dram

IT Nhà dẫn nguồn từ Money Today ngày 8 tháng 10, cho biết bộ phận trải nghiệm di động (MX) của Samsung Electronics đã lên kế hoạch cắt giảm sản lượng smartphone, với mức giảm cao nhất lên tới 30% trong quý 4 năm 2026. Nhiều nguồn tin trong ngành IT cho biết bộ phận MX của Samsung đã thông báo cho nhiều đối tác yêu cầu giảm lượng cung cấp sản phẩm từ 20% đến 30%. IT Nhà lưu ý rằng văn bản gốc không làm rõ 30% này là so với quý trước, năm trước, hay so với sản lượng dự kiến trước đó.Về sản lượng, Samsung Electronics ban đầu dự kiến dựa vào các sản phẩm mới như Galaxy Z Fold8 để sản xuất lên tới 270 triệu chiếc smartphone trong cả năm. Sau khi cắt giảm mạnh trong quý 4, sản lượng cuối cùng trong cả năm dự kiến sẽ giảm xuống chỉ hơn 200 triệu chiếc, mức giảm vượt quá dự đoán ban đầu của thị trường. Dữ liệu IDC cho thấy, trong quý 1 và quý 2 năm nay, lượng smartphone xuất xưởng lần lượt là 62,4 triệu chiếc và 62,7 triệu chiếc, trước đó dự đoán lượng xuất xưởng trong quý 3 và quý 4 lần lượt là 59 triệu chiếc và 52 triệu chiếc, quý 4 giảm khoảng 12% so với quý 3.Money Today báo cáo rằng giá bộ nhớ tăng là yếu tố chính thúc đẩy việc cắt giảm sản xuất. Dữ liệu từ TrendForce cho thấy, trong quý 2 năm nay, giá bán của DRAM tiết kiệm năng lượng cho smartphone (LPDDR5X) 12GB là từ 145 đến 146 USD, tăng 175% so với cùng kỳ năm ngoái. Báo cáo cũng cho biết, nhu cầu về trí tuệ nhân tạo đã đẩy giá bộ nhớ lên cao, dự kiến giá DRAM cho smartphone trong quý 3 sẽ tăng thêm khoảng 20%, có thể lên tới 180 USD. Các chuyên gia trong ngành IT cho biết, hiện tại doanh số bán smartphone của Samsung đã không còn lợi nhuận, việc cắt giảm sản xuất là chiến lược để duy trì lợi nhuận tổng thể.

Theo báo cáo của truyền thông vào ngày 29 tháng 9, Phó Chủ tịch điều hành của Samsung Electronics, Kim Taewoo cho biết: Dự kiến vào năm tới, HBM sẽ chiếm gần 30% tổng công suất wafer của các nhà sản xuất DRAM, hiện tại tỷ lệ này khoảng 20%. Ông cho biết, HBM và DRAM truyền thống đang cạnh tranh cho cùng một công suất wafer, việc mở rộng sản xuất HBM có thể sẽ gây áp lực lên nguồn cung DRAM truyền thống.TrendForce trước đó đã dự đoán, đến cuối năm 2027, ba nhà cung cấp HBM lớn nhất toàn cầu sẽ đầu tư vào wafer HBM khoảng 30% tổng đầu tư wafer DRAM, nhưng tính theo dung lượng lưu trữ chỉ có thể đóng góp khoảng 13% tổng nguồn cung DRAM. Ngoài ra, theo báo cáo của truyền thông vào ngày 20 tháng 9, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng bao gồm Nvidia; ngành công nghiệp dự đoán lượng wafer HBM trung bình hàng tháng của Samsung sẽ tăng từ khoảng 180.000 wafer năm nay lên khoảng 250.000 wafer vào năm tới.TrendForce cũng cho biết vào cùng ngày, nhu cầu máy chủ AI vẫn tiếp tục, HBM và DRAM thông dụng sẽ vẫn chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, nguồn cung lưu trữ vào năm 2027 sẽ duy trì tình trạng căng thẳng, và đã điều chỉnh dự báo giá HBM năm 2027, dự kiến giá bán trung bình hỗn hợp sẽ tăng 121% so với năm trước. Do nguồn cung hạn chế và chi phí hệ thống tăng, HBM 8 lớp dự kiến sẽ trở thành giải pháp ưu tiên được nhiều nhà sản xuất đánh giá vào năm 2027, với giá bán mỗi Gb sẽ cao hơn khoảng 10% đến 20% so với sản phẩm 12 lớp.

Báo cáo của nhật báo Trung ương Hàn Quốc cho biết, bản tuyên bố của một người có xuất thân từ bộ phận Samsung Electronics, cựu người phụ trách đầu tư thiết bị của Changxin Memory Technologies (CXMT) cho thấy, cựu CEO của CXMT, Vương Ninh Quốc, đã triệu tập người này cùng với đội ngũ Hàn Quốc từ tháng 10 đến tháng 12 năm 2016, yêu cầu mang về kế hoạch công thức quy trình (PRP) và thông tin thiết bị của Samsung Electronics, và nói rằng nếu không mang về sẽ báo cáo chính phủ Hàn Quốc, đồng thời cảnh báo rằng có người xác minh mối quan hệ, không được nói dối. Người này cho biết lúc đó cảm thấy sợ hãi. Báo cáo cho biết, ban lãnh đạo CXMT đã sử dụng "Hoàng Sơn" làm mã cho Samsung Electronics.Sau 28 năm làm việc tại Samsung Electronics, người này gia nhập CXMT, bị cáo buộc tiết lộ và sử dụng trái phép quy trình DRAM 18 nanomet mà Samsung đã đầu tư 1.6 triệu tỷ won, là quy trình phát triển đầu tiên trên thế giới, đã bị truy tố, và vào tháng 4 năm nay bị tuyên án 7 năm tù giam trong phiên tòa sơ thẩm, hiện đang trong giai đoạn phúc thẩm. PRP bao gồm khoảng 600 bước quy trình sản xuất DRAM, thiết bị, giá trị điều kiện và công ty thiết bị cùng với mẫu mã. Một kỹ sư thiết kế quy trình của Samsung, Park, đã chép tay nội dung liên quan vào 12 trang ghi chú và mang ra ngoài vào tháng 9 năm 2016, hiện đang trong tình trạng thông báo đỏ của Tổ chức Cảnh sát Hình sự Quốc tế.Trong phiên tòa, người này tuyên bố rằng khi giao tiếp với phía Trung Quốc đã có ý kiến rằng nếu không thể sản xuất 18 nanomet thì sẽ không cung cấp đầu tư cho CXMT, và cho biết sau đó biết rằng đối phương từ đầu đã muốn có công nghệ này, CXMT ban đầu không có kế hoạch phát triển độc lập. Sự ép buộc trên xảy ra trước khi chuẩn bị cho cuộc họp xin đầu tư. CXMT được thành lập vào năm 2016 với vốn đầu tư 14.4 tỷ nhân dân tệ từ chính quyền thành phố Hợp Phì, đã khoảng 10 năm không có lợi nhuận, năm ngoái lần đầu tiên có lãi hàng năm, lợi nhuận ròng đạt 7.1 tỷ nhân dân tệ.

Theo báo cáo của ZDNet Korea ngày 28 tháng 9, Samsung Electronics đang tăng tốc xây dựng dây chuyền sản xuất đầu tiên (Ph1) tại khu công nghiệp P5 ở Bình Châu, và đang thảo luận với các nhà cung cấp thiết bị chính về việc chuyển thiết bị Ph1 từ kế hoạch ban đầu vào quý 3 năm sau lên quý 2 năm sau. P5 là cơ sở sản xuất bán dẫn thế hệ tiếp theo với mục tiêu đi vào sản xuất vào năm 2028, và đã bắt đầu xây dựng phòng sạch Ph1 vào quý 3 năm nay.Samsung Electronics trước đó đã đẩy nhanh việc hoàn thành xây dựng phòng sạch P5 Ph1 từ đầu năm sau xuống khoảng 6 tháng, do đó việc đưa thiết bị vào dự kiến sẽ diễn ra vào khoảng quý 3 năm sau. Các chuyên gia trong ngành cho biết, thời gian bắt đầu chuyển thiết bị dự kiến sẽ được đẩy lên từ tháng 7 đến tháng 8 năm sau xuống khoảng tháng 5 đến tháng 6 năm sau; một số người khác cho biết, Samsung thậm chí đã đề xuất giao thiết bị vào quý 1 năm sau, lưu trữ tạm thời tại các địa điểm khác, cho thấy ý định đầu tư sớm của họ rất mạnh mẽ.Cuộc thảo luận về đầu tư giai đoạn thứ hai của P5 (Ph2) cũng đang được tiến hành. Hiện tại, Ph1 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất DRAM và HBM, trong khi Ph2 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất NAND tiên tiến bao gồm thế hệ thứ mười (V10). Các chuyên gia trong ngành thiết bị cho biết, đơn đặt hàng chính thức vẫn chưa được phát hành, nhưng Samsung đã thảo luận với các đối tác để xây dựng Ph2 thành dây chuyền sản xuất NAND, và do chu kỳ giao hàng thiết bị dài, yêu cầu chuẩn bị sẵn các linh kiện liên quan. Các báo cáo cho thấy, các công ty công nghệ lớn trên toàn cầu đang tăng cường đơn hàng DRAM và NAND hiệu suất cao cho cơ sở hạ tầng AI, trong khi năng lực sản xuất của các công ty lưu trữ như Samsung bị hạn chế. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả kinh doanh quý 2 vào tháng 7, Samsung đã cho biết rằng nhu cầu không được đáp ứng trong năm nay sẽ kéo dài đến năm sau, và tình trạng thiếu hụt cung sẽ nghiêm trọng hơn năm nay, và dự kiến tình trạng thiếu hụt sẽ kéo dài đến năm 2028.

Cơ quan phân tích bán dẫn Kernel Insight: Nhu cầu trí tuệ nhân tạo thúc đẩy giá DRAM duy trì ở mức cao lịch sử, giá trị bán hàng trên mỗi đơn vị diện tích của DRAM công nghệ mới nhất đã vượt quá giá wafer N2, N3 của TSMC. Cơ quan này ước tính giá wafer 300mm N3 của TSMC là 20.000 USD, N2 là 30.000 USD, tương đương với giá danh nghĩa khoảng 0.283 USD và 0.424 USD mỗi mm vuông, chưa tính đến tổn thất biên, tổn thất cắt và tỷ lệ sản phẩm tốt và khuyết tật.Theo tính toán mỗi Gb 1.50 USD và mật độ bit thế hệ, DRAM 1y là 0.329 USD mỗi mm vuông, 1z là 0.410 USD, 1b là 0.654 USD, cao hơn N2 hơn 50%. Quy trình công nghệ 10nm được thu nhỏ dần theo thứ tự 1y, 1z, 1a, 1b. Giá mỗi Gb nêu trên giả định gần với giá giao ngay, dữ liệu từ DRAMeXchange cho thấy, vào ngày 21 tháng 9, giá trung bình giao dịch của chip 16Gb DDR5 eTT là 24.80 USD, tương đương khoảng 1.55 USD mỗi Gb.Có sự khác biệt trong cách so sánh. Số liệu của TSMC là giá mà khách hàng trả cho dịch vụ gia công wafer, số liệu DRAM là tổng tiềm năng doanh thu từ việc bán sản phẩm hoàn chỉnh, và chưa tính đến chi phí đóng gói tiên tiến; giá cung cấp thực tế của TSMC sẽ thay đổi theo khối lượng đơn hàng và hợp đồng. Chỉ số DRAM dựa trên giá giao ngay nhỏ, khác với giá hợp đồng dài hạn của Samsung Electronics, SK Hynix, Micron. Giá giao dịch cố định không công khai gần đây đã tăng mạnh, nếu chưa phản ánh hoàn toàn vào giá giao ngay, mức độ dẫn đầu về giá wafer của các nhà sản xuất bộ nhớ có thể còn lớn hơn.

Theo báo cáo từ ZDNet Korea, Samsung Electronics đã điều chỉnh chiến lược DRAM thế hệ tiếp theo, đưa B1b, trước đây được phát triển dưới dạng dự án, vào lộ trình chính thức và đặt tên là DRAM D0a đầu tiên dưới 10 nanomet. Trước đây, D0a chỉ đề cập đến DRAM transistor thẳng đứng, hiện sản phẩm này được phân loại riêng là D0a-V. Việc đổi tên này nhằm tăng tốc độ đưa công nghệ đóng gói tiên tiến vào DRAM thông dụng.B1b sẽ sản xuất các đơn vị lưu trữ và mạch điều khiển xung quanh trên các wafer khác nhau rồi sau đó kết nối lại, sử dụng phương pháp kết nối hỗn hợp wafer với wafer, kết nối trực tiếp qua đồng. Hiện tại, DRAM thương mại đã có là 1c, tức là thế hệ thứ 6 ở mức 10 nanomet, độ rộng khoảng 11 đến 12 nanomet; thế hệ tiếp theo 1d là thế hệ thứ 7 ở mức 10 nanomet, độ rộng khoảng 10 đến 11 nanomet, được coi là sản phẩm 10 nanomet cuối cùng về mặt thực tế, độ rộng liên quan thuộc về thuật ngữ tiếp thị chứ không phải kích thước vật lý thực tế. Transistor thẳng đứng có thể sắp xếp transistor bên trong đơn vị theo chiều dọc, giảm diện tích đơn vị từ 6F² xuống 4F², nhưng cần phải đối mặt với việc khắc tỉ lệ cao và dòng rò, độ khó phát triển cao hơn. Kết nối hỗn hợp wafer với wafer đã được ứng dụng sản xuất hàng loạt trong cảm biến hình ảnh CMOS và NAND xếp chồng cao.Samsung Electronics đang đánh giá việc sử dụng B1b cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ 8 HBM5. HBM5 dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2029, với mục tiêu tăng tốc độ hoạt động hơn 50% so với HBM4E. Ngành công nghiệp ước tính, DRAM D0a dựa trên B1b sẽ thương mại hóa nhanh nhất sau khoảng hai năm, lịch trình đầu tư sản xuất cụ thể có thể được xác định vào giữa năm sau.

Giám đốc toàn cầu về đầu tư vĩ mô của Fidelity, Jurrien Timmer, đã cho biết trên nền tảng X rằng giao dịch trong lĩnh vực AI đã ở trạng thái "tiền chết" hơn ba tháng, với chi tiêu cho token và tỷ lệ thuê GPU đều giữ nguyên hoặc giảm, chỉ có giá bộ nhớ (DRAM) tiếp tục tăng.Timmer cho rằng, AI sẽ thay đổi cuộc sống trong dài hạn và có thể giải phóng kỳ tích năng suất, nâng cao giới hạn tốc độ kinh tế không lạm phát đến mức đủ để duy trì mức nợ toàn cầu bền vững. Nhưng trước đó, việc xây dựng hiện tại là lạm phát, và lợi tức từ hàng nghìn tỷ đô la đầu tư vào sức mạnh tính toán vẫn chưa chắc chắn, nhu cầu về vốn cổ phần doanh nghiệp và nợ đang tăng với tốc độ 3,3 nghìn tỷ đô la.

Nguồn cung bộ nhớ toàn cầu tiếp tục thiếu hụt nghiêm trọng, ứng dụng AI và điện toán đám mây đã thúc đẩy nhu cầu và giá cả của DRAM và NAND Flash. Hai nhà sản xuất bộ nhớ lớn của Trung Quốc, Yangtze Memory Technologies và Changxin Memory Technologies, sẽ phá vỡ thế cân bằng hiện tại.Yangtze Memory Technologies sẽ bắt đầu thử nghiệm sản xuất LPDDR5 DRAM vào cuối năm 2026, trong khi Changxin Memory Technologies sẽ chuyển từ DRAM sang NAND Flash. Ngành công nghiệp dự đoán hai công ty sẽ đối đầu trực tiếp vào năm 2028. Yangtze Memory Technologies đã hoàn thành phát triển 3D NAND 294 lớp bằng công nghệ Xtacking, Samsung sẽ ký thỏa thuận cấp phép bằng sáng chế với công ty này vào năm 2025, bắt đầu áp dụng các bằng sáng chế liên quan từ thế hệ V-NAND thứ 10.Kế hoạch giai đoạn ba của Yangtze Memory Technologies sẽ bắt đầu sản xuất vào cuối năm 2026, với công suất ban đầu khoảng 25.000 tấm DRAM, hoàn thành giai đoạn tăng trưởng vào năm 2027, nhắm đến LPDDR5, và có kế hoạch mở rộng sản xuất cũng như HBM, 3D DRAM trong tương lai. Changxin được cho là sẽ thiết lập dây chuyền nghiên cứu và sản xuất NAND tại Bắc Kinh, dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt sớm nhất vào năm 2028 đến 2029.

Theo báo cáo của TechPowerUp, nhà sản xuất DRAM Trung Quốc Changxin Storage (CXMT) dự kiến đến cuối năm 2026, công suất sản xuất wafer DRAM hàng tháng sẽ đạt khoảng 350.000 wafer, trong khi Micron ước tính khoảng 375.000 wafer trong cùng thời gian. Thời gian xây dựng phòng sạch của Changxin Storage khoảng 12 tháng, ngắn hơn so với thời gian thông thường của ngành là từ 21 đến 24 tháng.Do bị Mỹ trừng phạt không thể nhận được EUV, Changxin Storage sử dụng công nghệ khắc DUV cũ hơn và công nghệ đa hình. Công ty đã bắt đầu xuất xưởng chip 16 Gb DDR5 với tốc độ 8000 MT/s, diện tích chip 67 mm², mật độ 0.239 Gb/mm², đơn vị G4 nhỏ hơn G3 20%. Mô-đun 24 Gb được sản xuất hàng loạt với tốc độ khoảng 6000 MT/s, mô-đun LPDDR5X-10667 (12 Gb và 16 Gb) cũng đã được sản xuất hàng loạt. Chính phủ Trung Quốc đang khuyến khích Changxin Storage chuyển giao IP DRAM cho các nhà sản xuất trong nước như JHICC, Swaysure và công ty con Changjiang Storage XMC.

Tin tức từ Jie Mian News cho biết, Apple đã chấp nhận báo giá chip lưu trữ của Samsung Electronics cho quý 1 năm 2027: DRAM gần 2.0 USD /Gb, NAND flash gần 0.33 USD /Gb, tăng 30%-40% so với báo giá quý 3 năm nay.Jie Mian News đã xác minh thông tin này với Apple, nhưng chưa nhận được phản hồi tính đến thời điểm bài viết được phát hành.

Theo báo cáo của Chosun Ilbo ngày 15 tháng 9, lợi nhuận hoạt động của Samsung Electronics và SK Hynix trong quý 3 đã được điều chỉnh tăng lần nữa trong vòng ba tháng. Tổng hợp từ các báo cáo của các công ty chứng khoán lớn và ngân hàng đầu tư nước ngoài, lợi nhuận hoạt động của Samsung Electronics trong quý 3 ước tính khoảng 114 triệu tỷ won, tăng 12.2836 triệu tỷ won (12%) so với 101.9052 triệu tỷ won cách đây ba tháng, và tăng 28% so với 89.4 triệu tỷ won của quý 2. SK Hynix ước tính trong quý 3 là 78.8035 triệu tỷ won, tăng 4% so với 75.7249 triệu tỷ won cách đây ba tháng, và tăng 30% so với 60.5426 triệu tỷ won của quý 2.TrendForce dự đoán giá giao dịch cố định DRAM chung trong quý 3 sẽ tăng từ 13% đến 18% so với quý trước, trong khi NAND flash tăng từ 10% đến 15%. Thị trường chứng khoán chú ý đến tỷ lệ doanh thu HBM4 của Samsung Electronics từ 5% trong quý 1 đã mở rộng lên khoảng 35% trong quý 2, và tỷ lệ sản xuất đã cải thiện. SK Hynix duy trì thị phần HBM hàng đầu, nhưng việc cải thiện sản xuất HBM4 của Samsung có thể làm giảm giá cung cấp của họ. Citigroup đã điều chỉnh dự báo lợi nhuận hoạt động quý 3 của SK Hynix từ 76.7 triệu tỷ won xuống 74 triệu tỷ won do đồng won mạnh lên. Micron sẽ công bố kết quả tài chính quý 4 năm tài chính 2026 (từ tháng 6 đến tháng 8) vào ngày 30, với hướng dẫn doanh thu từ 49 tỷ đến 51 tỷ USD.

HIP-3 Thị Trường Triển Khai Entropy Chi Tiêu 500 Đồng HYPE (khoảng 38,950 USD) Mua Mã DRAM, Dự Kiến Sẽ Ra Mắt io:DRAM Hợp Đồng Vĩnh Cửu Giao Dịch.Trước đó Trade.xyz Đã Triển Khai xyz:DRAM Hợp Đồng Vĩnh Cửu Giao Dịch. DRAM Là Roundhill Memory ETF (DRAM), Là Quỹ ETF Chủ Đề Bộ Nhớ Đầu Tiên Trên Thế Giới.

Nhà sản xuất DRAM lớn nhất Trung Quốc, Changxin Storage (CXMT), gần đây đã khởi động đấu thầu thiết bị hợp tác cho nhà máy mới tại Thượng Hải và thúc đẩy mở rộng công suất tại nhiều địa điểm. Hiện tại, CXMT đang sản xuất hàng loạt DRAM tại giai đoạn hai ở Hợp Phì và giai đoạn một ở Bắc Kinh, với công suất ước tính khoảng 200.000 tấm mỗi tháng, có thể vượt quá 300.000 tấm mỗi tháng vào cuối năm.CXMT dự kiến sẽ mở nhà máy mới tại Thượng Hải vào quý 4 năm nay, và đấu thầu thiết bị liên quan đã được khởi động. Các chuyên gia trong ngành thiết bị bán dẫn cho biết, nhà máy này dự kiến sẽ được mở rộng theo hai giai đoạn, với công suất sẽ vượt quá 100.000 tấm mỗi tháng. Sau đó, dự kiến sẽ mở nhà máy mới ở Hợp Phì vào nửa đầu năm sau, và sớm nhất là mở nhà máy mới ở Bắc Kinh vào nửa cuối năm sau, và mở lại nhà máy mới ở Hợp Phì vào nửa đầu năm sau.Các chuyên gia trong ngành thiết bị cho biết, CXMT đã liên lạc với nhiều bên để thảo luận về thời điểm xây dựng nhà máy ở nhiều địa điểm. Nếu tất cả các kế hoạch được thực hiện, CXMT có thể tăng thêm ít nhất 70.000 đến 80.000 tấm công suất mỗi tháng từ năm nay đến năm 2028, và trong dài hạn có thể vượt quá 600.000 tấm mỗi tháng. Công suất DRAM của Samsung Electronics và SK Hynix lần lượt ước tính khoảng 700.000 tấm và 600.000 tấm mỗi tháng.

Theo báo cáo của Nikkei Asia, nhà sản xuất chip Trung Quốc Changxin Storage (CXMT) đã dẫn đầu các đối thủ cạnh tranh toàn cầu về tỷ suất lợi nhuận, vượt qua SK Hynix và Micron. Công ty đã tận dụng tình hình nguồn cung DRAM cấp hàng hóa đang khan hiếm, chiếm ưu thế trong quý hai.Sản phẩm chính của Changxin Storage bao gồm bộ nhớ DDR5, trong vài tháng qua giá đã tăng. Báo cáo cho biết, tình trạng này xuất hiện trong ngành công nghiệp chip lưu trữ do các nhà cung cấp Hàn Quốc, Mỹ và Nhật Bản dẫn dắt.

SK Hynix ngày 9 cho biết, thế hệ bộ nhớ tiếp theo 3D DRAM có thể phát triển bằng quy trình gia công. Ngày trước đó, công ty đã tổ chức Diễn đàn Tương lai SK Hynix 2026 tại trung tâm Supex ở khu công nghiệp Lợi Xuyên, phó chủ tịch Kim Kyoung-hoon và Sun Ho-young đã đề xuất các hướng công nghệ chính của 3D DRAM, bao gồm việc sử dụng quy trình gia công logic cho mạch ngoại vi DRAM, tối đa hóa băng thông bus dữ liệu, và truyền tải khoảng cách siêu ngắn.3D DRAM là thế hệ DRAM tiếp theo, trong đó các đơn vị lưu trữ được xếp chồng theo chiều dọc để tăng cường độ tích hợp. Hai người cho biết, để hiện thực hóa công nghệ này, ngoài vấn đề thiết kế và nhiệt độ, còn cần giải quyết các vấn đề khó khăn trong lĩnh vực đóng gói như liên kết vi mô, gắn kết, và tích hợp quy trình. Khi ranh giới giữa đóng gói trước và sau, gia công và công nghệ bộ nhớ ngày càng gần lại, việc tối ưu hóa chung vượt ra ngoài các lĩnh vực hiện có sẽ trở nên quan trọng hơn. Sun Ho-young cho biết, công nghệ 3D đang thay đổi ranh giới kỹ thuật giữa nhà máy wafer và đóng gói, cần kết hợp với đổi mới công nghệ đóng gói tiên tiến để xây dựng hệ thống tối ưu hóa và hợp tác mới vượt ra ngoài các lĩnh vực hiện có.Giáo sư Shin Chang-hwan từ Đại học Cao Ly phát biểu cùng chủ đề cho biết, 3D DRAM không chỉ là việc xếp chồng chip theo chiều dọc, mà còn là công nghệ phá vỡ ranh giới giữa bộ nhớ và logic; khi sự thu nhỏ của thiết bị gần đạt giới hạn, việc di chuyển dữ liệu giữa hệ thống và bộ nhớ dẫn đến tăng thời gian và tiêu thụ năng lượng, việc chuyển sang công nghệ 3D là điều không thể tránh khỏi, và đề xuất một khung thiết kế tích hợp 3D liên kết bốn lĩnh vực vật liệu, thiết bị, đóng gói và kiến trúc bằng trí tuệ nhân tạo. Chủ tịch SK Hynix Guo Lu trong bài phát biểu của mình cho biết, trước đây thị trường bộ nhớ giống như một con đường thẳng xem ai chạy nhanh hơn, giờ đây giống như một khúc cua luôn thay đổi, ngoài khả năng nội bộ, việc nắm bắt tốc độ và hướng thay đổi của môi trường bên ngoài và thích ứng linh hoạt cũng rất quan trọng.

Công ty Công nghệ Trường Tân tổ chức buổi họp giải thích kết quả nửa năm 2026. Có nhà đầu tư hỏi về tình hình giá DRAM quý ba của Công ty Công nghệ Trường Tân, Phó Chủ tịch cao cấp, người phụ trách tài chính Hoàng Đan Dương cho rằng, nhìn về nửa cuối năm 2026, tình hình cung cấp sản phẩm DRAM toàn cầu sẽ tiếp tục khan hiếm.

Công ty chứng khoán Hàn Quốc KB Securities cảnh báo rằng tồn kho bán dẫn lưu trữ của Samsung Electronics và SK Hynix đã giảm xuống dưới 10 ngày cung cấp, và nguồn cung có sẵn vào năm tới sẽ rõ ràng không đủ. Cơ quan này đã báo cáo vào thứ Hai rằng đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo đang mở rộng với tốc độ chưa từng có, thị trường chip lưu trữ đang đối mặt với tình trạng thiếu hụt nghiêm trọng. Yếu tố chính là việc chuyển đổi sang HBM4, cần khoảng ba lần wafer so với DRAM truyền thống, và công suất wafer hạn chế sẽ giảm khả năng cung cấp DRAM truyền thống.KB Securities dự đoán rằng nhu cầu DRAM và NAND vào năm tới sẽ vượt quá cung cấp hơn 10%. Giám đốc nghiên cứu Kim Dong-won cho biết, máy chủ trí tuệ nhân tạo sẽ tiêu thụ HBM, DDR5 máy chủ và ổ cứng thể rắn cấp doanh nghiệp, có thể dẫn đến tình trạng thiếu hụt lịch sử. Các nhà điều hành trung tâm dữ liệu siêu lớn toàn cầu đã điều chỉnh dự báo đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo lên 1,3 nghìn tỷ USD vào năm tới, tăng 60% so với năm trước. Cơ quan này dự đoán rằng vào năm tới, bán dẫn lưu trữ sẽ chiếm 57% tổng đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo, cao hơn so với 14% của năm trước, TrendForce dự đoán tỷ lệ này có thể lên tới 68%. Giá cổ phiếu của Samsung Electronics đã giảm gần 28% so với mức cao nhất, trong khi SK Hynix giảm gần 40%.

Công ty Long Xin Technology tổ chức hội nghị giải thích kết quả nửa năm 2026. Giám đốc độc lập của công ty, Trần Vũ Triều, trong khi trả lời câu hỏi của nhà đầu tư cho biết, trong nửa đầu năm 2026, tình hình thị trường sản phẩm DRAM toàn cầu được cải thiện, giá cả tăng lên.Hiện tại, công ty vẫn đang trong giai đoạn đầu tư quan trọng cho việc mở rộng công suất và nâng cấp công nghệ, cần phải dần dần tạo ra lợi nhuận cho cổ đông trong khi đảm bảo chi tiêu vốn cần thiết. Khi khả năng sinh lời tiếp tục được cải thiện, công ty sẽ tiến hành xác minh kế hoạch chia cổ tức theo đúng quy định pháp luật.

Theo nghiên cứu mới nhất của TrendForce về ngành công nghiệp bộ nhớ, vào quý 2 năm 2026, giá hợp đồng của DRAM thông thường (Conventional DRAM) tăng mạnh, đẩy doanh thu toàn ngành DRAM tăng 59,5% theo quý, gần 154,73 tỷ USD.Với việc đào tạo mô hình LLM và nhu cầu máy chủ AI do AI suy diễn thúc đẩy, HBM3e, LPDDR5X và RDIMM dung lượng cao đồng thời tăng trưởng về lượng xuất xưởng, ứng dụng AI Agentic đã thúc đẩy việc tiêu thụ RDIMM ở các thông số dung lượng khác nhau. Về phía cung, tồn kho của nhà sản xuất đang ở mức thấp nhất, và nguồn cung mới ưu tiên đáp ứng nhu cầu ứng dụng máy chủ, lượng xuất xưởng DRAM tổng thể trong quý 2 tăng nhẹ.