SK 海力士部分 HBM4 後道設備訂單或延至明年

ChainCatcher 消息，据 DealSite 報導，儲存晶片廠商 SK 海力士在擴大第六代高帶寬記憶體 HBM4 量產的同時，部分後道設備業內人士認為擴產速度慢於預期，今年計畫追加的部分設備訂單可能推遲至明年。

設備業人士稱，原定今年下半年交付的部分設備出現延後跡象，後續訂單計畫也尚未明確。有匿名人士表示，部分原計畫今年投入的設備或改至明年，已交付設備是否滿負荷運轉也尚無數據確認。明年 HBM4 相關投資計畫尚未具體傳達給部分合作方，今年訂單已大體完成，但未見明確的增減投資信號。報導稱，設備投資日程與產品品質問題之間的直接關聯尚未得到確認。

大信證券研究員柳亨根認為，主要客戶 HBM4 品質問題導致業績低於預期的擔憂過度，後道環節或曾出現部分問題，但難以視為無法解決的風險，也尚未到討論不良賠償的階段。另有業內說法稱，在通用記憶體價格上漲背景下，部分 HBM 投資或轉向通用記憶體。SK 海力士計畫優先向龍仁集群 Y1 晶圓廠首個潔淨室導入 DRAM 生產設備，業界預計初期產線採用第六代 10 奈米級 1c 工藝，新增產能將優先分配給通用 DRAM。也有觀點認為，僅憑部分後道設備日程變化，尚不足以判斷 HBM4 量產受阻，SK 海力士已向主要客戶供應 HBM4 16 層樣品。