skハイニックス

韓国の《中小企業ニュース》9月28日の報道によると、関連業界の関係者は、SKハイニックスが日本の東北地域で半導体工場設立に必要な基礎工事を開始したと述べています。ある関係者は、このプロジェクトが独立した工場なのか、キオクシアとの合弁工場なのかはまだ不明であるが、現地で基礎工事が進められており、SKハイニックスも韓国国内の部品企業に供給の拡大を求めていると述べました。報道によると、1ヶ月前まで、SKハイニックスは日本にストレージ半導体工場を建設することについて「研究中」との表明をしており、「具体的な決定事項はない」と述べていました。この件に関して、SKハイニックス側は、日本のストレージ半導体工場は現在も研究段階にあり、さらなる進展はないとしています。報道はまた、SKグループの会長である崔泰源が今年8月に日本にストレージ半導体の合弁工場を建設することを研究していると述べ、東北地域が有力な候補地と見なされていることを伝えています。日本の東北および岩手県には、キオクシアの北上工場、Japan Semiconductor、安川電機、デンソー、東京エレクトロンなどの半導体および材料部品企業が集まっています。

三星電子は先月、前財政経済部外貨制度課長の李熙坤をIRチームの常務に採用しました。李熙坤は外貨制度課長、資金市場政策課長などを務め、外貨制度および海外投資への対応を担当していました。今年4月には韓国を世界国債指数に組み入れる作業に参加し、特別表彰を受けました。今後は海外投資家およびグローバル資本市場への対応を担当する予定です。SKハイニックスは先月、前財政経済部戦略経済総括課長の鄭汝珍を広報総括の下の副社長に採用しました。鄭汝珍は気候環境予算課長、経済副総理秘書官、外貨制度課長、外貨資金課長などを務めていました。両社はアメリカでの生産投資を進めており、三星電子はテキサス州タイラーに370億ドルを投資してウェハー受託製造工場を建設する計画で、SKハイニックスはインディアナ州に40億ドルを投資して先進パッケージ工場を建設する計画です。

韓国の副首相は水曜日に、韓国は人工知能の発展を推進し続けなければならず、停滞や遅延を許してはならないと述べ、世界的なこの技術の発展ペースに関する議論において明確な態度を示しました。韓国はサムスン電子やSKハイニックスなどのメモリーチップ企業の所在地であり、人工知能データセンターの熱潮の主要な受益者の一つでもあります。関連する需要は、同国の半導体やハードウェアの旺盛な調達を促進しています。同国の人口は約5200万人であり、現在、アメリカの人工知能モデル開発者であるAnthropicとOpenAIの責任者が提案した方向に沿って進展を遅らせることはできません。

ロイター通信によると、関係者は、韓国のSKハイニックスがインテルと取引を交渉しており、米国本土で初めてメモリーチップを生産する計画であると報じています。考えられる一つの案は、SKハイニックスがインテルがオハイオ州で長年計画しているチップ製造施設の一部を借りることです。もう一つの案は、インテルおよびメモリーチップ供給の確保を急ぐ主要なクラウドサービス会社と合弁会社を設立することです。この取引はインテルのプレッシャーを和らげ、トランプ政権にとって大きな勝利となるでしょう。しかし、関係者によると、韓国側の潜在的な反対が大きな障害となる可能性があるため、これらの技術は敏感と見なされています。ある関係者は、交渉はまだ探索的であり、決定は下されていないと強調しました。合意に達した場合、SKハイニックスがオハイオ州でどのようなチップを生産するかはまだ不明です。その製品ラインには、サーバー、PC、スマートフォン向けのDRAMや、長期ストレージを提供するNANDフラッシュが含まれ、AIプロセッサ用の高帯域幅メモリ（HBM）の主要な供給者でもあります。

SKハイニックスとその労働組合は、業績ボーナスに関する合意に達しました。合意に基づき、ボーナスの50%は現金で支払い、残りの50%は会社の株式で支払われます。SKハイニックスは当初、業績ボーナスを全額現金で支払う予定でした。これは、会社がボーナス総額の少なくとも50%に相当する株式を買い戻す必要があることを意味します。

朝鮮日報の9月15日の報道によると、サムスン電子とSKハイニックスの第3四半期の営業利益のコンセンサスが3ヶ月以内に再度引き上げられました。主要な証券会社と海外投資銀行の報告を総合すると、サムスン電子の第3四半期の営業利益は約114兆ウォンと予測され、3ヶ月前の101.9052兆ウォンから12.2836兆ウォン（12%）引き上げられ、第二四半期の89.4兆ウォンからは28%の増加となります。SKハイニックスの第3四半期の予測は78.8035兆ウォンで、3ヶ月前の75.7249兆ウォンから4%引き上げられ、第二四半期の60.5426兆ウォンからは30%の増加です。TrendForceは第3四半期の一般的なDRAMの固定取引価格が前四半期比で13%から18%上昇し、NANDフラッシュが10%から15%上昇すると予測しています。証券界はサムスン電子のHBM4の収益占有率が第一四半期の5%から第二四半期の約35%に拡大し、良品率が改善していることに注目しています。SKハイニックスはHBM市場シェアの第一位を維持していますが、サムスンのHBM4の量産改善がその供給プレミアムを希薄化する可能性があります。シティグループ証券はウォン高の影響でSKハイニックスの第3四半期の営業利益予測を76.7兆ウォンから74兆ウォンに引き下げました。マイクロンは30日に2026会計年度第4四半期（6月から8月）の業績を発表し、収益のガイダンスは490億から510億ドルです。

Gateの市場データによると、マイクロンテクノロジー (MU.O) のプレマーケットでの下落幅は6%に拡大し、SKハイニックス (SKHY.O) は7.5%下落しました。

韓国中央銀行が最近発表した『2026年9月貨幣信用政策報告』の中で、今年以来の韓国総合株価指数（KOSPI）の変動理由を振り返りました。報告によると、KOSPIが上昇するにつれて、サムスン電子とSKハイニックスの指数上昇への寄与率が急速に高まっています。特に、KOSPIが今年の6月に8000ポイントから9000ポイントに上昇する過程で、これら2銘柄の指数上昇への寄与率は99%に達しました。

外媒の報道によると、サムスン電子とSKハイニックスは、韓国電力公社が提案した前払い電気料金プランを拒否しました。このプランは、両社に電気料金を前払いさせ、新たに建設されるテクノロジークラスターに電力を供給するための電力網の建設資金を提供するものでした。アジア各地の資金繰りが厳しい公共事業会社は、半導体や人工知能業界の増大する需要に追いつくのが難しくなっています。韓国電力公社の提案は、地元メディアの推計によれば合計25兆ウォンで、5年間の電気料金請求書に相当します。韓国電力公社のスポークスマンはSMSを通じて、「両社は最終的に韓国電力公社の提案を拒否しました」と述べました。地元メディアの報道によると、これらの半導体製造業者は、現在の半導体ブームが今後5年間持続するかどうかに不確実性を抱いているとしています。

中国最大 DRAM メーカー長鑫存儲 CXMT は最近、上海の新工場の協力業者の設備入札を開始し、複数の地域での生産能力拡張を進めています。CXMT は現在、合肥の第2期と北京の第1期で DRAM の量産を行っており、月間生産能力は約 20 万枚と推定されており、年末には月間 30 万枚を超える可能性があります。CXMT は今年の第4四半期に上海の新工場を開設する計画で、関連する設備入札はすでに開始されています。半導体設備業界の関係者によると、この工場は2段階に分けて拡張される予定で、生産能力は月間 10 万枚を大幅に超える見込みです。その後、来年の上半期に合肥の新工場を開設し、早ければ来年の下半期に北京の新工場を開設し、再来年の上半期に再び合肥の新工場を開設する計画です。設備業界の関係者は、CXMT が多くの関係者とコミュニケーションを取りながら、各地での工場設立のタイミングを調整していると述べています。もし計画がすべて実現すれば、CXMT は今年から 2028 年まで毎年少なくとも月間 7 万から 8 万枚の生産能力を追加できる見込みで、長期的には月間 60 万枚を超える可能性があります。サムスン電子と SK ハイニックスの DRAM 生産能力はそれぞれ月間 70 万枚、60 万枚と推定されています。

日経アジアの報道によると、中国の半導体メーカーである長鑫存储（CXMT）は、利益率の面で世界の競合他社をリードしており、SKハイニックスやマイクロンを超えています。同社は、商品レベルのDRAM供給が厳しい状況を利用し、第2四半期に優位に立っています。長鑫存储の主な製品にはDDR5メモリが含まれており、ここ数ヶ月で価格が上昇しています。この状況は、韓国、アメリカ、日本のサプライヤーが主導するストレージチップ業界で発生しています。

SKハイニックスは9日、次世代メモリ3D DRAM半導体の開発においてファウンドリプロセスを活用できると発表しました。前日、同社は利川園区のSupexセンターで開催された2026 SKハイニックス未来フォーラムにおいて、副社長のキム・ギョンフンとソン・ハヨンが3D DRAMの主要技術方向について発表しました。これには、DRAM周辺回路にロジックファウンドリプロセスを採用すること、データバス帯域幅を最大化すること、超短距離伝送などが含まれます。3D DRAMは、従来の平面に配置されたメモリセルを垂直に積み重ねて集積度を向上させる次世代DRAMです。二人は、この技術を実現するためには設計や発熱の問題に加え、微細相互接続、ボンディング、プロセス統合などのパッケージング分野の課題も解決する必要があると述べました。前工程と後工程のパッケージング、ファウンドリとメモリ技術の境界が近づく中で、既存の分野を超えた共同最適化がより重要になるとしています。ソン・ハヨンは、3D技術がウェーハ工場とパッケージングの技術的境界を変えていると述べ、先進的なパッケージング技術の革新と共に、既存の分野を超えた最適化と新しい協力体制を構築する必要があると提案しました。同テーマで発表した高麗大学のシン・チャンファン教授は、3D DRAMは単にチップを垂直に積み重ねるだけでなく、メモリとロジックの境界を打破する技術であると述べました。デバイスの微細化が限界に近づく中で、システムとメモリ間のデータ移動による時間と消費電力の増加が避けられないため、3D技術への移行は不可避であり、人工知能を活用して材料、デバイス、パッケージング、アーキテクチャの4つの分野の3D統合設計フレームワークを提案しました。SKハイニックスの社長クォク・ルは、過去のメモリ市場は誰がより速く走るかの直線道路のようだったが、今は常に変化するカーブのようであり、内部能力に加えて外部環境の変化の速度と方向を把握し、柔軟に適応することも重要であると述べました。

ZDNet Korea の 9 日の報道によると、サムスン電機と LG Innotek はインテルの EMIB-T 用パッケージ基板供給チェーンへの参入を進めており、関連製品の開発とテストが進行中です。EMIB は小型シリコンブリッジでチップを接続し、インテルはこれを主に自社チップに使用していました。改良版の EMIB-T は対外販売を拡大しています。グーグルは来年下半期に次世代 AI アクセラレーター TPU を発表し、EMIB-T を初めて採用する予定です。EMIB-T はシリコンブリッジ内に電力伝送用のシリコンスルーホールを挿入しています。関係者によると、サムスン電機は長年にわたり EMIB 用基板サンプルを開発しており、現在は 2.1D パッケージ基板のコンセプトに基づいて EMIB-T の供給を進めています。LG Innotek は最近、SK ハイニックスに EMIB-T 用パッケージ基板を提供し、サンプルテストを行っています。両者は HBM を基板に搭載して製品特性を評価しています。現在、EMIB-T 用パッケージ基板は日本の Ibiden、新光電工、台湾の欣興電子およびオーストリアの AT&S が供給しています。Ibiden は休止中の工場を利用してインテル EMIB-T 専用基板の量産ラインを建設することを決定し、投資規模は約 2 兆ウォンで、グーグル、アマゾン、インテルなどからの前払いを受け取ったとされています。

彭博社の報道によると、キクシャホールディングスの最高責任者は、競合他社および株主であるSKハイニックスとのより緊密な協力関係を築く可能性を否定し、人工知能分野の長期的な需要に影響を与えないように、ストレージチップの価格の急騰を抑制することを表明しました。現在、ストレージチップメーカーは、人工知能サービスプロバイダーからの急増する注文に応えるために生産能力を拡大しており、関連するチップの価格が著しく上昇しています。一部の投資家は、製造協力関係が大規模な資本支出のリスクを低減するのに役立つ可能性があると考えています。

朝鮮日報の報道によると、中国最大のDRAMメーカーである長鑫存儲（CXMT）は、第四世代の高帯域幅メモリHBM3の試験生産を開始しました。初期の良品率は25%で、量産のゴールデン良品率80%の約三分の一です。SKハイニックスは2022年から同様の製品を量産しており、良品率は90%を超えています。長鑫存儲のHBM3 8層スタッキング製品の前工程の良品率は約30%、後工程では約70%が最終良品となります。同社は少量のサンプルをアリババの平頭哥や寒武紀などの中国企業に供給し、良品率の改善を続けています。G4（17ナノメートル級）プロセスの一般的なDRAMには大きな問題はありませんが、HBM用のDRAMチップは面積が大きく、電気仕様がより厳格です。業界はその原因をシリコン貫通孔TSV技術の成熟度不足に指摘しています。Nomad Semiの分析によると、サムスンのHBM2は1チップあたり5000個以上のTSVを持ち、SKハイニックスのHBM3は8000個以上、長鑫存儲は約3000個です。サムスンやSKハイニックスとの間には4年から5年の差があります。

韓国の証券会社KB証券は、サムスン電子とSKハイニックスのストレージ半導体在庫が10日分を下回ったと警告し、来年の供給が明らかに不足すると述べました。この機関は月曜日に、人工知能インフラへの投資がかつてない速度で拡大しており、ストレージチップ市場が深刻な供給不足に直面していると報告しました。重要な要因はHBM4への移行であり、HBM4に必要なウェハは従来のDRAMの約3倍であり、ウェハの生産能力が限られているため、従来のDRAMの利用可能な生産能力が減少します。KB証券は、来年のDRAMとNANDの需要が供給を10パーセント以上上回ると予測しています。研究責任者のキム・ドンウォン氏は、人工知能サーバーがHBM、サーバーDDR5、企業向けSSDを消費し、歴史的な不足を引き起こす可能性があると述べました。世界の超大規模データセンター運営者は、来年の人工知能インフラへの投資予想を1.3兆ドルに引き上げ、前年より60%増加するとしています。この機関は、来年のストレージ半導体が人工知能インフラ総投資の57%を占めると予測しており、昨年の14%から増加しています。TrendForceは、この割合が68%に達する可能性があると予測しています。サムスン電子の株価は高値から約28%下落し、SKハイニックスは約40%下落しました。

朝鮮日報の9月7日の報道によると、SKハイニックスは10ナノメートル級第6世代（1c）DRAMの生産比率を高めるための加速を進めています。業界のデータによると、1c DRAMの比率は今年第1四半期の約10%から第2四半期の約13%に上昇し、第3四半期には約24%、第4四半期には約34%に達する見込みです。来年の第1四半期には約35%に上昇し、初めて1b（約33%）を超えて主力プロセスとなる見込みです。1b（10ナノメートル級第5世代）DRAMの比率は、今年第2四半期に約43%でピークを迎えた後、減少に転じています。第2四半期末時点で、サムスン電子の1c比率は約16%、マイクロンは約19%で、いずれもSKハイニックスの約13%を上回っています。報道によると、SKハイニックスは下半期に変換を加速し、第4四半期には約34%でサムスン電子の約31%を超える見込みです。SKハイニックスは第2四半期の業績電話会議で、1cプロセスを採用したDRAMの供給が第2四半期から実質的に開始され、下半期にはHBM4の出荷増加と1c汎用DRAMの出荷増加に伴い、ビット成長率が上半期を上回ると述べました。サムスン電子はHBM4から1c DRAMを採用し、動作速度は約11.7Gbpsです。SKハイニックスは以前、検証済みの1b DRAMと先進的なMR-MUFパッケージを使用して量産の安定性を優先的に確保し、次世代HBM4Eから初めて1c DRAMをHBMコアチップとして使用します。Counterpoint Researchなどは、今年、NVIDIA、Google、AMDの合計でHBM4の市場シェアがSKハイニックスの50%中盤、サムスン電子の20%後半、マイクロンの10%後半になると予測しています。

韓国銀行は、サムスン電子とSKハイニックスが国内生産施設の積極的な拡張を行っているおかげで、韓国のメモリーチップの生産能力における優位性がさらに拡大すると予測しています。韓国銀行は、2028年に稼働予定の新しいチップ工場が韓国の月間ウェーハ生産能力を約60万枚増加させると予測しています。

電子ニュースによると、9月3日、美光は高帯域幅メモリ（HBM）の生産能力を昨年の2倍に拡大する計画であり、今年の年末までに最大で月産6万枚のウェハを追加する予定です。関係者によると、昨年の美光のHBM生産量は月産約4万から5万枚で、年末には約月産10万枚に達する見込みで、サムスン電子やSKハイニックスとのギャップを縮小することを目指しています。美光は複数のHBM機器メーカーへの発注を増やしており、生産拠点は主に台湾とシンガポールのウェハ工場で、設備の導入を継続しています。現在の生産量はHBM3E 12層が中心で、今年初めにはHBM4 12層の割合が約20%から30%で、年末には最大50%に上昇する可能性があります。HBM4 12層はNVIDIAの最新AIアクセラレーターVera Rubinに使用され、美光は今年の第2四半期からこの製品の量産を開始しました。美光のCEO、メヘロトラは今年6月に2026会計年度第3四半期の業績発表会で、HBM4 12層の量産の立ち上がり速度はHBM3E 12層の約2倍であり、HBM4の累積出荷収益は10億ドルを超えたと述べました。業界では、サムスンとSKハイニックスのそれぞれのHBM生産能力は月産約15万から20万枚と見られています。Counterpointのデータによると、今年第2四半期の世界のHBM市場シェアはSKハイニックスが50%、サムスンが32%、美光が18%です。美光は日本の広島で関連投資を準備しています。