BTC $79,721.63 +0.31%
ETH $2,458.77 +0.13%
BNB $766.65 +6.97%
XRP $1.41 +0.92%
SOL $102.75 +1.19%
TRX $0.3338 +1.19%
DOGE $0.0878 +3.85%
ADA $0.2174 +1.73%
BCH $249.89 -0.39%
LINK $11.92 +2.10%
HYPE $85.48 +1.17%
AAVE $131.81 +0.39%
SUI $0.7967 +6.42%
XLM $0.1843 +2.96%
ZEC $1,018.20 +3.48%
BTC $79,721.63 +0.31%
ETH $2,458.77 +0.13%
BNB $766.65 +6.97%
XRP $1.41 +0.92%
SOL $102.75 +1.19%
TRX $0.3338 +1.19%
DOGE $0.0878 +3.85%
ADA $0.2174 +1.73%
BCH $249.89 -0.39%
LINK $11.92 +2.10%
HYPE $85.48 +1.17%
AAVE $131.81 +0.39%
SUI $0.7967 +6.42%
XLM $0.1843 +2.96%
ZEC $1,018.20 +3.48%

euv

Tất cả
Bài viết
Tin nhanh

hot_img Ngân hàng UBS: Trong mười năm tới, Trung Quốc khó có thể phát triển thiết bị khắc EUV hàng đầu tương đương với ASML, sản xuất DUV có thể cần từ hai đến năm năm

Theo báo cáo của Bloomberg, các nhà phân tích của UBS dự đoán rằng trong vòng mười năm tới, khả năng sản xuất chất bán dẫn của Trung Quốc có thể khó đạt được tiến bộ đủ nhanh để phát triển các giải pháp thực sự thay thế công nghệ in khắc EUV tiên tiến của ASML. Các nhà phân tích của UBS đã viết trong báo cáo rằng, "giai đoạn hiện tại của họ dường như tương đương với ASML vào năm 2004", từ hoạt động nộp đơn xin cấp bằng sáng chế, đặc biệt là trong lĩnh vực nguồn sáng và hệ thống laser, mức độ trưởng thành công nghệ hiện tại của Trung Quốc tương đương với mức độ của ASML trước khi bắt đầu sản xuất hàng loạt thiết bị EUV 15 năm.UBS cũng dự đoán rằng Trung Quốc có khả năng đạt được khả năng sản xuất hàng loạt máy in khắc DUV ngâm trong vòng hai đến năm năm tới. Mặc dù DUV ngâm không tiên tiến bằng EUV, nhưng vẫn là thiết bị không thể thiếu trong sản xuất chip. Giá bán máy DUV ngâm của ASML gần 90 triệu USD, trong khi mỗi thiết bị EUV có giá trên 200 triệu USD. Trung Quốc là một trong những thị trường lớn nhất của ASML, nhưng do hạn chế xuất khẩu, ASML bị cấm bán thiết bị EUV cho Trung Quốc. UBS chỉ ra rằng, xét đến sự chênh lệch về tỷ lệ thành công và công suất cũng như các hạn chế quản lý, thiết bị in khắc của Trung Quốc khó có khả năng được áp dụng ở nước ngoài. Người phát ngôn của ASML không phản hồi yêu cầu bình luận. Báo cáo này dựa trên quan điểm dự đoán của các nhà phân tích UBS, tiến trình thực tế sẽ phụ thuộc vào động thái của ngành.

hot_img Samsung dự kiến đưa công nghệ High-NA EUV vào quy trình 1 nanomet vào năm 2030

Tin tức từ ChainCatcher, đội ngũ phát triển quy trình Foundry của Viện Nghiên cứu Bán dẫn Samsung do Park Chang-min dẫn đầu đã cho biết tại "Hội nghị Khoa học Kỹ thuật Quang khắc và Hóa học Hình mẫu Thế hệ tiếp theo 2026", công ty dự định bắt đầu áp dụng công nghệ High-NA EUV từ quy trình 1 nanomet (A10), với mục tiêu đạt sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2030. Hiện tại, Samsung vẫn sử dụng giải pháp đa hình mẫu EUV 0.33 NA cho các quy trình 2 nanomet và nhỏ hơn, dự kiến sản xuất hàng loạt quy trình 1.4 nanomet vào năm 2029, sau đó sẽ tiến tới quy trình 1 nanomet.High-NA EUV sẽ nâng cao độ mở khẩu độ (NA) của ống kính từ 0.33 lên 0.55, mang lại độ phân giải cao hơn, có thể đơn giản hóa quy trình siêu vi mô cần đa hình mẫu trước đây thành một lần hình mẫu, giúp giảm chi phí sản xuất, nâng cao hiệu quả sản xuất và linh hoạt trong thiết kế. Tuy nhiên, công nghệ này có độ khó cao, thiết bị đắt tiền và cần nâng cấp đồng bộ công nghệ vật liệu đi kèm. Park Chang-min dự đoán rằng quy trình 1.4 nanomet và 1 nanomet vẫn sẽ chủ yếu sử dụng đa hình mẫu EUV 0.33 NA, sau đó High-NA sẽ trở thành công nghệ cốt lõi của thế hệ quy trình mới.
app_icon
ChainCatcher Building the Web3 world with innovations.