hbm

Theo báo chí Hàn Quốc, Samsung Electronics đã ký thỏa thuận dài hạn về cung cấp bộ nhớ cho năm tới, với tỷ lệ bao phủ khoảng 75% đến 80%, trong đó bao gồm bộ nhớ băng thông cao. Báo cáo cho biết, Samsung Electronics đã hoàn tất phần lớn hợp đồng với các công ty công nghệ lớn như NVIDIA, Google, Microsoft.SK Hynix và Micron cũng đang tăng tốc để xác định lượng cung cấp và đã ký một loạt hợp đồng dài hạn quy mô lớn với các khách hàng chính. Samsung Electro-Mechanics được cho là gần ký thỏa thuận dài hạn trị giá 700 tỷ won Hàn Quốc với công ty điện tử Delta của Đài Loan để cung cấp tụ điện gốm đa lớp.

Theo báo cáo từ Reuters được Nikkei Asia trích dẫn, công đoàn đại diện cho nhân viên nhà máy Đài Loan của Micron Technology cho biết, vào thứ Tư đã nhận được quyền đình công từ các thành viên, với điểm tranh cãi là kế hoạch thưởng của công ty. Công đoàn cho biết, 1.994 thành viên đã bỏ phiếu ủng hộ đình công, chiếm 99% số người bỏ phiếu, thời gian đình công và các chi tiết khác vẫn đang được thảo luận. Micron có khoảng 15.000 nhân viên tại Đài Loan, Taoyuan và Taichung đều có công đoàn độc lập, hai công đoàn này đại diện cho hơn 80% nhân viên của Micron tại Đài Loan, nơi đây là cơ sở sản xuất lớn nhất của công ty.Đài Loan là nơi sản xuất quan trọng của Micron cho DRAM và bộ nhớ băng thông cao, các chip liên quan là thành phần quan trọng của máy chủ AI. Cuộc hòa giải với công đoàn Taoyuan đã không đạt được thỏa thuận vào tháng 9, trong khi công đoàn Taichung vẫn đang đàm phán. Micron đã thông báo vào tháng 9 rằng sẽ phát thưởng cho hơn 60.000 nhân viên toàn cầu trong năm tài chính 2026, cho biết công ty đã trải qua "một năm phi thường", trong đó nhân viên Đài Loan nhận được 1 triệu Đài tệ tiền thưởng, tương đương khoảng 31.400 USD. Công đoàn Taoyuan cho biết, kế hoạch này không đáp ứng yêu cầu thiết lập cơ chế chia sẻ lợi nhuận vĩnh viễn và chỉ trích Micron đã công bố thưởng mà không đạt được thỏa thuận với công đoàn trong thời gian hòa giải.

Chủ tịch và Giám đốc điều hành của AMD, Su Zifeng, đã đến tòa nhà văn phòng Samsung Electronics ở Seoul vào khoảng 4 giờ 44 phút chiều ngày 7 tháng 10, gặp gỡ Phó Chủ tịch Toàn Vĩnh Huyền, người đứng đầu bộ phận giải pháp thiết bị, cách lần thăm Hàn Quốc trước đó khoảng 7 tháng. Jack Huynh, người đứng đầu nhóm tính toán và đồ họa của AMD, và Phó Chủ tịch Joseph Macri đã đi cùng. Su Zifeng cho biết, hai bên sẽ thảo luận về mối quan hệ đối tác rộng hơn và cho biết Samsung có nhiều đối tác hợp tác; khi được hỏi liệu có gặp Lee Jae-yong hay không, cô cho biết không tiện tiết lộ.Trước khi thăm Samsung, Su Zifeng đã tham dự Ngày game thủ AMD tại Seoul, gọi Samsung và SK Hynix là những đối tác cung cấp cốt lõi, và cho biết đang lên kế hoạch cho chuỗi cung ứng dài hạn do nhu cầu trí tuệ nhân tạo gia tăng. Cô cho biết, thế hệ MI455 mới và hệ thống Helios đã bắt đầu được giao hàng và đều sử dụng HBM4, nhận được sự hỗ trợ từ hai công ty, hợp tác HBM sẽ không dừng lại ở thế hệ đầu tiên. Theo báo cáo, Instinct MI455X được trang bị 432GB HBM4, tăng 50% so với thế hệ trước MI355X với 288GB HBM3E. Cô cho biết nguồn cung bộ nhớ rất căng thẳng, đang làm việc với khách hàng để tối ưu hóa lượng sử dụng và yêu cầu các đối tác mở rộng sản xuất. TrendForce đã dự đoán vào ngày 29 tháng trước rằng, HBM và DRAM thông thường chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, tình trạng cung cấp căng thẳng có thể kéo dài đến năm sau.Theo báo cáo, hai bên đã ký một biên bản ghi nhớ vào tháng 3 năm nay tập trung vào việc cung cấp HBM4 và DDR5 thế hệ tiếp theo, xác định Samsung là nhà cung cấp chính HBM4 cho MI455X, và thảo luận về việc Samsung gia công sản xuất sản phẩm thế hệ tiếp theo của AMD. Toàn Vĩnh Huyền khi đó cho biết, Samsung có thể cung cấp đồng thời bộ nhớ, gia công và đóng gói.

Theo báo cáo của nhật báo kinh tế Hàn Quốc, sản phẩm bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo "12 lớp HBM4E" của Samsung Electronics đã vượt qua kiểm tra chất lượng của NVIDIA và các nhà điều hành trung tâm dữ liệu quy mô lớn chính.

Theo báo cáo của truyền thông vào ngày 29 tháng 9, Phó Chủ tịch điều hành của Samsung Electronics, Kim Taewoo cho biết: Dự kiến vào năm tới, HBM sẽ chiếm gần 30% tổng công suất wafer của các nhà sản xuất DRAM, hiện tại tỷ lệ này khoảng 20%. Ông cho biết, HBM và DRAM truyền thống đang cạnh tranh cho cùng một công suất wafer, việc mở rộng sản xuất HBM có thể sẽ gây áp lực lên nguồn cung DRAM truyền thống.TrendForce trước đó đã dự đoán, đến cuối năm 2027, ba nhà cung cấp HBM lớn nhất toàn cầu sẽ đầu tư vào wafer HBM khoảng 30% tổng đầu tư wafer DRAM, nhưng tính theo dung lượng lưu trữ chỉ có thể đóng góp khoảng 13% tổng nguồn cung DRAM. Ngoài ra, theo báo cáo của truyền thông vào ngày 20 tháng 9, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng bao gồm Nvidia; ngành công nghiệp dự đoán lượng wafer HBM trung bình hàng tháng của Samsung sẽ tăng từ khoảng 180.000 wafer năm nay lên khoảng 250.000 wafer vào năm tới.TrendForce cũng cho biết vào cùng ngày, nhu cầu máy chủ AI vẫn tiếp tục, HBM và DRAM thông dụng sẽ vẫn chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, nguồn cung lưu trữ vào năm 2027 sẽ duy trì tình trạng căng thẳng, và đã điều chỉnh dự báo giá HBM năm 2027, dự kiến giá bán trung bình hỗn hợp sẽ tăng 121% so với năm trước. Do nguồn cung hạn chế và chi phí hệ thống tăng, HBM 8 lớp dự kiến sẽ trở thành giải pháp ưu tiên được nhiều nhà sản xuất đánh giá vào năm 2027, với giá bán mỗi Gb sẽ cao hơn khoảng 10% đến 20% so với sản phẩm 12 lớp.

Giám đốc điều hành của NVIDIA, Huang Renxun, sẽ gặp lại Chủ tịch Samsung Electronics, Lee Jae-yong, và Chủ tịch Tập đoàn SK, Choi Tae-won, vào lúc 6 giờ chiều ngày 28 tháng 9 theo giờ địa phương tại New York, cách khoảng hai tháng kể từ cuộc gặp của ba người vào tháng 7 tại San Francisco. Theo nguồn tin từ giới kinh doanh vào ngày 27, Lee Jae-yong và Choi Tae-won dự kiến sẽ tham dự bữa tiệc tối thường niên của Hiệp hội Hàn Quốc được tổ chức tại New York, trong khi Huang Renxun sẽ tham dự với tư cách là người nhận giải thưởng Van Fleet năm nay, Samsung Electronics đang thúc đẩy hợp tác liên quan với NVIDIA.Các vấn đề được ngành công nghiệp quan tâm bao gồm bộ nhớ băng thông cao. Có thông tin cho rằng, Phó Chủ tịch Bộ phận Giải pháp Thiết bị của Samsung Electronics, Quan Vĩnh Huyền, đã gặp gỡ Huang Renxun trong chuyến thăm Hàn Quốc vào tháng 6, hai bên đã thảo luận về hợp tác lâu dài cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo như HBM4E, HBM5. Cuộc gặp ở New York cũng có thể liên quan đến dịch vụ gia công wafer và đóng gói tiên tiến, trong cuộc thảo luận tháng 6 cũng đã đề cập đến hợp tác gia công wafer thế hệ tiếp theo.

Theo báo cáo của ZDNet Korea ngày 28 tháng 9, Samsung Electronics đang tăng tốc xây dựng dây chuyền sản xuất đầu tiên (Ph1) tại khu công nghiệp P5 ở Bình Châu, và đang thảo luận với các nhà cung cấp thiết bị chính về việc chuyển thiết bị Ph1 từ kế hoạch ban đầu vào quý 3 năm sau lên quý 2 năm sau. P5 là cơ sở sản xuất bán dẫn thế hệ tiếp theo với mục tiêu đi vào sản xuất vào năm 2028, và đã bắt đầu xây dựng phòng sạch Ph1 vào quý 3 năm nay.Samsung Electronics trước đó đã đẩy nhanh việc hoàn thành xây dựng phòng sạch P5 Ph1 từ đầu năm sau xuống khoảng 6 tháng, do đó việc đưa thiết bị vào dự kiến sẽ diễn ra vào khoảng quý 3 năm sau. Các chuyên gia trong ngành cho biết, thời gian bắt đầu chuyển thiết bị dự kiến sẽ được đẩy lên từ tháng 7 đến tháng 8 năm sau xuống khoảng tháng 5 đến tháng 6 năm sau; một số người khác cho biết, Samsung thậm chí đã đề xuất giao thiết bị vào quý 1 năm sau, lưu trữ tạm thời tại các địa điểm khác, cho thấy ý định đầu tư sớm của họ rất mạnh mẽ.Cuộc thảo luận về đầu tư giai đoạn thứ hai của P5 (Ph2) cũng đang được tiến hành. Hiện tại, Ph1 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất DRAM và HBM, trong khi Ph2 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất NAND tiên tiến bao gồm thế hệ thứ mười (V10). Các chuyên gia trong ngành thiết bị cho biết, đơn đặt hàng chính thức vẫn chưa được phát hành, nhưng Samsung đã thảo luận với các đối tác để xây dựng Ph2 thành dây chuyền sản xuất NAND, và do chu kỳ giao hàng thiết bị dài, yêu cầu chuẩn bị sẵn các linh kiện liên quan. Các báo cáo cho thấy, các công ty công nghệ lớn trên toàn cầu đang tăng cường đơn hàng DRAM và NAND hiệu suất cao cho cơ sở hạ tầng AI, trong khi năng lực sản xuất của các công ty lưu trữ như Samsung bị hạn chế. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả kinh doanh quý 2 vào tháng 7, Samsung đã cho biết rằng nhu cầu không được đáp ứng trong năm nay sẽ kéo dài đến năm sau, và tình trạng thiếu hụt cung sẽ nghiêm trọng hơn năm nay, và dự kiến tình trạng thiếu hụt sẽ kéo dài đến năm 2028.

Theo báo cáo từ ZDNet Korea, Samsung Electronics đã điều chỉnh chiến lược DRAM thế hệ tiếp theo, đưa B1b, trước đây được phát triển dưới dạng dự án, vào lộ trình chính thức và đặt tên là DRAM D0a đầu tiên dưới 10 nanomet. Trước đây, D0a chỉ đề cập đến DRAM transistor thẳng đứng, hiện sản phẩm này được phân loại riêng là D0a-V. Việc đổi tên này nhằm tăng tốc độ đưa công nghệ đóng gói tiên tiến vào DRAM thông dụng.B1b sẽ sản xuất các đơn vị lưu trữ và mạch điều khiển xung quanh trên các wafer khác nhau rồi sau đó kết nối lại, sử dụng phương pháp kết nối hỗn hợp wafer với wafer, kết nối trực tiếp qua đồng. Hiện tại, DRAM thương mại đã có là 1c, tức là thế hệ thứ 6 ở mức 10 nanomet, độ rộng khoảng 11 đến 12 nanomet; thế hệ tiếp theo 1d là thế hệ thứ 7 ở mức 10 nanomet, độ rộng khoảng 10 đến 11 nanomet, được coi là sản phẩm 10 nanomet cuối cùng về mặt thực tế, độ rộng liên quan thuộc về thuật ngữ tiếp thị chứ không phải kích thước vật lý thực tế. Transistor thẳng đứng có thể sắp xếp transistor bên trong đơn vị theo chiều dọc, giảm diện tích đơn vị từ 6F² xuống 4F², nhưng cần phải đối mặt với việc khắc tỉ lệ cao và dòng rò, độ khó phát triển cao hơn. Kết nối hỗn hợp wafer với wafer đã được ứng dụng sản xuất hàng loạt trong cảm biến hình ảnh CMOS và NAND xếp chồng cao.Samsung Electronics đang đánh giá việc sử dụng B1b cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ 8 HBM5. HBM5 dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2029, với mục tiêu tăng tốc độ hoạt động hơn 50% so với HBM4E. Ngành công nghiệp ước tính, DRAM D0a dựa trên B1b sẽ thương mại hóa nhanh nhất sau khoảng hai năm, lịch trình đầu tư sản xuất cụ thể có thể được xác định vào giữa năm sau.

Trong tập 166 của podcast BidClub, nhà thiết kế chip Bubble boi cho biết, bộ nhớ flash băng thông cao về mặt kỹ thuật có sức hấp dẫn, nhưng thiếu các trường hợp sử dụng trung tâm dữ liệu quyết định. Thông tin mà anh đưa ra là, khách hàng chính mà anh nghe nói là những khách hàng Trung Quốc khó có thể tiếp cận hoặc sản xuất HBM cao cấp.Bubble boi cho biết, HBF và độ trễ bộ nhớ flash AI cao cấp đều khoảng 5 micro giây, băng thông thấp hơn HBM, chi phí mỗi bit thấp hơn nhưng tổng chi phí có thể tương đương. Anh cho rằng khách hàng rõ ràng nhất là những người không thể tiếp cận HBM, điều này phù hợp với nhu cầu Trung Quốc mà anh nghe từ hai đến ba người, vì họ không thể sản xuất đầy đủ bộ tăng tốc, hoặc sẵn sàng chấp nhận sản phẩm không theo thông số kỹ thuật hàng đầu.

Theo báo cáo của Money Today vào ngày 21 tháng 9, Samsung Electronics đang thúc đẩy mở rộng năng lực sản xuất quy trình tiên tiến trong lĩnh vực gia công wafer do sự tăng trưởng của thị trường HBM, nhằm đáp ứng nhu cầu gia tăng đối với chip nền HBM4 đang được đánh giá để mở rộng quy trình 4 nanomet. HBM4 của Samsung bao gồm chip DRAM lõi thế hệ 6 (1c) ở mức 10 nanomet và chip nền logic 4 nanomet, chip nền chịu trách nhiệm trao đổi dữ liệu tốc độ cao với GPU và các bộ tăng tốc AI khác.Khác với SK Hynix sử dụng quy trình 12 nanomet của TSMC, Samsung sử dụng quy trình 4 nanomet tự sản xuất cho chip nền HBM4. Dây chuyền sản xuất này đã hoạt động hết công suất và nhận đơn hàng từ Nvidia Groq 3 LPU, công ty gần đây đã điều chỉnh tăng giá cho các đơn hàng mới 4 nanomet và chip nền HBM4. Samsung dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng hơn 3 lần so với quý trước, và tỷ lệ HBM4 trong doanh thu HBM nửa cuối năm sẽ cao hơn 60%. Việc mở rộng sản xuất P4 tại Pyeongtaek chủ yếu sẽ được sử dụng cho DRAM 1c cho HBM, hơn một nửa năng lực sản xuất 4 nanomet trong gia công wafer đã được phân bổ cho chip nền HBM4.HBM4E cũng sử dụng chip nền 4 nanomet, Samsung đã cung cấp mẫu cho khách hàng vào tháng 5. Công ty cũng đang đánh giá việc xây dựng dây chuyền sản xuất mới 2 nanomet cho HBM5, với mục tiêu sử dụng cấu trúc GAA quy trình 2 nanomet và tăng mật độ TSV, nhằm nâng cao tốc độ hoạt động hơn 50% so với HBM4E. Citigroup dự đoán nhu cầu HBM toàn cầu năm tới sẽ đạt 75,2 tỷ Gb, tăng 62% so với năm trước, cung cấp khoảng 59,4 tỷ Gb, thiếu hụt khoảng 21%.

Theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics dự kiến sẽ mở rộng sản lượng bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 và thế hệ thứ bảy HBM4E trong năm tới ít nhất gấp đôi so với năm nay. Công ty dự định tăng lượng kính nền cần thiết cho việc gia công DRAM HBM từ 20.000 tấm mỗi tháng năm nay lên 50.000 tấm mỗi tháng vào năm tới, tăng 2,5 lần so với năm nay. Nhu cầu hàng tháng cho kính nền này vào năm ngoái khoảng 10.000 tấm, năm nay đã gấp đôi so với năm ngoái.HBM4 và HBM4E mà Samsung Electronics tập trung mở rộng sản xuất chủ yếu là các sản phẩm có độ chồng chất cao từ 12 lớp trở lên. Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 sử dụng DRAM thế hệ thứ sáu 10nm (1c) và chip nền quy trình 4nm từ tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng như NVIDIA. Ngành công nghiệp dự đoán, tính theo lượng wafer trung bình hàng tháng, công suất HBM của Samsung Electronics sẽ tăng từ khoảng 180.000 tấm năm nay lên khoảng 250.000 tấm vào năm tới, tăng gần 40%; tỷ lệ xuất khẩu của dòng sản phẩm HBM4 có thể tăng từ khoảng 40% năm nay lên khoảng 80% vào năm tới.

Micron Technology sẽ công bố kết quả tài chính quý IV của năm tài chính vào ngày 30 tháng 9. Giám đốc tài chính của NVIDIA, Colette Kress, cho biết trong cuộc gọi hội nghị quý II vào ngày 26 tháng 8 rằng công ty đã thấy "điều kiện giá cả cực đoan đối với bộ nhớ", mức tăng giá đã vượt quá dự đoán trước đó và "sẽ tiếp tục tăng cao hơn vào năm tới". Áp lực giá cả đã được phản ánh trong tỷ suất lợi nhuận của NVIDIA, Kress dự đoán tỷ suất lợi nhuận gộp sẽ chạm đáy trong quý IV ở mức 71%-72%, sau đó sẽ phục hồi lên 72%-73% vào năm tài chính 2028.Kress cho biết tình trạng thiếu hụt bộ nhớ hiện tại chủ yếu được thúc đẩy bởi chính việc xây dựng AI. SK Hynix dự đoán thị trường bộ nhớ sẽ sớm đạt được sự cân bằng cung cầu vào năm 2030 và đã đầu tư khoảng 38,3 tỷ USD để mở rộng hai cơ sở trong nước ở Hàn Quốc đến năm 2031. SK Hynix nắm giữ khoảng 50% thị phần bộ nhớ băng thông cao, dẫn đầu so với 33% của Samsung và 18% của Micron.

Theo báo cáo của Reuters, các nguồn tin cho biết, SK Hynix của Hàn Quốc đang thương thảo với Intel về một thỏa thuận nhằm lần đầu tiên sản xuất chip lưu trữ tại Mỹ. Một trong những phương án khả thi là SK Hynix thuê một phần của cơ sở sản xuất chip mà Intel đã lên kế hoạch từ lâu ở bang Ohio; phương án khác là thành lập một liên doanh với Intel và các công ty dịch vụ đám mây lớn đang gấp rút tìm kiếm nguồn cung chip lưu trữ.Thỏa thuận này sẽ giảm bớt áp lực cho Intel và trở thành một chiến thắng lớn cho chính quyền Trump. Tuy nhiên, các nguồn tin cho biết, sự phản đối tiềm tàng từ phía Hàn Quốc có thể là một trở ngại lớn, vì những công nghệ này được coi là nhạy cảm. Một nguồn tin cho biết các cuộc đàm phán vẫn đang ở giai đoạn khám phá, nhấn mạnh rằng chưa có quyết định nào được đưa ra. Nếu đạt được thỏa thuận, SK Hynix vẫn chưa rõ sẽ sản xuất loại chip nào ở Ohio.Dòng sản phẩm của họ bao gồm DRAM cho máy chủ, PC và điện thoại thông minh, cũng như NAND flash cung cấp lưu trữ lâu dài, đồng thời cũng là nhà cung cấp hàng đầu về bộ nhớ băng thông cao (HBM) cho các bộ xử lý AI.

Các nhà phân tích của Citigroup chỉ ra rằng, các nhà sản xuất chip lưu trữ hàng đầu có khả năng hưởng lợi từ sự chuyển biến cấu trúc trong sự phát triển của trí tuệ nhân tạo. Cơ quan này dự đoán rằng, việc học liên tục sẽ thúc đẩy nhu cầu lưu trữ tăng trưởng đáng kể, dẫn đến tình trạng cung không đủ cầu sẽ tiếp tục kéo dài đến năm 2031. Việc học liên tục củng cố mô hình thông qua việc đào tạo trên các nhiệm vụ và kiến thức mới, sẽ tạo ra nhu cầu liên tục về việc cập nhật mô hình và truy cập dữ liệu trước đó, đồng thời thúc đẩy lượng lưu trữ cho các sản phẩm như HBM, DDR5 máy chủ và eSSD.Citigroup dự đoán rằng, nhu cầu bit HBM sẽ tăng 62% so với năm trước vào năm 2027, đạt 75,2 tỷ gigabit, và tăng 69% so với năm trước vào năm 2028, đạt 127 tỷ gigabit. Nhu cầu DRAM toàn cầu sẽ tăng lần lượt 30% và 35% so với năm trước vào năm 2027 và 2028, trong khi cung chỉ tăng lần lượt 19% và 22%, tỷ lệ cung cầu lần lượt là -8,7% và -9,7%. Về phía NAND, nhu cầu vào năm 2027 và 2028 sẽ tăng lần lượt 29% và 33%, vượt qua mức tăng cung 21% và 25%, tỷ lệ cung cầu lần lượt là -6,1% và -5,5%.Các mục tiêu lưu trữ mà Citigroup ưa thích bao gồm Samsung Electronics, SK Hynix, Micron, Sandisk và Kioxia, tương ứng với tình trạng thiếu hụt lưu trữ do việc học liên tục mang lại, nhu cầu HBM và DDR5 máy chủ, tình trạng cung không đủ cầu của DRAM, cũng như tình trạng cung cấp eSSD và NAND có mật độ cao ngày càng thắt chặt.

Theo báo cáo của Thời báo Công thương, với việc mở rộng sản xuất đồng bộ logic tiên tiến dưới 2 nanomet HBM, các tổ chức dự đoán rằng khoảng cách cung cầu toàn cầu về wafer silicon sẽ từ khoảng 8% vào cuối năm 2026, mở rộng lên 15% vào năm 2027 và 24% vào năm 2028, các công ty như GlobalWafers, Nanya Technology và TSMC có thể được hưởng lợi. Các tổ chức chỉ ra rằng giữa năm 2027 sẽ là một điểm chuyển giao quan trọng, nếu tốc độ mở rộng cung không theo kịp, có thể sẽ xuất hiện một đợt thiếu hàng và cướp hàng mới từ nửa cuối năm 2027 đến nửa đầu năm 2028.SEMI thống kê, diện tích xuất khẩu wafer silicon toàn cầu trong quý 2 năm 2026 đạt 3.573 triệu inch vuông, tăng 9,1% theo quý và 7,4% theo năm. Các tổ chức ước tính, công suất sản xuất wafer silicon 12 inch toàn cầu vào năm 2026 khoảng 10,69 triệu chiếc, tăng 7% so với năm trước, năm 2027 chỉ tăng khoảng 3% lên 11 triệu chiếc, năm 2028 tăng khoảng 6% lên 11,7 triệu đến 11,76 triệu chiếc, nguồn cung mới bao gồm khoảng 300.000 chiếc từ giai đoạn đầu thứ hai của GlobalWafers và khoảng 100.000 chiếc từ Nanya Technology.Các tổ chức dự đoán, lượng tiêu thụ wafer silicon HBM vào năm 2027 và 2028 lần lượt tăng 23% và 28%; công suất mới của DRAM thông thường sẽ được đưa vào hoạt động từ năm 2027, đến năm 2028 sẽ có thêm công suất sản xuất khoảng 350.000 đến 450.000 chiếc mỗi tháng. Về logic tiên tiến, lượng tiêu thụ wafer silicon cho quy trình logic vào năm 2027 và 2028 lần lượt tăng 12% và 11%. Hiện tại, tồn kho wafer silicon của khách hàng vẫn khoảng 100 đến 120 ngày, cần thời gian để tiêu hóa về mức bình thường 50 đến 70 ngày.

Theo báo cáo của Chosun Ilbo ngày 15 tháng 9, lợi nhuận hoạt động của Samsung Electronics và SK Hynix trong quý 3 đã được điều chỉnh tăng lần nữa trong vòng ba tháng. Tổng hợp từ các báo cáo của các công ty chứng khoán lớn và ngân hàng đầu tư nước ngoài, lợi nhuận hoạt động của Samsung Electronics trong quý 3 ước tính khoảng 114 triệu tỷ won, tăng 12.2836 triệu tỷ won (12%) so với 101.9052 triệu tỷ won cách đây ba tháng, và tăng 28% so với 89.4 triệu tỷ won của quý 2. SK Hynix ước tính trong quý 3 là 78.8035 triệu tỷ won, tăng 4% so với 75.7249 triệu tỷ won cách đây ba tháng, và tăng 30% so với 60.5426 triệu tỷ won của quý 2.TrendForce dự đoán giá giao dịch cố định DRAM chung trong quý 3 sẽ tăng từ 13% đến 18% so với quý trước, trong khi NAND flash tăng từ 10% đến 15%. Thị trường chứng khoán chú ý đến tỷ lệ doanh thu HBM4 của Samsung Electronics từ 5% trong quý 1 đã mở rộng lên khoảng 35% trong quý 2, và tỷ lệ sản xuất đã cải thiện. SK Hynix duy trì thị phần HBM hàng đầu, nhưng việc cải thiện sản xuất HBM4 của Samsung có thể làm giảm giá cung cấp của họ. Citigroup đã điều chỉnh dự báo lợi nhuận hoạt động quý 3 của SK Hynix từ 76.7 triệu tỷ won xuống 74 triệu tỷ won do đồng won mạnh lên. Micron sẽ công bố kết quả tài chính quý 4 năm tài chính 2026 (từ tháng 6 đến tháng 8) vào ngày 30, với hướng dẫn doanh thu từ 49 tỷ đến 51 tỷ USD.

KB Chứng khoán ngày 11 tháng 9 đã phát hành báo cáo chỉ ra rằng, thị phần HBM của Samsung Electronics dự kiến sẽ tăng từ 33% trong quý hai lên 40% trong quý bốn, chủ yếu nhờ vào doanh số HBM4 trong quý ba tăng hơn ba lần so với quý trước, và trong nửa cuối năm, HBM4 dự kiến sẽ chiếm hơn 60% tổng doanh thu HBM của họ.Samsung Electronics đã thiết lập sản xuất hàng loạt HBM4, cung cấp mẫu HBM4E cho các khách hàng chính, áp dụng kiến trúc HBM5 với chip lõi 1c và chip nền 2 nanomet, cũng như lộ trình cho thế hệ tiếp theo ZHBM. Về mảng gia công, tỷ lệ sản xuất 4 nanomet ổn định trên 80%, tỷ lệ sản xuất 2 nanomet GAA nhanh chóng tăng lên trên 70%. Nhà phân tích của KB Chứng khoán, Kim Dong-Won, cho biết, mảng gia công dự kiến sẽ có lãi từ quý ba, và tỷ lệ sản xuất 2 nanomet trong năm nay có thể giúp họ giành được đơn hàng từ các khách hàng lớn tại Mỹ.

Theo báo cáo độc quyền của Reuters vào ngày 10 tháng 9, các nhà sản xuất chip AI của Trung Quốc đã tăng giá mạnh do thiếu hụt bộ nhớ băng thông cao. Huawei đã điều chỉnh giá chỉ định của thẻ tăng tốc Ascend 950DT lên trên 250.000 nhân dân tệ, tăng 20% đến 50% so với mức giá hai tháng trước. Cambricon đã điều chỉnh giá chỉ định của chip 690 dự kiến tăng 20% đến 30%, Muxi và Tianxu Zhixin cũng có mức tăng giá tương tự.Báo cáo cho biết, nguyên nhân bao gồm các biện pháp kiểm soát xuất khẩu của Mỹ và nguồn cung bộ nhớ băng thông cao trên thị trường xám đã đẩy chi phí lên cao. Giá của các sản phẩm trước đây của Huawei như Ascend 950PR và 910C cũng đã tăng khoảng 30%. Mức tăng giá này đã làm tăng chi phí xây dựng sức mạnh tính toán AI của Trung Quốc. Huawei, Cambricon và các công ty khác chưa có bình luận.

Theo thông tin từ ngành, NVIDIA đang xem xét điều chỉnh giải pháp bộ nhớ băng thông cao cho bộ tăng tốc trí tuệ nhân tạo Rubin Ultra thế hệ tiếp theo từ 12 lớp xuống 8 lớp.Trong bối cảnh chi phí lưu trữ tăng cao, NVIDIA càng chú trọng đến chi phí băng thông đơn vị và tính kinh tế của toàn bộ hệ thống.