lpddr

Генеральный директор Tesla Илон Маск 13 октября на социальной платформе X заявил: как только Китай овладевает методом производства определенного продукта, его способность увеличивать объемы производства часто превышает совокупные возможности других регионов мира. Он привел в пример литий-ионные батареи и солнечную энергию, отметив, что Китай уже продемонстрировал эту особенность в этих областях. Это заявление было сделано в ответ на обсуждение о производителе памяти Changxin Memory.Постоянный автор Melvin считает, что Changxin уже является значимым конкурентом, но сможет ли новая технология стабильно реализовать массовое производство, все еще зависит от выхода на уровень, затрат и надежности. Он также отметил, что спрос на память продолжает расти, и увеличение мощностей не означает, что рынок сразу же столкнется с избытком предложения. Говоря о памяти, Маск отметил, что около трех лет назад память все еще относилась к товарам с низкой маржой, LPDDR5 и LPDDR6 разработаны по общим стандартам, и, похоже, Китай быстро решает связанные с этим технические проблемы.Маск также указал, что новая генерация архитектуры памяти с высокой пропускной способностью более сложна для преодоления. Другой проблемой является размещение слоя SRAM под логическими чипами и трехмерная укладка RAM сверху, одновременно решая проблему теплоотведения логических чипов. Phoenix Technology ссылается на открытые данные, сообщая, что 7 сентября Changxin Memory объявила о начале массового производства LPDDR6, который впервые был коммерчески использован в Xiaomi 18 Fold с объемом 16 ГБ, соответствующим стандарту LPDDR6 от JEDEC. Затем Changxin объявила о том, что платформа пятого поколения DRAM достигла массового производства и выпустила два продукта LPDDR5X на основе этой платформы, предназначенные для смартфонов и портативной потребительской электроники, с увеличением объема одиночного кристалла на 50% по сравнению с аналогичными продуктами предыдущего поколения.

Глобальный рынок памяти продолжает испытывать серьезный дефицит, а приложения на базе ИИ и облачных технологий поднимают спрос и цены на DRAM и NAND Flash. Два крупнейших производителя памяти в Китае, Yangtze Memory Technologies и Changxin Memory, собираются изменить сложившуюся ситуацию, в которой они занимают половину рынка.Yangtze Memory Technologies начнет пробное производство LPDDR5 DRAM в конце 2026 года, а Changxin Memory планирует перейти от DRAM к NAND Flash. В отрасли предполагают, что обе компании могут столкнуться в 2028 году. Yangtze Memory Technologies завершила разработку 294-слойной 3D NAND с использованием технологии Xtacking, а Samsung заключила соглашение о лицензировании патентов с ней в 2025 году, начиная с 10-го поколения V-NAND.Третий этап проекта Yangtze Memory Technologies планируется к запуску в конце 2026 года с первоначальной мощностью около 25 000 пластин DRAM, с завершением наращивания производства в 2027 году, нацеливаясь на LPDDR5, и планируя дальнейшее расширение производства, а также HBM и 3D DRAM. Changxin сообщила о намерении создать линию для разработки и производства NAND в Пекине, и, по оценкам, массовое производство может начаться в 2028-2029 годах.

Согласно отчету Blue Whale News, из Чанксин Технологии стало известно, что ByteDance и ZTE совместно разработали новое поколение смартфона Doubao ------ Nubia NaviX Ultra, который будет оснащен оперативной памятью LPDDR5X с максимальной скоростью 10667Mbps от Чанксин. Официальные лица заявили, что это также первая массовая реализация отечественных чипов LPDDR5X с высокой скоростью 10667Mbps.По предыдущим сообщениям, смартфон Nubia "Doubao" завершил регистрацию в сети и будет массово производиться и выходить на рынок в сентябре.

Сообщение ChainCatcher, Xiaomi официально представила чипы Xuanjie O3. Новое поколение Xuanjie O3 — это первый в мире флагманский мобильный процессор (SoC), поддерживающий память LPDDR6. Журналисты Financial Associated Press узнали из цепочки поставок, что ведущий производитель памяти в Китае, Changxin Storage (CXMT), является основным партнером Xiaomi по памяти LPDDR6 для Xuanjie O3.В марте этого года уже поступали сообщения о том, что Changxin LPDDR6 отправила образцы ключевым клиентам, а в начале августа несколько СМИ сообщили о том, что верификация близка к завершению. С запуском Xuanjie O3 это первый случай применения отечественных чипов LPDDR6 в флагманских процессорах, что также означает, что отечественная энергоэффективная память официально вошла в первую мировую лигу.

Сообщение ChainCatcher, SK Hynix объявила, что во второй половине этого года начнёт массовое производство 16Gb LPDDR6 низкопотребляющей мобильной DRAM, первые продукты будут установлены в следующем флагманском смартфоне Xiaomi. Разработка продукта была завершена в марте, он использует технологию 10nm шестого поколения (1c), что обеспечивает улучшение как в скорости обработки данных, так и в энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением. SK Hynix поставляет продукты LPDDR для Xiaomi с 2013 года, и обе компании поддерживают долгосрочное сотрудничество.LPDDR в основном используется в мобильных устройствах, таких как смартфоны и планшеты, сочетая низкое потребление энергии и высокую производительность. В последнее время, под воздействием спроса со стороны AI-серверов, цены на LPDDR продолжают расти, контрактные цены постоянно увеличиваются, а выручка от мобильной DRAM в первом квартале выросла на 64.5% по сравнению с предыдущим кварталом. SK Hynix и Samsung Electronics уже опережают Micron в подготовке к массовому производству LPDDR6. Кроме того, массовое производство LPDDR6, вероятно, ускорит конкуренцию на рынке SO-CAMM (низкопотребляющие модули памяти), этот продукт рассматривается как комплектующее решение для CPU AI-серверов. Генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг посетил стенд SK Hynix на международной компьютерной выставке в Тайбэе в июне, оставив надпись "LOVE SOCAMM" для 192GB SO-CAMM.