hbm4

Money Todayの9月21日の報道によると、サムスン電子はHBM市場の成長に伴い、ウェハー代工の先進プロセス能力の拡張を進めており、HBM4基座チップの需要増加に対応するために4nmプロセスの増産を検討しています。サムスンのHBM4は、10nm世代の6世代（1c）DRAMコアチップと4nmロジック基座チップで構成されており、基座チップはGPUなどのAIアクセラレーターとの高速データ交換を担当しています。SKハイニックスがTSMCの12nmを採用しているのとは異なり、サムスンはHBM4基座チップに自社の4nmプロセスを使用しています。この生産ラインはフル稼働しており、NVIDIAのGroq 3 LPUなどの注文を受けています。最近、会社は4nmの新しい注文とHBM4基座チップの価格を引き上げました。サムスンは第3四半期のHBM4の収益が前四半期比で3倍以上増加すると予想しており、下半期のHBM収益におけるHBM4の割合は60%以上になる見込みです。平沢P4の追加増産の大部分はHBM用の1c DRAMに使用され、ウェハー代工の4nm能力の半分以上がHBM4基座チップに割り当てられています。HBM4Eも同様に4nm基座チップを採用しており、サムスンは5月に顧客にサンプルを提供しました。会社はまた、HBM5のために2nmの新しい生産ラインを構築することを検討しており、GAA構造の2nmプロセスを目指し、TSV密度を向上させ、HBM4Eに比べて動作速度を50%以上向上させることを目指しています。サムスンは昨年の下半期に2nmの第一世代量産を開始し、今年の下半期には第二世代製品を推進します。シティは来年の世界のHBMビット需要が752億Gbに達し、前年比62%増加すると予測しており、供給は約594億Gb、ギャップは約21%になるとしています。

ソウル経済の報道によると、サムスン電子は来年、第6世代の高帯域幅メモリHBM4と第7世代のHBM4EなどのHBM4シリーズの生産量を今年の少なくとも2倍以上に拡大する計画です。同社は、HBM用DRAMの薄型加工に必要なガラス基板の外部洗浄量を、今年の月間2万枚から来年の月間5万枚に増やし、今年に比べて2.5倍増加させる予定です。昨年のこの基板の月間需要は約1万枚で、今年は昨年の2倍に増加しています。サムスン電子が重点的に増産するHBM4とHBM4Eは、12層以上の高積層製品が主です。同社は今年の2月に第6世代10nm（1c）DRAMと4nmプロセス基板チップを使用したHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAなどの顧客にHBM4Eの12層サンプルを提供しました。業界では、月平均のウェハ投入量で、サムスン電子のHBM生産能力が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加し、増加率は約40%になると予想されています。HBM4シリーズの出荷割合は、今年の約40%から来年の約80%に上昇する見込みです。

KB証券は9月11日に報告を発表し、三星電子のHBM市場シェアが第2四半期の33%から第4四半期の40%に向上する見込みであると指摘しました。これは主に、HBM4の第3四半期の販売量が前四半期比で3倍以上増加し、下半期にはHBM4がそのHBM総売上高の60%以上を占めると予想されるためです。三星電子はHBM4の全面量産を確立し、主要顧客にHBM4Eサンプルを供給し、1cコア裸チップと2ナノベース裸チップのHBM5アーキテクチャおよび次世代ZHBMのロードマップを採用しています。受託生産事業に関しては、4ナノの良品率が80%以上で安定しており、2ナノGAAの良品率は急速に70%以上に向上しています。KB証券のアナリスト、キム・ドンウォン氏は、受託生産事業が第3四半期から黒字化する見込みであり、2ナノの良品率が年内にアメリカの大口顧客の受注を獲得する助けになる可能性があると述べています。

三星電子のウェハ受託製造部門は、4ナノプロセスにおいて、第6世代高帯域幅メモリHBM4用の基板チップの量産比率が最近50%を突破したと発表しました。業界では、この部門が今年下半期に4ナノウェハの半分以上をHBM4基板チップの製造に投入する見込みで、NVIDIA、Broadcom、AMDなどへの供給を拡大する計画です。三星は今年2月にHBM4の量産出荷を開始し、第三四半期から供給量を拡大する予定で、年の中頃から関連ウェハの投入を大幅に増加させる計画です。このチップは三星のウェハ受託製造4ナノ（SF4）プロセスに基づいています。先月までに、全ての4ナノ生産能力の50%以上がHBM4基板チップに割り当てられました。関係者によると、三星の4ナノは現在フル稼働しており、その中でHBM4基板チップの割合は約50%から60%であり、下半期も高い割合を維持する見込みです。三星は平沢の2工場と3工場で4ナノから7ナノ級のプロセスを量産しており、4ナノの生産能力は月に約3万枚です。これに基づくと、HBM4基板チップ関連のウェハ投入は月に約1.5万枚と推定されます。三星は第二四半期の業績電話会議で、第三四半期のHBM4収益が前四半期比で3倍以上に拡大する見込みであり、下半期のHBM4収益は会社全体のHBM収益の60%を超えると予想しています。

韓国メディアの報道によると、サムスン電子はエヌビディア (NVDA.O) の要求に応じて、8層の第7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）の開発を進めており、当初の計画である12層、16層の案に比べてスタッキングの高さを大幅に低下させています。エヌビディアが提案した速度仕様は17-18Gbpsで、サムスンの初期HBM4Eの14.4Gbpsのサンプル速度より約20%高いとされています。この製品はNVHBMに使用されると報じられています。

SemiAnalysisは最新のポッドキャストを公開し、SKハイニックスとマイクロンが最高のHBM4速度を実現する上で常に課題に直面していることを指摘しました。特に、SKハイニックスは基盤チップを再設計しなければならず、その結果、HBM4のNVIDIA Rubinプラットフォームへの供給が遅れています。サムスンは現在、最も優れたHBM4技術を持っています。ブロードコムは伝統的にサムスンにHBM供給を大きく依存しています。サムスンはHBM3E世代でのパフォーマンスが不十分であり、これがブロードコムのASICにとって不利となりました。しかし、現在サムスンはHBM4で競合他社に対して優位に立っており、この同じサプライチェーン関係がハラペーニョにとっての利点となっています。

ソウル経済の報道によると、サムスン電子は、NVIDIAの要求に応じたHBM4E（第7世代）8層製品を開発しており、カスタム高帯域幅メモリNVHBMの供給の核心パートナーとしての地位を確保しようとしています。この製品は、当初計画されていた12層、16層よりもスタッキングの高さを低くし、NVIDIAが提案した速度仕様は17-18Gbpsで、サムスンの初期HBM4Eサンプルの速度（14.4Gbps）より約20%高く、NVIDIAが公開したNVLink最適化仕様のNVHBMに使用されます。8層を採用することで、従来のスタッキング層数を増やして容量を向上させるHBMとの競争ロジックとは逆に、後工程の難易度と歩留まりの圧力を低下させ、供給の拡大に寄与し、NVIDIAがメモリ不足を緩和する戦略と見なされています。NVHBMは、来年発売予定の次世代AI GPU「Rubin Ultra」からの適用が期待されており、このGPUはGPU間の接続規模を72から576に拡大し、より高速なHBMを搭載した数百のGPUが協調して全体の計算能力を向上させます。カスタムHBM市場において、サムスンはSKハイニックスやマイクロンに比べて競争力があり、NVHBMにはDRAMとロジックチップベースの基裸片設計生産能力が必要であり、サムスンは一体的に対応できます。業界関係者によると、サムスンはHBM4で業界最高水準の速度を検証しており、速度競争において優位性を発揮できるとされています。

三星電子とSKハイニックスは、今年下半期にNVIDIAへの8層HBM4メモリの供給量を増加させる計画です。この動きはNVIDIAの供給戦略の影響を受けており、HBMメモリの供給を安定させ、製品の発熱量にも配慮することを目的としています。

SemiAnalysisが発表したところによると、Nvidia Rubin Ultraは192GBのHBM4 8-hiメモリを搭載します。これは、最初のプレビューでの1TB HBMから大幅にダウンし、通常版Rubinの288GBの容量を下回っています。HBMの構成が元の約五分の一に削減された理由には、四裸片のRubin Ultraプランがキャンセルされたため、キューブの数が8個に減少したこと、スタッキングの高さが16-hiから8-hiに下がったこと、そして32Gb裸片のHBM4Eではなく、24Gb裸片のHBM4を使用することが含まれます。今後、8-hi HBM4Eのアップグレード版が登場する可能性があります。

スイス銀行によるVera Rubin超チップの部品表（BOM）の分析によると、メモリ半導体はこのプラットフォームの総コストにおいて約62%を占めており、前世代のBlackwell Ultra（GB300）の53%から大幅に増加しています。Vera Rubin超チップ（1つのVera CPUと2つのRubin GPUを含む）の総コストは約38,902ドルで、そのうちメモリ関連コストは24,297ドルに達しています。HBM4のコストは約4,943ドル（総コストの12.7%を占め）、CPUに接続されるSOCAMM2のコストは約19,355ドル（総コストの49.8%を占め）、メモリコスト上昇の主要な要因となっています。SOCAMM2は低消費電力DRAM LPDDR5Xに基づくサーバーメモリモジュールで、単一CPUで最大1.5TBの容量をサポートします。Vera Rubin NVL72キャビネット（72個のRubin GPUと36個のVera CPUを含む）は合計74.7TBのDRAMを搭載しており、そのうちHBM4は20.7TB、CPU用のLPDDR5Xは54TBです。単一キャビネットのLPDDR使用量は約4,500台の高性能スマートフォンに相当します。しかし、LPDDR5XおよびHBM4Eの供給不確実性の影響を受けて、NVIDIAは次世代Rubin UltraのHBM構成を引き下げることを検討しています。

サムスン電子は2026年第2四半期の財務報告を発表し、売上高は 171.5兆 ウォン（約 1188億ドル ）で、前年同期比 130% 、前四半期比 28% の増加となり、単四半期の歴史的最高値を記録しました；営業利益は 89.5兆 ウォン（約 620億ドル ）で、前年同期比 1813.8% 、前四半期比 56.4% の増加となり、市場予想を約 5% 上回りました；純利益は 71.62兆 ウォン（約 496億ドル ）で、前年同期比 1299.9% の急増となりました。1株当たり利益は 10849ウォン で、前年同期比 52% の増加です。デバイスソリューション（DS）部門の売上高は 127.5兆 ウォン、営業利益は 89.2兆 ウォンで、前四半期比 56% の増加となり、メモリ事業はAIサーバーの需要に支えられ、売上高と利益はともに歴史的最高値を記録しました。HBM4 は量産出荷され、HBM4E サンプルは主要顧客に納品されました。デバイス体験（DX）部門の売上高は前四半期比 9% 減少し、その中でMX事業は部品コストの圧力の影響を受け、売上高は 33.2兆 ウォンで、営業損失は 0.7兆 ウォンを記録しました。サムスンは下半期にサーバーDRAM、eSSDおよびHBMの需要が引き続き強力であると予測しており、市場供給のひっ迫した状況が続くと見込んでいますが、モバイルおよびPC端の需要は一部減速する可能性があります。会社はHBM4、DDR5、SOCAMM2などの高付加価値製品の販売を拡大し、第二世代 2nm プロセスで新しいモバイル製品を量産し、受託生産事業の二桁の売上成長を目指します。