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LG電子は、サムスン電子にAI家電チップの委託生産を依頼し、TSMCへの依存から脱却します。CoAsia SEMIはLGのために2つのIoTチップを開発し、プロジェクトの総費用は310億ウォン（約1.51億元人民元）で、2026年7月から2030年12月までの期間で行われます。このプロジェクトは韓国政府の「K-On-Device AI半導体技術開発」計画に属し、計画の総予算は約8000億ウォンです。

韓国メディアの報道によると、サムスン電子はエヌビディア (NVDA.O) の要求に応じて、8層の第7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）の開発を進めており、当初の計画である12層、16層の案に比べてスタッキングの高さを大幅に低下させています。エヌビディアが提案した速度仕様は17-18Gbpsで、サムスンの初期HBM4Eの14.4Gbpsのサンプル速度より約20%高いとされています。この製品はNVHBMに使用されると報じられています。

SemiAnalysisは最新のポッドキャストを公開し、SKハイニックスとマイクロンが最高のHBM4速度を実現する上で常に課題に直面していることを指摘しました。特に、SKハイニックスは基盤チップを再設計しなければならず、その結果、HBM4のNVIDIA Rubinプラットフォームへの供給が遅れています。サムスンは現在、最も優れたHBM4技術を持っています。ブロードコムは伝統的にサムスンにHBM供給を大きく依存しています。サムスンはHBM3E世代でのパフォーマンスが不十分であり、これがブロードコムのASICにとって不利となりました。しかし、現在サムスンはHBM4で競合他社に対して優位に立っており、この同じサプライチェーン関係がハラペーニョにとっての利点となっています。

三星電子が今年初めて発売したパスポートタイプの折りたたみスマートフォン Galaxy Z Fold8 の表示ドライバーチップ DDI の供給が逼迫しています。Z Fold8 の需要は予想を超えており、三星は部品の注文を増やしていますが、この DDI は三星システム LSI 事業部が設計し、台湾のファウンドリ UMC が 22 ナノメートルプロセスで生産しています。UMC のこのプロセスの生産能力は限界に達しており、前倒しの生産スケジュールは難しい状況です。業界関係者によると、UMC の 22 ナノメートル生産ラインは他のチップも同時に生産しており、三星はスーパーエクスプレスサービスを要求しましたが、拒否されました。三星は本来来年の開発に割り当てられていた DDI の使用量を今年の量産に優先的に投入する計画です。通常の投片から製品完成までには約 4 ヶ月かかり、完成品は三星のディスプレイ OLED と接合された後に組み立てられます。三星は同時にヒンジと超薄型ガラス UTG の注文も増やしています。Z Flip8 の需要は予想よりも低めで、アップルは今年の下半期にパスポートタイプの折りたたみ製品を発売する計画です。

ソウル経済の報道によると、サムスン電子は、NVIDIAの要求に応じたHBM4E（第7世代）8層製品を開発しており、カスタム高帯域幅メモリNVHBMの供給の核心パートナーとしての地位を確保しようとしています。この製品は、当初計画されていた12層、16層よりもスタッキングの高さを低くし、NVIDIAが提案した速度仕様は17-18Gbpsで、サムスンの初期HBM4Eサンプルの速度（14.4Gbps）より約20%高く、NVIDIAが公開したNVLink最適化仕様のNVHBMに使用されます。8層を採用することで、従来のスタッキング層数を増やして容量を向上させるHBMとの競争ロジックとは逆に、後工程の難易度と歩留まりの圧力を低下させ、供給の拡大に寄与し、NVIDIAがメモリ不足を緩和する戦略と見なされています。NVHBMは、来年発売予定の次世代AI GPU「Rubin Ultra」からの適用が期待されており、このGPUはGPU間の接続規模を72から576に拡大し、より高速なHBMを搭載した数百のGPUが協調して全体の計算能力を向上させます。カスタムHBM市場において、サムスンはSKハイニックスやマイクロンに比べて競争力があり、NVHBMにはDRAMとロジックチップベースの基裸片設計生産能力が必要であり、サムスンは一体的に対応できます。業界関係者によると、サムスンはHBM4で業界最高水準の速度を検証しており、速度競争において優位性を発揮できるとされています。

韓国メディア Chosun Biz の報道によると、SK ハイニックスのNANDは旧工法の生産ラインの切り替えが遅れており、効率の差が縮まるのが難しい。2023年第二四半期までに、その176層製品の占有率は約50%のままであり、サムスンは236層を主力とした切り替えを完了している。Omdiaのデータによると、マイクロンの232層の占有率は53%、YMTCは68%に達している。NAND価格上昇周期において、先進工法の占有率が高い企業はコストと利益の改善がより良好である。SK ハイニックス（Solidigmを含む）のNAND収益シェアは、昨年第四四半期の21.4%から今年第一四半期の16.4%に減少し、YMTCは11.5%から16.2%に上昇した。SK ハイニックスは設備投資をDRAMとHBMに優先しており、NAND投資は3年連続で減少し、2023年の35億ドルから2025年には29億ドルに減少し、切り替えが遅れている。現在、古いNAND資産の減損を検討してコストを最適化することを考えている。

Counterpoint Research の最新データによると、Apple の iPhone 17 は 2026 年第2四半期において、世界で最も売れたスマートフォンであり、世界のスマートフォン総出荷量の 6% のシェアを占めています。iPhone 17 Pro Max と iPhone 17 Pro はそれぞれランキングの第2位と第3位に位置しています。Apple と Samsung は、世界で最も売れたスマートフォン TOP10 ランキングの中でそれぞれ 5 つの席を占めています。上位 10 機種は合計で世界のスマートフォン総販売台数の 26% を占めており、前年同期比で 2% 増加しています。基本モデルの iPhone 17 は今四半期で最も売れたスマートフォンであり、大幅なアップグレードにより Pro モデルとのギャップが縮まり、販売を支えています。Apple の株価は火曜日に 0.14% 下落し、時間外取引で 0.23% 下落しました。時価総額は一時 4.52 兆ドルと報告されています。Samsung Electronics に関しては、Galaxy S シリーズから 2 機種がトップ10 に入りました。Galaxy S26 Ultra は Samsung の今四半期で最も売れたモデルとなり、前世代よりも 5 位上昇しました。また、今四半期で最も売れた Android モデルでもあります。これは、超高級 Android デバイスが第2四半期に Android の販売をリードするのは初めてのことです。

投資家が人工知能取引への熱意を失い、規制当局が需要抑制策を強化する中、韓国の半導体メーカーに連動するレバレッジETFは今月、資金流出が10億ドルに近づいています。現在、サムスン電子を追跡するレバレッジ商品は8月に3.81億ドルの資金流出があり、SKハイニックスに関連する商品の資金流出は6.01億ドルで、これらの製品が5月末に発売されて以来、初めての月次資金流出となりました。特に7月、世界的なAI取引が売りに遭った際、韓国のKospi指数は歴史的な暴落を経験し、単月で22%の下落幅を記録しました。その後、韓国の規制当局は新しい投資家がこのような製品を購入するための最低保証金要件を引き上げ、投資家に対して5日間のシミュレーショントレードを要求しました。

分析によると、中国の主要なDRAMメーカーCXMTの月間ウェーハ生産量は2025年末に約24万枚のピークに達し、2026年には横ばいを維持すると予測されています。アメリカの先進半導体設備、特にEUV露光装置の輸出規制が厳しくなった影響で、その増産能力は制限されており、実質的な増産は早くても2027年まで待たなければならず、国内設備供給チェーンの進展に依存します。ゴールドマン・サックスのデータによると、CXMTの国内DRAM需要カバレッジ率は2026年には約41%、2028年には約50%にとどまり、長年の構造的ボトルネックを示しています。TrendForceのデータによると、従来のDRAM契約価格は2026年第1四半期に前四半期比で90%-95%急騰し、第2四半期にはさらに58%-63%上昇すると予測されています。Jefferiesは第3四半期と第4四半期もそれぞれ40%-50%および30%-40%の上昇を見込んでいます。サーバーDRAMの上昇幅はさらに急で、サムスンとSKハイニックスはマイクロソフトやグーグルなどの顧客に対して第1四半期に60%-70%の値上げを提案しました。S&Pグローバルは、サムスンの従来のDRAMの1ビットあたり収入が2026年に前年比116%増の0.79ドルに達し、マイクロンのASPが54%増の1.06ドルになると予測しています。バーンスタインは、SKハイニックスのDRAMの粗利率が2026年第4四半期に92.7%に達する可能性があると予測しています。多くの予測では、効果的な供給の緩和は早くても2027年末、あるいは2028年まで待たなければならないと考えられています。

Counterpoint Researchは、三星電子が今年スマートフォン市場のリーダーシップを再び奪回すると予測しており、これはメモリーチップの価格上昇に対する抵抗力が強いことを示しています。今年に入ってメモリ供給の不足がますます深刻化しており、Counterpointは2026年の世界のスマートフォン出荷量が14.3%減少すると予測しています。三星は高度に統合されたサプライチェーンと成熟した流通ネットワークを持っており、出荷量は0.8%増加すると予想され、他のメーカーよりも良好なパフォーマンスを示すでしょう。Counterpointは、2027年にはスマートフォン市場全体が再び減少すると予測しており、その後翌年に回復するとしています。アップルは三星と同様に、部品価格の上昇による圧力に耐えることが期待されていますが、この機関はアップルに対してより慎重な姿勢を示しています。三星を除けば、中国の華為のみが独自のハードウェア供給システムを確立しており、顕著な成長を維持すると予測されています。Counterpointのチーフアナリストは、三星が首位に返り咲く鍵は、内部部品の製造能力、豊富な製品ライン、および通信事業者や小売業者との安定した関係にあると指摘しています。中国の主要なスマートフォンメーカーは、より大きな出荷圧力に直面することが予想されており、経済の下振れサイクルの中で業界の統合が加速することが基本的な予測です。

金十によると、関係者が明らかにしたところによれば、サムスン電子は金曜日に新しい株主還元計画を発表する予定で、その規模は最大で110兆ウォン（790億ドル）に達する可能性があります。関係者によると、サムスンの取締役会は韓国株式市場の取引終了後、現地時間の午後4時頃に会議を開催し、その後すぐに計画の詳細を発表する予定です。関係者によれば、今回の株主還元計画の規模は90兆ウォンから110兆ウォンの間になると予想されています。

ロイター通信の情報筋によると、サムスン電子は一部の先進的なファウンドリーサービスの新規注文に対して最大15%の値上げを行った。これはAIチップの需要急増による生産能力の逼迫が原因である。同社はファウンドリー分野で長年にわたりTSMCに遅れを取っている。中国の顧客の需要は特に強いが、サムスンはアメリカの顧客を優先し、自社のチップ生産を支えるために一部の生産能力を確保する必要があり、すべての注文を受けることはできない。アメリカの先進的なチップ設備の対中輸出制限の影響を受け、中国企業は海外のファウンドリーに依存するようになり、一部の中国の顧客は最大幅の値上げを受け入れた。情報筋によると、サムスンは7月に4ナノメートル（SF4）プロセスの価格を引き上げ、中国とアメリカの顧客には10%から15%の値上げ、台湾の顧客には5%から10%の値上げを行った。5ナノメートル（SF5）のウェハは10%から15%の値上げで、古い8ナノメートルプロセスに対しては約10%の値上げとなった。平沢工場のSF4生産ラインは昨年末以来フル稼働しており、クアルコムなどの顧客向けにロジックチップを生産するとともに、サムスン自身のHBM用の基礎裸チップを提供している。分析によれば、TSMCの先進的な生産能力が予約で埋まった後、顧客はサムスンとインテルに移行し、サムスンは値上げの余地を持つことができる。サムスンのファウンドリー事業は2022年以来継続的に赤字を計上しているが、同社は稼働率の向上、良品率の改善、価格の上昇により早期に黒字転換が期待されており、下半期のファウンドリー収益は前年同期比で二桁成長が見込まれている。先進的なプロセスの割合は半分を超え、AIおよび高性能計算アプリケーションの割合は30%を超える見込みである。テスラ、アップル、ブロードコム、エヌビディアなどはすでにサムスンと関連する協力を結んでおり、グーグルもSF4プロセスの使用について交渉中である。

三星電子半導体研究所 Foundry 工芸開発チームの朴昌民は「2026 次世代光刻+パターン化学術大会」で、会社は1ナノ（A10）プロセスからHigh-NA EUV技術を適用する計画であり、2030年頃に量産を実現することを目指していると述べました。三星は現在、2ナノ以下のプロセスで依然として既存の0.33 NA EUVの多重パターン化方案を採用しており、2029年に1.4ナノの量産を計画し、その後1ナノへと進める予定です。High-NA EUVはレンズの数値孔径（NA）を0.33から0.55に引き上げ、解像度が向上し、従来は多重パターン化が必要だった超微細プロセスを単回パターン化に簡素化することができ、製造コストの削減、生産効率の向上、設計の柔軟性に寄与します。しかし、この技術は難易度が高く、設備が高価であり、関連材料技術の同時アップグレードが必要です。朴昌民は1.4ナノおよび1ナノプロセスは依然として0.33 NA EUVの多重パターン化が主流であり、その後High-NAパターン化が新しい世代のプロセスの核心技術になると予測しています。

韓国メディアZDNet Koreaの報道によると、サムスン電子のウエハー受託生産事業の 4nm 生産ラインの生産能力は来年まで満載で、主に HBM4 注文の急増とNVIDIAの推論用 LPU"Grok3" の予想を超えた注文によって推進されています。生産能力のボトルネックに対処するため、サムスンは顧客に検証済みの 5nm プロセスを代替案として積極的に推奨しており、このプロセスは元々自動車チップ向けでしたが、現在は サーバーおよび高性能AI/NPUチップ 分野に拡大しています。報道によると、最近 3-4ヶ月 の間に5nmの顧客需要が顕著に増加しており、主にTSMCの先進プロセス供給の緊張や地政学的要因からシフトした中国およびインドのファブレス企業からのものです。また、2nmプロセスの顧客からの問い合わせも継続的に行われています。

韓国の『デジタル日報』によると、Appleは最近、次世代iPhoneおよびスマートデバイスのコストを削減するために、長鑫存储（CXMT）とLPDDR5XなどのモバイルDRAM供給価格について交渉を行ったが、相手に拒否された。長鑫存储は、Samsung ElectronicsやSKハイニックスと同等、あるいはそれ以上の価格水準を維持することに固執し、Appleのエンドメーカーとしての従来の交渉優位性を打破した。報道は分析しており、HuaweiやXiaomiなどの中国のエンド企業は、長鑫存储の大量生産能力を長期の高価格契約で事前に確保しており、中国の内需市場は彼らに堅固な価格防衛線を提供している。一方、Samsung ElectronicsとSKハイニックスはHBMの生産能力が継続的に拡大し、一般的なDRAM供給を圧迫しており、加えて長鑫存储が価格の下限を守っているため、韓国メーカーは一般的なDRAM分野での出荷圧力と価格下落リスクが大幅に緩和され、HBM4、LPCAMM2、eSSDなどの高付加価値AIストレージ製品にリソースを集中できるようになった。業界関係者は、下半期に韓国半導体陣営の営業利益率と世界市場での価格決定権がさらに強化されると予測している。

ロイター通信が三人の情報筋を引用して報じたところによると、三星電子 とSKハイニックス は中国の半導体機器メーカー中微公司（AMEC） のエッチング装置をテストしており、中国の工場での潜在的な応用可能性を評価しています。この動きは、アメリカが将来的に輸出規制をさらに厳しくするリスクに対抗することを目的としています。テストは約2年前 に開始されており、韓国企業が中国にアメリカ製のチップ装置を輸入することを許可するかどうかの不確実性が高まっている時期に行われています。報道によると、現時点では大規模な展開を決定していないものの、三星またはSKハイニックスの検証を受ければ、中微公司にとって重要な商業的裏付けとなるでしょう。中国の装置はエッチング、堆積、洗浄などの分野でのギャップが徐々に縮小しており、価格は通常海外の同類製品よりも20%-30% 低いです。三星の公式な回答では、中国の工場で中微の装置をテストしたことを否定しており、SKハイニックスはコメントを控えています。ドイツ銀行は北方華創、中微公司、拓荊科技及び盛美半導体 の2026年の収益がそれぞれ10億ドル を超えると予測しており、合計で中国の今年の約280億ドル のウェハ製造装置市場の25%-30% のシェアを占める見込みです。

アナリストは、サムスンがデジタル資産インフラの展開を加速しており、Samsung Walletを通じて約8億台のGalaxyスマートフォンにネイティブなステーブルコイン機能を提供する計画を立てていると述べています。これにより、USDCなどのステーブルコインの重要な流通チャネルになることが期待されています。サムスンは、Galaxy Unpacked 2026イベントで、今後のデバイスにステーブルコイン関連機能を統合することを発表しました。これには法定通貨に連動した貯蓄および支払いアカウントが含まれます。現在、Samsung Walletは61か国で展開されており、韓国のユーザー数は約1900万人に達しています。暗号投資銀行Aretaのアジア太平洋地域責任者であるJoseph Gohは、ステーブルコインの大規模普及の核心的なボトルネックは流動性ではなく、ユーザーへのアクセス能力であると述べています。「流通チャネルこそが希少な資産であり、サムスンは多くのユーザーエントリを持っています。」彼は、この動きがサムスンをUSDCなどのステーブルコインの主要なディストリビューターにする可能性があると考えています。サムスンは暗号分野に初めて参入したわけではありません。会社は2019年にKnoxセキュリティモジュールを通じてデジタル資産ウォレットを導入し、ユーザーがBitcoin、Ethereumなどの資産を保存できるようにし、Ledgerハードウェアウォレットに接続しています。さらに、サムスンはデジタル資産インフラの強化を進めています。サムスンSDSのCEOである李俊熙は以前、会社が韓国最大の暗号取引所Upbitの運営会社Dunamuに投資したことが、ステーブルコインやAI決済を含むデジタル資産インフラ分野への重要な戦略的展開であると述べました。今年5月、サムスン証券、サムスンSDS、サムスンカードの3つの子会社は、約4.08億ドルでUpbitの親会社Dunamuの約4%の株式を取得することに合意しました。アナリストは、Samsung Walletがユーザーの流通エントリを提供し、Dunamuなどのインフラ展開が基盤となる取引と資産サービスを担当していると考えており、サムスンはステーブルコイン、決済、デジタル資産サービスを含む完全なエコシステムを構築している可能性があります。

Counterpoint Research のデータによると、2026 年第2四半期の世界 DRAM 市場で 三星電子 は 39% の市場シェアで再び首位に立ち、昨年同期から大幅に回復しました；SK 海力士 のシェアは昨年同期の 39% から 26% に減少しましたが、収益は前年同期比で 214% 増加しました；美光 は 25% のシェアで続き、SK 海力士との差はわずか 1 ポイント です。Counterpoint は、三星が汎用 DRAM の需要増加と HBM 分野のシェア拡大の二重の推進力によって反発を実現したと指摘しています。汎用 DRAM の価格は前四半期比で大幅に上昇しましたが、HBM の平均価格は HBM3E の価格下落と HBM4 の出荷遅延の影響で前年同期比で減少しました。長鑫存储 の収益は前年同期比で 716% 増加し、国内の強力な汎用 DRAM 需要と生産能力の拡張の恩恵を受けています；南亚科技 は前年同期比で 690% 増加し、DDR/LPDDR4/5 の供給拡大の恩恵を受けています。Counterpoint は、NVIDIA Vera Rubin と AMD Instinct MI455X の出荷に伴い、下半期に HBM4 の出荷量が大幅に増加し、製品構成の改善が HBM 価格の反発を支えることが期待されると予測しています。

韓国メディアDaumの報道によると、韓国取引所のデータは、7月20日から23日までの間に、外国資本が連続4営業日で韓国株式市場を純買い入れし、累計で5.574兆ウォンの純買い入れを記録したことを示しています。これは4月以来初めての連続4日間の純流入です。その中で、サムスン電子とSKハイニックスが資金の主要な流入先となり、それぞれ1.73兆ウォンと2.76兆ウォンの純買い入れを受け、合計で4.48兆ウォンに達し、同期間の外国資本の純買い入れ総額の80%以上を占めています。市場は、Googleなどのテクノロジー大手がAIの資本支出予想を引き上げ続けていることが、HBMおよびサーバーDRAMの需要見通しを改善させ、さらに両社の評価が前期の調整を経て魅力を高めたことが、外国資本が韓国の大手メモリーチップ企業に集中して投資する要因となっていると考えています。

Digital Today の報道によると、サムスン電子は Galaxy Unpacked 2026 イベントで、サムスンウォレットがステーブルコインのサポートを導入し、支払い、報酬、デジタル資産を統合したサービスを提供することを発表しました。サムスンは、これが主要なスマートフォンブランドの中でステーブルコインをネイティブ機能としてサポートする最初のモデルの一つになると述べています。サムスンウォレットは支払いツールからデジタルハブに拡張され、鍵、身分証明書、搭乗券などを保存できるようになりました。イベントでは、サムスンウォレットに基づく初の金融サービスであるサムスン Galaxy カードが発表され、バークレイと Visa と提携してアメリカで展開されます。サムスンは、Knox セキュリティプラットフォームがエンドツーエンドの暗号化を通じて敏感な情報を保護していると述べています。