瑞銀：中國未來十年內難開發可媲美阿斯麥頂尖 EUV 光刻設備，DUV 量產或需兩至五年

ChainCatcher 消息，据彭博社報導，瑞銀集團分析師預計，未來十年內中國半導體製造能力可能難以取得足夠快的進展，從而開發出能夠真正替代阿斯麥尖端 EUV 光刻技術的方案。瑞銀分析師在報告中寫道，"他們目前所處的階段似乎與阿斯麥在 2004 年時相當"，從專利申請活動來看，尤其是在光源和激光子系統領域，中國當前技術成熟度大致相當於阿斯麥開始大規模生產 EUV 設備前 15 年的水平。

瑞銀同時預計，中國有望在未來兩到五年內具備浸沒式 DUV 光刻機的大規模量產能力。浸沒式 DUV 雖不如 EUV 先進，但仍是晶片製造不可或缺的設備。阿斯麥浸沒式 DUV 售價近 9000 萬美元，EUV 設備每台超 2 億美元。中國是阿斯麥最大市場之一，但受出口限制，阿斯麥被禁止向中國出售 EUV 設備。瑞銀指出，考慮到良率和產能差距及監管限制，中國光刻設備不太可能在境外得到應用。阿斯麥發言人對置評請求未作回應。該報導基於瑞銀分析師的預測觀點，實際進展以產業動態為準。