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ChainCatcher 消息，据韩国《朝鲜日报》报道，韩国 DRAM 出口价格持续飙升，AI 驱动的 HBM 生产正在挤压普通内存供应。数据显示，本月 1 日至 20 日，韩国 DRAM 出口单价达到每公斤 9.2183 万美元，同比上涨 401%，较 2023 年 1 月低点上涨约 12.5 倍。高盛预计 DRAM 供应缺口将从今年的 5.0% 扩大至明年的 5.9%，并认为 AI 服务器所需的 HBM 以及大容量服务器 DRAM 正在吸收有限的生产产能，导致普通 DRAM 供应进一步收紧，供应短缺可能持续至 2028 年。TrendForce 预计，到明年底，三星、SK 海力士和美光用于 HBM 生产的晶圆投入量将占 DRAM 总晶圆投入的 30%，但 HBM 占实际 DRAM 比特供应量仅约 13%。内存厂商警告，AI 需求推动的 DRAM 和 NAND 供应紧张可能持续至 2027 年以后。SK 海力士表示，从供应端来看 2027 年可能成为内存行业历史上最严重的短缺年份。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 报道，长鑫存储与长江存储持续扩张，近期苹果积极寻求导入两家中系记忆体供应链，外界关注其打入苹果供应体系。业界透露，两家厂商实则借苹果证明中国 DRAM 及 NAND Flash 品质已达国际水准，檯面下则透过第三方组装，辗转外销北美新云端（neocloud）业者，扩大云端与企业级市占。长鑫存储母公司长鑫科技已完成人民币 295 亿元募资，长江存储拟 IPO 募资约 330 亿元，用于量产线升级与研发。长江存储 2024 年已转盈，2026 年第一季归母净利达 333.79 亿元；其三期新厂将提前至 2026 年第四季投产，总产能每月 10 万片，其中约 20% 试产 LPDDR，成为其首个 DRAM 据点。供应链称，两家最快有望在 2027 年底至 2028 年将中国本土记忆体自给率提升至 50% 以上。长江存储以 NAND 销往第三方模组厂并组装为企业级 SSD 出货，规避产地敏感；长鑫存储已导入美、加等地中小型云端业者认证。美国民间企业原则上可向两家采购，实体清单主要限制其获取美国技术，并未全面禁止民间采购。云端业者亦透过租用算力或第三方持有资产等方式降低合规风险。业界认为，苹果对产业供需影响力下降，两家并无意大量供货苹果或削价竞争，扩产仍难短期满足苹果在中国市场需求。

ChainCatcher 消息，分析指出，中国主要 DRAM 厂商 CXMT 月度晶圆产出已在 2025 年末触及约 24 万片峰值，并预计 2026 年维持持平。受美国对先进半导体设备尤其是 EUV 光刻机出口管制收紧影响，其扩产能力受限，实质性扩产最早要到 2027 年，且取决于本土设备供应链进展。高盛数据显示，CXMT 对国内 DRAM 需求覆盖率 2026 年仅约 41%，2028 年约 50%，呈现多年结构性瓶颈。TrendForce 数据显示，传统 DRAM 合约价 2026 年一季度环比大涨 90%-95%，二季度再涨 58%-63%，Jefferies 预计三、四季度仍将分别上涨 40%-50% 与 30%-40%。服务器 DRAM 涨幅更陡，三星与 SK 海力士向微软、谷歌等客户提出一季度 60%-70% 涨价。S&P Global 预计三星传统 DRAM 每比特收入 2026 年同比升 116% 至 0.79 美元，美光 ASP 升 54% 至 1.06 美元；Bernstein 预计 SK 海力士 DRAM 毛利率 2026 年四季度可达 92.7%。多方预测认为有效供应缓解最早要到 2027 年末甚至 2028 年。

ChainCatcher 消息，高盛 8 月 23 日研报指出，将 2026 至 2028 年晶圆前端设备（WFE）预测上调至 1500 亿、2180 亿和 2810 亿美元，较此前预测分别高出 6%、17% 和 35%。调整后三年同比增速为 36%、45% 和 29%，此前预期为 28%、32% 和 12%。高盛认为，DRAM 和先进制程代工是短期主要驱动力。DRAM 领域，三星和 SK 海力士资本开支预测分别上调 22% 和 19%，HBM4 量产拉动刻蚀、沉积等设备需求；代工领域，台积电每年资本开支上修 80 亿美元，N2 制程进入量产爬坡阶段。NAND 和逻辑/其他（含 Terafab）将在中期接力，SpaceX 与特斯拉承诺的约 168 亿美元 Terafab 初始阶段设备投入已纳入 WFE 预测。高盛看多全球半导体设备股，重点推荐应用材料、泛林半导体、ASML、东京电子、ASMI、BESI、Lasertec 和荏原。

ChainCatcher 消息，8 月 21 日，3D 存算一体芯片企业谦合益邦宣布，其自研的全球首款 4 层 3D DRAM 堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志该技术从验证迈入工程落地阶段。该芯片采用三维集成原生计算架构，数据访存带宽较传统方案提升一个数量级，访存功耗、延时及单次数据处理成本均下降一个数量级。谦合益邦成立于 2024 年 1 月，由网易孵化，近期完成超 20 亿元 B 轮融资。

ChainCatcher 消息，据工商时报报道，在 AI 带动存储器及先进封装需求长期成长下，华邦电提前启动高雄路竹厂扩产规划，将原定二、三期整并为 Module B 同步开发，预计 2027 年动工兴建无尘室，最快 2029 年初开始装机，并依客户需求预测及 LTA 分阶段导入设备。目前已有客户提前洽谈 2029 年、2030 年产能。法人指出，华邦电第三季利基型 DRAM 与 SLC NAND 供不应求，价格季涨幅估约 50%；NOR Flash 受惠云端服务供应商大客户备货，价格季涨幅估约 30%。第四季存储器价格涨幅估收敛至 2% 至 5%，但受惠 DRAM 产能增加及出货量成长，营收及获利仍可维持季增。华邦电第二季合并营收 598.43 亿元，季增 56.4%、年增 184.7%，DRAM 价格季增约 100%、Flash 上涨约 43%，合并毛利率升至 66.2%，每股税后纯益 5.40 元。Module B 产品规划涵盖 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及硅电容（Si-Cap），将支持 14 纳米及未来 12 纳米 DRAM 制程，后续亦规划导入 EUV 设备。

ChainCatcher 消息，据《华尔街日报》报道，苹果正在测试中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT） 的内存芯片，计划应用于iPhone和MacBook等产品线。此举背景是AI需求推高全球内存价格，苹果曾向美方游说称当前来自韩系及美系供应商的定价“不可持续”。报道称，苹果正寻求白宫批准与中国芯片供应商开展业务，目前美国允许采购商用现货芯片但限制定制化产品。 长鑫存储近期市场份额快速扩大，第二季度营收同比增长超8倍，全球DRAM市占率升至7%，并于上月完成科创板IPO。与此同时，惠普、宏碁等PC厂商已开始在非美国市场销售的部分设备中使用长鑫存储内存芯片，以缓解供应压力。苹果若最终达成采购协议，可能面临华盛顿方面的政治阻力。

ChainCatcher 消息，美光科技在 FMS 2026 会议上向德意志银行表示，AI正重塑内存产业格局，内存占系统总价值比例已从三十年前约 10% 升至目前近 50%，且这一趋势仍在加速。当前 DRAM 与 NAND 均处于供不应求状态，由于内存升级需物理拆卸系统，AI系统中内存需求刚性更强，价格弹性低于市场预期。战略客户协议（SCA）预计覆盖约 40% 的销量，为双方提供价格稳定机制。 美光管理层将 CPU 端 AI Agent 需求描述为“季前热身”，视为 GPU 生态之外的新增量支柱。对于 SRAM 等新兴技术，美光认为其可扩展性有限，无法挑战 HBM 的核心地位，目前仅约 5% 的系统运行此类特定负载。德意志银行维持“买入”评级，认为美光具备“增长而不牺牲利润”的独特优势。FMS 期间，Sandisk 与 SK 海力士联合发布了首个 HBF 技术规范，但美光认为其实际价值与商业化前景仍存争议。

ChainCatcher 消息，据韩国《数字日报》报道，苹果近期为降低下一代iPhone及智能设备成本，与长鑫存储（CXMT）就LPDDR5X等移动DRAM供应价格进行谈判，但遭到对方拒绝。长鑫存储坚持维持与三星电子、SK海力士相当甚至更高的报价水平，打破了苹果作为终端厂商惯有的议价优势。 报道分析称，华为、小米等中国终端企业已通过长期高价合同提前锁定长鑫存储的大量产能，中国内需市场为其提供了坚实的价格防线。与此同时，三星电子和SK海力士因HBM产能持续扩张挤占通用DRAM供给，叠加长鑫存储守住价格下限，韩国厂商在通用DRAM领域的出货压力与价格下行风险大幅缓解，得以将资源集中于HBM4、LPCAMM2及eSSD等高附加值AI存储产品。行业人士预计，下半年韩国半导体阵营的营业利润率及全球市场定价权将进一步增强。

ChainCatcher 消息，据 TrendForce 最新研究，DRAM 供应紧张态势预计将持续至 2027 年，叠加 HBM4e 验证时程的不确定性，正促使 AI 芯片厂商考虑下调下一代产品的 HBM 配置。自 2026 年第三季度起，英伟达已开始评估 Rubin Ultra 的 HBM 方案，从原定的 12- Hi HBM4e 扩展至 8- Hi HBM4e 、12- Hi HBM4 及 8- Hi HBM4 等备选方案，最终规格尚未确定。此前，由于 LPDDR5X 供应瓶颈预计持续至2027年，英伟达已决定将下一代 Vera Rubin Superchip 模块的 SOCAMM 容量减半。 TrendForce 指出，Rubin Ultra 从12- Hi HBM4e 降级的主要原因包括： 2027 年整体DRAM短缺将限制晶圆产能向 HBM 的分配，以及 12- Hi HBM4e 的量产时程与良率爬坡仍存不确定性。预计 2027 年 HBM bit 出货量同比增幅约 50-60%，仍将无法满足需求增长。HBM供应商将在 2027 年全年维持定价权，HBM价格预计将大幅上涨。最终配置将取决于内存供应商的晶圆分配决策。

ChainCatcher 消息，据 Counterpoint Research 数据，2026 年第二季度全球DRAM市场三星电子以 39% 市场份额重回榜首，较去年同期显著回升； SK 海力士份额从去年同期的 39% 降至 26%，尽管营收同比增长 214%；美光以 25% 份额紧随其后，与SK海力士差距仅 1 个百分点。Counterpoint指出，三星在通用DRAM需求增长和HBM领域份额扩大的双重驱动下实现反弹。 通用 DRAM 价格环比大幅上涨，而 HBM 均价受 HBM3E 价格下降及 HBM4 延迟出货影响同比下滑。长鑫存储营收同比增长 716%，受益于强劲的国内通用DRAM需求及产能扩张；南亚科技同比增长 690%，受益于 DDR/LPDDR4/5 供应扩大。Counterpoint 预测，随着 NVIDIA Vera Rubin 和 AMD Instinct MI455X 出货，下半年HBM4出货量将显著提升，产品组合改善有望支撑 HBM 价格反弹。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，长鑫存储正考虑在北京亦庄建设第二座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，并与北京经济技术开发区及多家国有科技企业洽谈融资。公司正寻求至少 6,000 万元人民币（约 890 万美元）支持，但谈判仍处早期阶段，融资规模与结构可能调整。 拟建工厂将位于长鑫存储现有北京 DRAM 晶圆厂所在地。项目规划产能和总投资尚未确定，而建设一座可生产先进 DRAM 的晶圆厂通常需要超过 100 亿美元。目前，长鑫存储在合肥运营两座、北京运营一座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，每座月产能约 10 万片。长鑫存储还在上海和合肥建设新工厂，相关项目全面投产后，公司月产能可能翻倍至超过 60 万片。 此次扩产正值 AI 基础设施、数据中心及消费电子需求推动存储芯片进入上行周期。公司上月完成 86 亿美元 IPO，为中国内地规模最大的半导体企业上市融资，上市后股价已上涨 13%。长鑫存储目前是全球第四大 DRAM 制造商，但三星电子、SK 海力士和美光第一季度合计仍占据接近 90% 的全球市场份额。北京和上海也在向长鑫存储提供资金及其他支持，以争取其扩张带来的经济和战略收益。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 报道，业界人士透露三大内存原厂已提前完成2027年全年产能分配谈判，DRAM 与 HBM 产能均告售罄。NAND Flash 方面，虽不如 DRAM 紧张，但预计 2026 年 8 月底前产能也将被预订完毕。威刚董事长陈立白证实，HBM 与 AI 服务器相关应用将占 DRAM 产能近七成，PC及手机用DRAM供给将相对有限。 业界评估，三星、美光、SanDisk 的 2027 年全年 NAND 产能也已预售一空，铠侠与SK海力士预计在8月底前确认。SK集团会长崔泰源此前表示，2027年AI半导体需求较2026年有望大增 60-100%，存储需求增幅估达 50-60%，供需缺口恐持续扩大，可能面临“史上最严重短缺”。业内人士指出，产能分配模式相较2026年更有秩序，但原厂能提供的额度通常只有客户需求的 60-70%，部分中小买家仍面临无货可买的困境。存储器价格涨幅2027年或趋缓，但居高不下恐成常态。

ChainCatcher 消息，据币安现货数据显示，市场出现大幅波动。KAITO 24 小时跌幅达 13.11%，并触及今日新低。同时，DRAMB、ZEC 和 ZEN 均触及24H最高价，涨幅分别为 5.51%、5.44% 和 5.46%。COTI 则出现探底回升，涨幅为 8.03%。其余代币中，0G 触及本周新低，跌幅为 19.78%；DODO 和 PORTAL 均出现“冲高回落”状态，跌幅分别为 7.29% 和 5.77%。NIL 也出现“冲高回落”状态，跌幅为 10.74%。

ChainCatcher 消息，美国 ETF 管理机构 Roundhill 本周对 DRAM 主题基金进行重大调仓，除此前报道的将 CXMT（长鑫科技）纳入持仓，权重 2.52% 之外，还对三星电子进行减持。 Roundhill DRAM 主题基金周一至周三每日减持约 100 万股三星电子，三日合计出售 300 万股，约 4.32 亿美元。 Roundhill DRAM 主题基金前三大持仓目前分别为三星电子、美光科技和 SK 海力士，权重分别为 26.39%、24.54% 和 22.77%。其他主要持仓包括希捷科技、西部数据、闪迪、铠侠、南亚科技及兆易创新。

ChainCatcher 消息，Roundhill Memory ETF（DRAM）已将 CXMT（长鑫科技）纳入持仓，权重 2.52%。 DRAM ETF 专注于内存芯片企业，截至 8 月 2 日，该 ETF 前三大持仓分别为三星电子、美光科技和 SK 海力士，权重分别为 26.39%、24.54% 和 22.77%。其他主要持仓包括希捷科技、西部数据、闪迪、铠侠、南亚科技及兆易创新。

ChainCatcher 消息，据链上分析师 Onchain Lens 监测，一名在 Hyperliquid 平台累计盈利约 646 万美元 的交易员，在存入 150 万枚 USDC 后，建立了总规模约 814 万美元 的空头仓位。其主要空头头寸包括：SPCX 约 237 万美元、DRAM 约 130 万美元、MU 约 111 万美元，杠杆均为 2 倍。此外，该交易员还在多个资产上配置了额外空头仓位。