三星は2030年に1ナノメートルプロセスでHigh-NA EUV技術を導入する計画です。

三星電子半導体研究所 Foundry 工芸開発チームの朴昌民は「2026 次世代光刻+パターン化学術大会」で、会社は1ナノ（A10）プロセスからHigh-NA EUV技術を適用する計画であり、2030年頃に量産を実現することを目指していると述べました。三星は現在、2ナノ以下のプロセスで依然として既存の0.33 NA EUVの多重パターン化方案を採用しており、2029年に1.4ナノの量産を計画し、その後1ナノへと進める予定です。

High-NA EUVはレンズの数値孔径（NA）を0.33から0.55に引き上げ、解像度が向上し、従来は多重パターン化が必要だった超微細プロセスを単回パターン化に簡素化することができ、製造コストの削減、生産効率の向上、設計の柔軟性に寄与します。しかし、この技術は難易度が高く、設備が高価であり、関連材料技術の同時アップグレードが必要です。朴昌民は1.4ナノおよび1ナノプロセスは依然として0.33 NA EUVの多重パターン化が主流であり、その後High-NAパターン化が新しい世代のプロセスの核心技術になると予測しています。