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first_img ロイター:アメリカの対中国輸出制限により、SKハイニックスのニューヨーク工場建設が妨げられた

ロイター通信によると、韓国の半導体メーカーSKハイニックスは、中国での生産を拡大することで、ニューヨークに新しいメモリーチップ工場を建設するための資金を調達する計画ですが、必要なアメリカの設備の輸出許可がなかなか承認されず、アメリカへの投資計画が妨げられています。同社は、大連工場に設備を追加するためにアメリカの輸出許可を申請しており、この工場の生産量を増やし、より先進的なNANDチップ製造技術を開発することが、競争力を維持し、収益を生み出し、アメリカの工場建設計画を支援するのに役立つと考えています。2人の関係者によると、SKハイニックス傘下のSolidigmは、ニューヨーク州マシーに2つのNANDフラッシュ工場を建設するために約450億ドルを投資する計画で、長期的な投資額は約1000億ドルに達する可能性があります。交渉は続いており、大連工場の拡張計画が承認されるかどうかが、ニューヨークの工場建設計画の鍵となります。8月末以来、Solidigmの幹部はアメリカ商務省の官僚とほぼ10回会合を持ち、その中には商務長官ルートニックや次官ケスラーとの会合も含まれています。ケスラーは先週も、アメリカは中国へのさらなるアメリカの半導体製造設備の輸出を許可したくないと主張しました。商務省は現在、大連工場に既存の未使用クリーンルームの設備を輸出する許可申請を正式に却下していません。Solidigmは、世界の潜在的な場所でNANDフラッシュウェーハ工場を建設するオプションを探っていると声明を発表しており、具体的な行動計画についてはまだ決定していません。SKハイニックスは10月23日に、Solidigmがアメリカの生産施設の建設資金を調達するためにIPOを検討していたが、最近の市場状況と株価の動向を考慮して、上場オプションの評価を一時停止したと述べました。

SKハイニックスは100兆ウォンの株主還元計画を発表し、ストレージ不足が2030年まで続くと予想しています。

ストレージチップメーカーのSKハイニックス(SKHY.O)は、四半期の利益が前年同期比で7倍以上の増加を発表し、2026年には追加で100兆ウォン(約750億ドル)の株主還元計画を実施することを発表しました。会社の報告によると、9月までの四半期の営業利益は83.3兆ウォンに達し、予想の76.7兆ウォンを上回りました。売上高は104.6兆ウォンに上昇し、予想の98.3兆ウォンを上回り、両指標ともに単四半期の歴史的な最高値を記録しました。供給の逼迫により、会社の営業利益率は依然として歴史的な高水準にあります。会社は水曜日に、ストレージチップの供給不足が2030年まで続くと予測しています。会社の分析によると、先進的なプロセスの技術的難易度が上昇しており、新しい半導体工場の建設にはかなりの時間がかかるため、供給の拡大が制限されています。会社は、短期的には企業と消費者の人工知能の応用がストレージ需要を押し上げ、中長期的には自動運転やロボットなどの物理的な人工知能の応用が需要の成長の原動力になると予測しています。

SKハイニックスは第3四半期の財務報告を発表し、株主へのリターンが最高60兆ウォンという噂があります。

SKハイニックスは火曜日の米国株市場の取引後に2026年第3四半期の財務報告を発表し、新しい株主還元計画を同時に発表します。市場は高帯域幅メモリHBMの需要、利益のパフォーマンス、そして大規模な特別配当の導入の有無に注目しています。サムスン電子、日本のキオクシアなどのメモリメーカーも順次業績を発表する予定です。AIインフラストラクチャの需要がメモリチップの景気を押し上げています。KB証券のアナリストは、韓国の2大メモリチップメーカーが来年計画しているメモリの70%以上が、大手テクノロジー企業との5年間の供給契約でカバーされていると推定しています。市場はAIの資本支出のリターンと資金調達コストを懸念し、投資家は注文の質、将来の需要の持続性、そして生産拡大のペースにより注目しています。韓国メディアは以前、SKハイニックスが約16兆ウォン(約120億ドル)の特別配当を支給することを検討していると報じました。また、追加の株主還元が最高で60兆ウォン(約450億ドル)に達する可能性があるとも報じられています。これらの金額は、会社から正式に確認されていません。SKハイニックスは以前、40兆ウォン相当の自己株式を買い戻して消却することを発表し、2025年から2027年の自由キャッシュフローの50%以上を株主還元に使用する計画を立てています。

first_img RBC:2027年のHBM価格はほぼ倍増する可能性があります

カナダ皇家銀行資本市場(RBC Capital)が発表したレポートによると、人工知能の需要は供給を上回り続けており、高帯域幅メモリ(HBM)の価格上昇が全体のDRAM平均販売価格を支える見込みで、メモリーチップメーカーのSKハイニックスはメモリーチップの上昇サイクルから引き続き恩恵を受けるとしています。レポートでは、2027年にはHBMの価格が80%から100%上昇する可能性があると指摘しています。RBCは、DRAMの上昇サイクルがすでに14四半期続いていることを踏まえ、さらに5四半期続くと考えており、供給の緊張は2027年まで続くと予想しています。RBCは、SKハイニックスの第3四半期の業績が市場のコンセンサスをわずかに上回ると予想しており、売上高は101.2兆ウォンに達する見込みで、調整後の1米国預託証券あたりの利益は8917ウォン(約6.72ドル)になるとしています。第3四半期のDRAM契約価格は前四半期比で20%上昇し、第4四半期にはさらに15%上昇する可能性があります。RBCは「市場を上回る」評価を再確認し、目標株価は200ドルで、最新の終値より約40%高いとしています。米国株市場では、SKハイニックスの株価は月曜日に4%以上上昇し、142.62ドルとなりました。野村証券は最近、メモリーチップの不足が2028年まで続くと述べ、サムスン電子とSKハイニックスの「買い」評価を維持し、それぞれの目標株価は67万ウォンと470万ウォンとしています。韓国のKB証券は月曜日に、両社の株価収益率が約3倍に低下したと報告しました。今週水曜日にSKハイニックスは第3四半期の決算を発表する予定で、FnGuideの調査によると、アナリストは売上高を98.2兆ウォン、営業利益を77兆ウォンと予想しています。メディアの報道によると、同社は約16兆ウォンの特別配当を支給することを検討しているとのことです。

first_img SK hynixはKioxiaの特別配当として約16兆ウォンを提案しています。

《東亜日報》10月26日の独占報道によると、ストレージチップ会社SKハイニックスは、日本のNANDメーカーであるキオクシアの株式売却による収益の80%を特別配当として株主に還元する計画を立てています。報道は、投資銀行や財界の情報を引用し、関連する収益は約20兆ウォンと推定され、特別配当の規模は約16兆ウォンになる見込みで、会社は10月28日の第3四半期の業績発表時にこの計画を発表する予定です。現在、これは業界の予想に過ぎず、会社が正式に確認した公告ではありません。現行の発行株数に基づくと、特別配当は1株あたり約2.3万ウォンに相当し、年間固定配当の1株あたり1500ウォンの15倍、四半期配当の375ウォンの61倍に相当します。分割払いの可否はまだ検討中です。昨年の配当総額は2.1兆ウォンでした。会社は第2四半期の業績電話会議で、さまざまな追加の株主還元方法を検討しており、決定後に年内に共有すると述べていました。2018年、SKハイニックスはベインキャピタルが主導する米日韓のコンソーシアムに参加し、東芝から分社化されたNAND事業を買収しました。この事業は2019年にキオクシアに改名されました。会社の総投資額は約3950億円で、そのうちファンドの出資部分はベインによって段階的に売却され、全額回収されています。今年第1四半期には一部を処分して4.1178兆ウォンを回収し、第2四半期にさらに処分した結果、元本を差し引いた収益は約20兆ウォンと推定されています。キオクシアの株価は分割前の昨年末の約1万円から、今年6月22日の歴史的高値11.27万円に上昇しました。

first_img SKハイニックスの一部HBM4後工程設備の注文は来年に延期される可能性があります。

DealSiteの報道によると、ストレージチップメーカーのSKハイニックスは、第6世代の高帯域幅メモリHBM4の量産を拡大している一方で、一部の後工程機器業界関係者は、増産の速度が予想よりも遅れていると考えており、今年計画されている追加の機器注文が来年に延期される可能性があるとしています。機器業界の関係者によると、当初今年下半期に納品される予定だった一部の機器に遅延の兆候が見られ、今後の注文計画もまだ明確ではないとのことです。匿名の関係者は、今年投入予定だった一部の機器が来年に変更される可能性があると述べており、既に納品された機器がフル稼働しているかどうかについてもデータの確認が取れていないとしています。来年のHBM4関連の投資計画は、一部の協力先に具体的に伝えられていない状況で、今年の注文は大体完了していますが、明確な投資の増減の信号は見られません。報道によれば、機器投資のスケジュールと製品品質の問題との直接的な関連性はまだ確認されていません。大信証券の研究員である柳亨根氏は、主要顧客のHBM4の品質問題が業績の予想を下回る懸念は過度であると考えており、後工程において一部の問題が発生した可能性はあるものの、それを解決不可能なリスクと見なすのは難しいと述べています。また、不良補償について議論する段階にはまだ至っていないとも言われています。さらに業界の一部では、汎用メモリの価格上昇の背景の中で、一部のHBM投資が汎用メモリにシフトする可能性があるとも言われています。SKハイニックスは、龍仁クラスターY1ウェーハ工場の最初のクリーンルームにDRAM生産設備を優先的に導入する計画で、業界では初期の生産ラインが第6世代10ナノメートル級1cプロセスを採用することが予想されており、新たな生産能力は優先的に汎用DRAMに配分されると見込まれています。また、一部の後工程機器のスケジュールの変化だけでは、HBM4の量産が阻害されていると判断するには不十分であるとの見解もあります。SKハイニックスは主要顧客にHBM4の16層サンプルを供給しています。

first_img SKハイニックスは1c DRAMの占有率を加速的に拡大し、来年初めには主力となる。

朝鮮日報の9月7日の報道によると、SKハイニックスは10ナノメートル級第6世代(1c)DRAMの生産比率を高めるための加速を進めています。業界のデータによると、1c DRAMの比率は今年第1四半期の約10%から第2四半期の約13%に上昇し、第3四半期には約24%、第4四半期には約34%に達する見込みです。来年の第1四半期には約35%に上昇し、初めて1b(約33%)を超えて主力プロセスとなる見込みです。1b(10ナノメートル級第5世代)DRAMの比率は、今年第2四半期に約43%でピークを迎えた後、減少に転じています。第2四半期末時点で、サムスン電子の1c比率は約16%、マイクロンは約19%で、いずれもSKハイニックスの約13%を上回っています。報道によると、SKハイニックスは下半期に変換を加速し、第4四半期には約34%でサムスン電子の約31%を超える見込みです。SKハイニックスは第2四半期の業績電話会議で、1cプロセスを採用したDRAMの供給が第2四半期から実質的に開始され、下半期にはHBM4の出荷増加と1c汎用DRAMの出荷増加に伴い、ビット成長率が上半期を上回ると述べました。サムスン電子はHBM4から1c DRAMを採用し、動作速度は約11.7Gbpsです。SKハイニックスは以前、検証済みの1b DRAMと先進的なMR-MUFパッケージを使用して量産の安定性を優先的に確保し、次世代HBM4Eから初めて1c DRAMをHBMコアチップとして使用します。Counterpoint Researchなどは、今年、NVIDIA、Google、AMDの合計でHBM4の市場シェアがSKハイニックスの50%中盤、サムスン電子の20%後半、マイクロンの10%後半になると予測しています。
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