronics планирует в следующем году увеличить объем производства шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4 и седьмого поколения HBM4E, а также других продуктов серии HBM4 как минимум вдвое по сравнению с текущим годом. Компания намерена увеличить объем очистки стеклянных подложек, необходимых для тонкой обработки HBM на DRAM, с 20 000 штук в месяц в этом году до 50 000 штук в месяц в следующем году, что составляет увеличение в 2,5 раза. В прошлом году месячный спрос на эти подложки составлял около 10 000 штук, в этом году он удвоился по сравнению с прошлым годом.Основное внимание Samsung Electronics уделяет увеличению производства HBM4 и HBM4E, которые в основном состоят из высоких многослойных продуктов с 12 слоями и более. Компания начала массовое производство HBM4 с использованием шестого поколения DRAM на уровне 10 нм (1c) и чипов на основе 4 нм в феврале этого года, а в мае предоставила образцы HBM4E с 12 слоями клиентам, таким как NVIDIA. Ожидается, что с учетом среднемесячного ввода вафель, производственные мощности HBM Samsung Electronics увеличатся с примерно 180 000 штук в этом году до примерно 250 000 штук в следующем году, что составляет рост почти на 40%; доля отгрузок серии HBM4 может вырасти с примерно 40% в этом году до примерно 80% в следующем году.

KB Securities 11 сентября опубликовали отчет, в котором указали, что доля рынка HBM компании Samsung Electronics ожидается, что вырастет с 33% во втором квартале до 40% в четвертом квартале, что в основном связано с тем, что продажи HBM4 в третьем квартале увеличились более чем в три раза по сравнению с предыдущим кварталом, и ожидается, что во второй половине года HBM4 составит более 60% от общего объема продаж HBM.Samsung Electronics уже установила полное производство HBM4, начала поставки образцов HBM4E ключевым клиентам, приняла архитектуру HBM5 с ядром 1c и базовыми чипами 2 нм, а также дорожную карту следующего поколения ZHBM. В области контрактного производства стабильность выхода на 4 нм составляет более 80%, а выход на 2 нм GAA быстро увеличивается до более чем 70%. Аналитик KB Securities Ким Донг-Вон заявил, что контрактное производство с третьего квартала ожидается, что выйдет на прибыль, а выход на 2 нм в этом году может помочь получить заказы от крупных клиентов в США.

Отдел полупроводникового производства компании Samsung Electronics в технологии 4 нм недавно достиг более 50% доли в массовом производстве базовых чипов для шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4. В отрасли сообщают, что этот отдел во второй половине года выделит более половины своих 4-нм пластин на производство базовых чипов HBM4, чтобы увеличить поставки для таких компаний, как NVIDIA, Broadcom и AMD.Samsung первой запустила массовое производство HBM4 в феврале этого года и планирует увеличить объем поставок с третьего квартала, значительно увеличив соответствующие инвестиции в пластины с середины года. Этот чип основан на технологии полупроводникового производства Samsung 4 нм (SF4). По состоянию на прошлый месяц более 50% всех мощностей 4 нм уже были выделены для базовых чипов HBM4. Источники сообщают, что на данный момент Samsung работает на полную мощность на 4 нм, при этом доля базовых чипов HBM4 составляет около 50% до 60%, и в второй половине года она останется высокой.Samsung производит 4-7 нм чипы на своих заводах в Пхенчхане 2 и 3, где мощность 4 нм составляет около 30 000 пластин в месяц, что позволяет оценить, что инвестиции в пластины для базовых чипов HBM4 составляют около 15 000 пластин в месяц. На телефонной конференции по результатам второго квартала Samsung заявила, что ожидает, что выручка от HBM4 в третьем квартале увеличится более чем в 3 раза по сравнению с предыдущим кварталом, а во второй половине года выручка от HBM4 превысит 60% от общей выручки компании от HBM.

Сообщение ChainCatcher, согласно корейским СМИ, Samsung Electronics сотрудничает с NVIDIA (NVDA.O) для разработки 8-слойной седьмой генерации высокоскоростной памяти (HBM4E), что значительно снижает высоту стеков по сравнению с первоначальными планами на 12 и 16 слоев. Спецификация скорости, предложенная NVIDIA, составляет 17-18 Гбит/с, что примерно на 20% выше скорости образцов HBM4E от Samsung на уровне 14.4 Гбит/с. Сообщается, что этот продукт будет использоваться в NVHBM.

Сообщение ChainCatcher, SemiAnalysis выпустил новый выпуск подкаста, в котором отмечается, что SK Hynix и Micron продолжают сталкиваться с проблемами в достижении максимальной скорости HBM4. В частности, SK Hynix пришлось переработать свои базовые чипы, что привело к задержкам в поставках HBM4 для платформы NVIDIA Rubin.На данный момент Samsung обладает лучшей технологией HBM4. Broadcom традиционно сильно зависит от Samsung для своих поставок HBM. Показатели Samsung в поколении HBM3E были неудовлетворительными, что создало недостаток для ASIC Broadcom. Тем не менее, сейчас Samsung с HBM4 опережает своих конкурентов, и эта же цепочка поставок стала преимуществом для Jalapeño.

Согласно сообщениям ChainCatcher, по данным Seoul Economic Daily, Samsung Electronics разрабатывает продукт HBM4E (седьмое поколение) с 8 слоями, соответствующий требованиям NVIDIA, чтобы занять ключевую партнерскую позицию в поставках кастомизированной высокоскоростной памяти NVHBM. Этот продукт имеет меньшую высоту упаковки по сравнению с первоначально запланированными 12 и 16 слоями, а скорость, предложенная NVIDIA, составляет 17-18 Гбит/с, что примерно на 20% выше скорости первоначальных образцов HBM4E от Samsung (14.4 Гбит/с) и будет использоваться для оптимизированных спецификаций NVLink от NVIDIA.Использование 8 слоев, в отличие от предыдущей логики HBM, которая увеличивала емкость за счет увеличения количества слоев, позволяет снизить сложности на последующих этапах и давление на выходные показатели, что способствует расширению поставок и рассматривается как стратегия NVIDIA по смягчению нехватки памяти. Ожидается, что NVHBM будет применяться с выходом следующего поколения AI GPU "Rubin Ultra", который будет запускаться в следующем году и увеличит масштаб соединений между GPU с 72 до 576, что позволит сотням GPU с более быстрой HBM совместно повысить общую вычислительную мощность.На рынке кастомизированной HBM Samsung более конкурентоспособен по сравнению с SK Hynix и Micron, поскольку NVHBM требует производственных мощностей для проектирования и производства DRAM и базовых чипов на основе логики, что позволяет Samsung интегрированно справляться с этой задачей. Представители отрасли утверждают, что Samsung уже достигла высочайшего уровня скорости в верификации HBM4, что может дать ей преимущество в конкурентной борьбе за скорость.

Сообщение ChainCatcher, что Samsung Electronics и SK Hynix планируют увеличить поставки 8-слойной HBM4 памяти для NVIDIA во второй половине этого года.Этот шаг обусловлен стратегией поставок NVIDIA и направлен на обеспечение стабильности поставок HBM памяти, а также на контроль за тепловыделением продукции.

Сообщение ChainCatcher, SemiAnalysis опубликовал, что Nvidia Rubin Ultra будет оснащен 192 ГБ HBM4 8-hi памяти. Это не только значительно ниже первоначально запланированных 1 ТБ HBM, но даже меньше, чем стандартная версия Rubin с объемом 288 ГБ.Причины сокращения конфигурации HBM до примерно одной пятой от первоначальной включают: отмену схемы с четырьмя кристаллами Rubin Ultra, в результате чего количество кубов уменьшилось до 8; высота стеков снижена с 16-hi до 8-hi; и используется HBM4 с 24 Гб кристаллами, а не HBM4E с 32 Гб кристаллами. В дальнейшем может быть выпущена обновленная версия 8-hi HBM4E.

Сообщение от ChainCatcher, согласно анализу UBS по списку материалов (BOM) сверхчипа Vera Rubin, доля полупроводниковой памяти в общей стоимости платформы возросла до примерно 62%, что значительно выше, чем 53% у предыдущего поколения Blackwell Ultra (GB300). Общая стоимость сверхчипа Vera Rubin (включая 1 процессор Vera и 2 графических процессора Rubin) составляет около 38,902 долларов, из которых затраты на память составляют 24,297 долларов. Стоимость HBM4 составляет около 4,943 долларов (12.7% от общей стоимости), в то время как стоимость SOCAMM2, соединяющего процессор, составляет около 19,355 долларов (49.8% от общей стоимости), что является основным драйвером роста затрат на память.SOCAMM2 — это серверный модуль памяти на основе энергоэффективной DRAM LPDDR5X, поддерживающий максимальную емкость 1.5TB на один процессор. Шкаф Vera Rubin NVL72 (включая 72 графических процессора Rubin и 36 процессоров Vera) в общей сложности оснащен 74.7TB DRAM, из которых HBM4 составляет 20.7TB, а процессоры используют LPDDR5X на 54TB; объем LPDDR на один шкаф эквивалентен примерно 4,500 высококлассным смартфонам. Однако, из-за неопределенности поставок LPDDR5X и HBM4E, NVIDIA рассматривает возможность снижения конфигурации HBM следующего поколения Rubin Ultra.

Сообщение ChainCatcher, Samsung Electronics опубликовала финансовый отчет за второй квартал 2026 года, выручка составила 171.5 трлн вон (примерно 118.8 млрд долларов США), что на 130% больше по сравнению с прошлым годом и на 28% больше по сравнению с предыдущим кварталом, что является историческим рекордом за квартал; операционная прибыль составила 89.5 трлн вон (примерно 62.0 млрд долларов США), что на 1813.8% больше по сравнению с прошлым годом и на 56.4% больше по сравнению с предыдущим кварталом, что превышает рыночные ожидания примерно на 5%; чистая прибыль составила 71.62 трлн вон (примерно 49.6 млрд долларов США), что на 1299.9% больше по сравнению с прошлым годом. Прибыль на акцию составила 10849 вон, что на 52% больше по сравнению с прошлым годом.Выручка подразделения решений для устройств (DS) составила 127.5 трлн вон, операционная прибыль составила 89.2 трлн вон, что на 56% больше по сравнению с предыдущим кварталом, бизнес по производству памяти был стимулирован спросом на AI-серверы, выручка и прибыль достигли исторического рекорда. HBM4 уже запущен в массовое производство, образцы HBM4E были переданы ключевым клиентам. Выручка подразделения пользовательского опыта (DX) снизилась на 9% по сравнению с предыдущим кварталом, при этом бизнес MX пострадал от давления со стороны стоимости компонентов, выручка составила 33.2 трлн вон, зафиксировав операционный убыток в 0.7 трлн вон.Samsung ожидает, что во второй половине года спрос на серверную DRAM, eSSD и HBM останется сильным, рыночное предложение останется напряженным, но спрос на мобильные устройства и ПК может частично замедлиться. Компания планирует увеличить продажи высокодоходных продуктов, таких как HBM4, DDR5, SOCAMM2, и запустить в массовое производство новые мобильные продукты с использованием технологии второго поколения 2nm, с целью достичь двузначного роста выручки в контрактном бизнесе.