lpddr

Giám đốc điều hành Tesla Elon Musk đã cho biết vào ngày 13 tháng 10 trên nền tảng xã hội X rằng: một khi Trung Quốc nắm vững phương pháp sản xuất một loại sản phẩm nào đó, khả năng mở rộng quy mô sản xuất của họ thường vượt qua tổng cộng của các khu vực khác trên thế giới. Ông đã lấy pin lithium và năng lượng mặt trời làm ví dụ, cho rằng Trung Quốc đã thể hiện đặc điểm này trong những lĩnh vực này. Phát biểu này được đưa ra để phản hồi một bài thảo luận về nhà sản xuất bộ nhớ Changxin Storage.Người đăng bài Melvin cho rằng, Changxin đã trở thành một đối thủ không thể xem nhẹ, nhưng liệu công nghệ mới có thể ổn định thực hiện sản xuất quy mô lớn hay không vẫn phụ thuộc vào tỷ lệ thành công, chi phí và độ tin cậy. Ông cũng cho biết, nhu cầu về bộ nhớ vẫn đang tăng, việc tăng công suất không có nghĩa là thị trường sẽ ngay lập tức dư thừa. Khi đề cập đến bộ nhớ, Musk cho biết, khoảng ba năm trước, bộ nhớ vẫn thuộc về hàng hóa có biên lợi nhuận thấp, LPDDR5 và LPDDR6 được thiết kế theo tiêu chuẩn chung, Trung Quốc dường như đang nhanh chóng giải quyết các vấn đề công nghệ liên quan.Musk cũng chỉ ra rằng, kiến trúc bộ nhớ băng thông cao thế hệ mới khó khăn hơn để chinh phục. Một loại vấn đề khác là đặt một lớp SRAM dưới chip logic và xếp chồng RAM theo chiều ba chiều ở phía trên, đồng thời giải quyết vấn đề tản nhiệt của chip logic. Phượng Hoàng Net Công nghệ đã trích dẫn thông tin công khai cho biết, vào ngày 7 tháng 9, Changxin Storage đã công bố LPDDR6 đã được sản xuất hàng loạt và lần đầu tiên được thương mại hóa cho Xiaomi 18 Fold, với dung lượng 16 GB, phù hợp với tiêu chuẩn LPDDR6 của JEDEC. Sau đó, Changxin đã công bố nền tảng quy trình DRAM thế hệ thứ năm đã đạt sản xuất hàng loạt và ra mắt hai sản phẩm LPDDR5X dựa trên nền tảng này, nhắm đến điện thoại thông minh và thiết bị điện tử tiêu dùng di động, dung lượng của mỗi chip trần tăng 50% so với các sản phẩm cùng loại thế hệ trước.

Nguồn cung bộ nhớ toàn cầu tiếp tục thiếu hụt nghiêm trọng, ứng dụng AI và điện toán đám mây đã thúc đẩy nhu cầu và giá cả của DRAM và NAND Flash. Hai nhà sản xuất bộ nhớ lớn của Trung Quốc, Yangtze Memory Technologies và Changxin Memory Technologies, sẽ phá vỡ thế cân bằng hiện tại.Yangtze Memory Technologies sẽ bắt đầu thử nghiệm sản xuất LPDDR5 DRAM vào cuối năm 2026, trong khi Changxin Memory Technologies sẽ chuyển từ DRAM sang NAND Flash. Ngành công nghiệp dự đoán hai công ty sẽ đối đầu trực tiếp vào năm 2028. Yangtze Memory Technologies đã hoàn thành phát triển 3D NAND 294 lớp bằng công nghệ Xtacking, Samsung sẽ ký thỏa thuận cấp phép bằng sáng chế với công ty này vào năm 2025, bắt đầu áp dụng các bằng sáng chế liên quan từ thế hệ V-NAND thứ 10.Kế hoạch giai đoạn ba của Yangtze Memory Technologies sẽ bắt đầu sản xuất vào cuối năm 2026, với công suất ban đầu khoảng 25.000 tấm DRAM, hoàn thành giai đoạn tăng trưởng vào năm 2027, nhắm đến LPDDR5, và có kế hoạch mở rộng sản xuất cũng như HBM, 3D DRAM trong tương lai. Changxin được cho là sẽ thiết lập dây chuyền nghiên cứu và sản xuất NAND tại Bắc Kinh, dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt sớm nhất vào năm 2028 đến 2029.

Theo báo cáo của Blue Whale News, từ Changxin Technology được biết, ByteDance và ZTE đã hợp tác phát triển thế hệ điện thoại "đậu phộng" mới ------ Nubia NaviX Ultra, sẽ được trang bị bộ nhớ LPDDR5X với tốc độ cao nhất 10667Mbps của Changxin. Chính thức cho biết, đây cũng là lần đầu tiên chip nhớ LPDDR5X tốc độ cao 10667Mbps sản xuất trong nước được đưa vào ứng dụng thực tế.Theo thông tin trước đó, điện thoại "đậu phộng" Nubia đã hoàn thành đăng ký mạng và sẽ được sản xuất hàng loạt vào tháng 9.

ChainCatcher tin tức, Xiaomi chính thức phát hành chip Xuanjie O3. Thế hệ chip Xuanjie O3 là bộ xử lý di động flagship đầu tiên trên thế giới hỗ trợ chip bộ nhớ LPDDR6. Phóng viên của Financial Associated Press từ chuỗi cung ứng cho biết, công ty lưu trữ hàng đầu trong nước Changxin Storage (CXMT) là đối tác hợp tác chính về bộ nhớ LPDDR6 cho chip Xuanjie O3 của Xiaomi.Vào tháng 3 năm nay đã có tin tức cho biết Changxin LPDDR6 đã gửi mẫu cho khách hàng quan trọng, vào đầu tháng 8, nhiều phương tiện truyền thông đã báo cáo rằng việc xác minh gần như đã hoàn tất. Việc ra mắt cùng với Xuanjie O3 lần này đánh dấu sản phẩm chip LPDDR6 nội địa lần đầu tiên được ứng dụng trên bộ xử lý flagship, cũng có nghĩa là bộ nhớ tiết kiệm năng lượng nội địa chính thức gia nhập hàng ngũ đầu tiên toàn cầu.

Tin tức từ ChainCatcher, SK Hynix thông báo sẽ chính thức sản xuất hàng loạt 16Gb LPDDR6 DRAM di động tiết kiệm năng lượng vào nửa cuối năm nay, lô sản phẩm đầu tiên sẽ được trang bị trên smartphone flagship thế hệ tiếp theo của Xiaomi. Sản phẩm này đã hoàn thành phát triển vào tháng 3, sử dụng công nghệ 10nm thế hệ thứ sáu (1c), cải thiện tốc độ xử lý dữ liệu và hiệu suất năng lượng so với thế hệ trước. SK Hynix đã cung cấp sản phẩm LPDDR cho Xiaomi từ năm 2013, hai bên duy trì hợp tác lâu dài.LPDDR chủ yếu được sử dụng cho các thiết bị di động như smartphone và máy tính bảng, với đặc tính tiết kiệm năng lượng và hiệu suất cao. Gần đây, do nhu cầu từ máy chủ AI, giá LPDDR liên tục tăng cao, giá hợp đồng không ngừng tăng, doanh thu DRAM di động toàn cầu trong quý đầu tiên tăng 64.5% so với quý trước. SK Hynix và Samsung Electronics đã dẫn đầu trong việc chuẩn bị sản xuất hàng loạt LPDDR6 so với Micron. Hơn nữa, việc sản xuất hàng loạt LPDDR6 dự kiến sẽ tăng tốc độ cạnh tranh trên thị trường SO-CAMM (mô-đun bộ nhớ tiết kiệm năng lượng), sản phẩm này được coi là giải pháp đi kèm cho CPU máy chủ AI. CEO của NVIDIA, Huang Renxun, đã đến thăm gian hàng của SK Hynix tại Triển lãm máy tính quốc tế Đài Bắc vào tháng 6, để lại lời nhắn "LOVE SOCAMM" cho 192GB SO-CAMM.