サムスン

財聯社が報じたところによると、現地時間9月29日、三星電子の執行副社長Kim Taewooは、来年のHBMがDRAMメーカーのウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想しており、現在その割合は約20%であると述べました。彼は、HBMと従来のDRAMが同じウェーハ生産能力を争っており、HBMの生産を拡大すると従来のDRAMの供給が圧迫される可能性があると述べました。TrendForceは以前、2027年末までに世界の三大HBM供給者のHBMウェーハ投入量がDRAMウェーハ総投入量の約30%を占めると予測していますが、ストレージ容量で計算すると、DRAM総供給量の約13%しか貢献できないとしています。また、9月20日の報道によると、三星は今年2月からHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAを含む顧客に12層HBM4Eサンプルを提供しました。業界では、三星のHBMの月平均ウェーハ投入量が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加すると予想されています。TrendForceは同日、AIサーバーの需要が続いており、HBMと汎用DRAMは依然として限られた先進プロセスの生産能力を共有すると述べ、2027年のストレージ供給は引き続き厳しい状況が続くとし、2027年のHBM価格予想を引き上げ、混合平均販売価格が前年比で121%上昇すると予測しています。供給が限られ、システムコストが上昇する影響を受けて、8層HBMは2027年に多くのメーカーが優先的に評価する方案となる見込みで、その価格は12層製品よりも約10%から20%高くなると予想されています。

ウォール・ストリート・ジャーナルの報道によると、サムスンはKKRとエヌビディアが支援する人工知能インフラ企業Helix Digitalに10億ドルを投資し、この投資によりHelix Digitalの総資本コミットメント額は110億ドルを超えることになります。

英偉達のCEOである黄仁勲は、現地時間9月28日にニューヨークで再び三星電子の会長である李在鎔、SKグループの会長である崔泰源と会談する予定で、3人が7月にサンフランシスコで会った約2ヶ月後となる。27日のビジネス界の情報筋によると、李在鎔と崔泰源は当日の午後6時にニューヨークで開催される韓国協会の年次晩餐会に出席する計画で、黄仁勲は今年のファン・フリート賞の受賞者として出席する。三星電子は英偉達との関連協力を進めている。業界が注目している議題には、高帯域幅メモリが含まれる。情報によると、三星電子デバイスソリューション事業部の副会長である全永鉉は、黄仁勲が6月に韓国を訪問した際に彼と会い、双方でHBM4E、HBM5などの次世代高帯域幅メモリの長期的な協力について話し合ったという。ニューヨークでの会談では、ウェハー受託製造サービスや先進パッケージングについても議論される可能性があり、6月の会談では次世代ウェハー受託製造の協力についても話し合われた。

ZDNet Koreaの9月28日の報道によると、Samsung Electronicsは平沢第5工場（P5）の初の量産ライン（Ph1）の建設を加速しており、主要設備メーカーとPh1の設備搬入目標を当初の来年の第3四半期から来年の第2四半期に前倒しすることを協議しています。P5は2028年の稼働を目指す次世代半導体生産拠点であり、今年の第3四半期にはPh1のクリーンルームの建設が始まりました。Samsung Electronicsは、当初来年初めに完成予定だったP5 Ph1のクリーンルームの建設を約6ヶ月前倒しし、そのため設備導入は来年の第3四半期頃になると予想されています。業界関係者によれば、設備搬入の開始時期は来年の7月から8月を来年の5月から6月頃に前倒しすることが検討されており、別の関係者はSamsungが来年第1四半期に先に設備を納入し、他の場所に一時保管することを提案したとも述べており、早期投資の意欲が強いことを示しています。P5の第2段階（Ph2）への投資議論も進行中です。現在、Ph1はDRAMおよびHBM生産ラインとして建設される可能性が高く、Ph2は第10世代（V10）を含む先進的なNAND生産ラインとして建設される可能性が高いです。設備業界の関係者は、正式な調達注文はまだ出されていないが、SamsungはパートナーとPh2をNAND生産ラインとして建設することを議論しており、設備の納入サイクルが長いため、関連部品を前もって準備するよう要求していると述べています。報道によれば、世界の大手テクノロジー企業はAIインフラ用の高性能DRAMおよびNANDの注文を増加させており、Samsungなどのストレージ企業は生産能力が限られています。Samsungは7月の第2四半期の業績電話会議で、今年満たされなかった需要は来年に持ち越され、来年の供給不足は今年よりも深刻になると述べており、供給不足は2028年まで続くと予想しています。

ZDNet Korea の報道によると、サムスン電子は次世代 DRAM 戦略を調整し、以前プロジェクト形式で開発されていた B1b を正式なロードマップに組み込み、初の 10 ナノメートル未満 DRAM D0a と名付けました。以前の D0a は垂直トランジスタ DRAM を指していましたが、現在この製品は D0a-V として単独で分類されています。この名称変更は、汎用 DRAM における先進的なパッケージングの導入を加速するためです。B1b は、ストレージセルと周辺ドライバ回路を異なるウェハ上で製造した後に接合し、ウェハ対ウェハの混合接合を採用し、銅相互接続で直接接続します。現在商用化されている DRAM は 1c で、これは第 6 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 11 から 12 ナノメートルです。次世代 1d は第 7 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 10 から 11 ナノメートルで、事実上最後の 10 ナノメートル級製品と見なされています。関連するライン幅はマーケティング用語であり、実際の物理的サイズではありません。垂直トランジスタは、セル内のトランジスタを垂直に配置することで、セル面積を 6F² から 4F² に縮小できますが、高深幅比エッチングと漏れ電流に対処する必要があり、開発難易度は高いです。ウェハ対ウェハの混合接合は、CMOS イメージセンサーや高積層 NAND で量産応用されています。サムスン電子は B1b を第 8 世代高帯域幅メモリ HBM5 に使用することを評価しています。HBM5 は約 2029 年に量産される見込みで、HBM4E に比べて動作速度を 50% 以上向上させることを目指しています。業界では、B1b に基づく D0a DRAM は最速で約 2 年後に商用化されると見込まれており、具体的な量産投資スケジュールは来年の中頃に決定される可能性があります。

Money Todayの9月21日の報道によると、サムスン電子はHBM市場の成長に伴い、ウェハー代工の先進プロセス能力の拡張を進めており、HBM4基座チップの需要増加に対応するために4nmプロセスの増産を検討しています。サムスンのHBM4は、10nm世代の6世代（1c）DRAMコアチップと4nmロジック基座チップで構成されており、基座チップはGPUなどのAIアクセラレーターとの高速データ交換を担当しています。SKハイニックスがTSMCの12nmを採用しているのとは異なり、サムスンはHBM4基座チップに自社の4nmプロセスを使用しています。この生産ラインはフル稼働しており、NVIDIAのGroq 3 LPUなどの注文を受けています。最近、会社は4nmの新しい注文とHBM4基座チップの価格を引き上げました。サムスンは第3四半期のHBM4の収益が前四半期比で3倍以上増加すると予想しており、下半期のHBM収益におけるHBM4の割合は60%以上になる見込みです。平沢P4の追加増産の大部分はHBM用の1c DRAMに使用され、ウェハー代工の4nm能力の半分以上がHBM4基座チップに割り当てられています。HBM4Eも同様に4nm基座チップを採用しており、サムスンは5月に顧客にサンプルを提供しました。会社はまた、HBM5のために2nmの新しい生産ラインを構築することを検討しており、GAA構造の2nmプロセスを目指し、TSV密度を向上させ、HBM4Eに比べて動作速度を50%以上向上させることを目指しています。サムスンは昨年の下半期に2nmの第一世代量産を開始し、今年の下半期には第二世代製品を推進します。シティは来年の世界のHBMビット需要が752億Gbに達し、前年比62%増加すると予測しており、供給は約594億Gb、ギャップは約21%になるとしています。

ソウル経済の報道によると、サムスン電子は来年、第6世代の高帯域幅メモリHBM4と第7世代のHBM4EなどのHBM4シリーズの生産量を今年の少なくとも2倍以上に拡大する計画です。同社は、HBM用DRAMの薄型加工に必要なガラス基板の外部洗浄量を、今年の月間2万枚から来年の月間5万枚に増やし、今年に比べて2.5倍増加させる予定です。昨年のこの基板の月間需要は約1万枚で、今年は昨年の2倍に増加しています。サムスン電子が重点的に増産するHBM4とHBM4Eは、12層以上の高積層製品が主です。同社は今年の2月に第6世代10nm（1c）DRAMと4nmプロセス基板チップを使用したHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAなどの顧客にHBM4Eの12層サンプルを提供しました。業界では、月平均のウェハ投入量で、サムスン電子のHBM生産能力が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加し、増加率は約40%になると予想されています。HBM4シリーズの出荷割合は、今年の約40%から来年の約80%に上昇する見込みです。

三星電子は先月、前財政経済部外貨制度課長の李熙坤をIRチームの常務に採用しました。李熙坤は外貨制度課長、資金市場政策課長などを務め、外貨制度および海外投資への対応を担当していました。今年4月には韓国を世界国債指数に組み入れる作業に参加し、特別表彰を受けました。今後は海外投資家およびグローバル資本市場への対応を担当する予定です。SKハイニックスは先月、前財政経済部戦略経済総括課長の鄭汝珍を広報総括の下の副社長に採用しました。鄭汝珍は気候環境予算課長、経済副総理秘書官、外貨制度課長、外貨資金課長などを務めていました。両社はアメリカでの生産投資を進めており、三星電子はテキサス州タイラーに370億ドルを投資してウェハー受託製造工場を建設する計画で、SKハイニックスはインディアナ州に40億ドルを投資して先進パッケージ工場を建設する計画です。

ロイター通信の情報筋によると、長鑫存储 CXMT は NAND フラッシュメモリチップ市場に参入する準備を進めており、コア DRAM ビジネスの外に拡大し、サムスン電子、SK ハイニックス、マイクロン、長江存储と競争する予定です。長鑫存储は北京の新工場に NAND フラッシュメモリの研究開発生産ラインを設立し、NAND 開発プロジェクトを含む研究所を北京に設立する計画です。同社は、AI システムやスーパーコンピュータ向けにチップを調達する予定のスタートアップ企業を含む顧客と関連計画について話し合っています。研究開発ラインの運営や大規模商業製造のタイムラインはまだ不明です。世界的なストレージ不足は AI サーバーの需要によって推進されており、少なくとも 2027 年まで続くと予想されています。製造業者は DRAM と HBM の支出を優先しており、NAND の生産能力の増加が制限されています。長鑫存储は 7 月に IPO で 579.2 億人民元を調達しました。長江存储は 2022 年にエンティティリストに掲載されました。

三星電子はアメリカのテキサス州テイラーにある工場でテスラ向けのAI5チップのプロトタイプ生産を開始しました。AIチップの需要が急増しているため、三星は良品率検証のためにプロトタイプの生産を前倒しし、今年の年末までに大規模生産の検証を完了し、来年から本格的に供給する計画です。

アメリカ国際貿易委員会（ITC）は現地時間9月16日に、特定の音声技術を搭載した電子機器に対して特許侵害調査を開始したと発表しました。調査対象にはサムスン電子およびそのアメリカ子会社、アップル社、グーグル社が含まれています。調査の開始自体は特許侵害の認定を構成するものではありません。この調査は、BoomCloud 360 Inc.が8月14日に提出し、8月31日に補足した苦情に基づいています。苦情を申し立てた側は、関連機器がアメリカに輸入され販売される際にその特許を侵害し、1930年関税法第337条に違反していると主張し、ITCに対して限定的排除命令と停止命令の発行を求めています。この案件は行政法官によって審理され、証拠聴取が行われ、第337条に違反しているかどうかの初期判断が下され、その後ITCによって最終決定が行われます。ITCは立件後45日以内に調査の完了目標日を設定します。救済命令が発令されると即座に効力を持ち、60日後に最終命令となります。ただし、アメリカ貿易代表が60日以内に政策上の理由で否決しない限り。

韓国の副首相は水曜日に、韓国は人工知能の発展を推進し続けなければならず、停滞や遅延を許してはならないと述べ、世界的なこの技術の発展ペースに関する議論において明確な態度を示しました。韓国はサムスン電子やSKハイニックスなどのメモリーチップ企業の所在地であり、人工知能データセンターの熱潮の主要な受益者の一つでもあります。関連する需要は、同国の半導体やハードウェアの旺盛な調達を促進しています。同国の人口は約5200万人であり、現在、アメリカの人工知能モデル開発者であるAnthropicとOpenAIの責任者が提案した方向に沿って進展を遅らせることはできません。

花旗のアナリストは、先進的なストレージチップメーカーが人工知能の発展における構造的変化から恩恵を受けると指摘しています。この機関は、継続的な学習がストレージ需要を大幅に増加させ、市場の供給不足が2031年まで続くと予測しています。継続的な学習は、新しいタスクと知識に基づいてモデルを強化し、モデルの更新や過去データへのアクセスに対する継続的な需要を生み出し、HBM、サーバーDDR5、eSSDなどの製品のストレージ使用量を引き上げます。花旗は、HBMビットの需要が2027年に前年同期比で62%増加し752億ギビット、2028年には前年同期比で69%増加し1270億ギビットに達すると予測しています。世界のDRAM需要は、2027年と2028年にそれぞれ前年同期比で30%と35%増加し、同時期の供給はそれぞれ19%と22%の増加にとどまり、供給と需要の比率はそれぞれ-8.7%と-9.7%になります。NANDについては、2027年と2028年の需要がそれぞれ前年同期比で29%と33%増加し、供給の増加21%と25%を上回り、供給と需要の比率はそれぞれ-6.1%と-5.5%になります。花旗が推奨するストレージ関連の銘柄には、三星電子、SKハイニックス、マイクロン、Sandisk、Kioxiaが含まれ、これらはそれぞれ継続的な学習によるストレージ不足、HBMとサーバーDDR5の需要、DRAMの供給不足、高密度eSSDとNANDの供給の引き締まりといった論理に対応しています。

Techstartups の報道によると、オランダの AI チップスタートアップ Euclyd が 2 億ユーロ（約 2.31 億ドル）の A ラウンド資金調達を完了し、Samsung、Somerset Capital Partners、EQT 傘下の Scaleup Europe Fund および Innovation Industries が共同でリードインベスターを務めました。Euclyd は Bernardo Kastrup と Atul Sinha によって 2024 年に設立され、エインホーフェンに本社を置き、AI 推論分野に特化しています。自社開発のチップとメモリアーキテクチャを通じて GPU ソリューションを置き換え、AI 推論のエネルギー消費と単一トークンコストを削減することに取り組んでいます。前 ASML CEO の Peter Wennink が会社の取締役会の議長に就任します。

界面ニュースは、産業チェーンから独占的に得た情報によると、AppleはSamsung Electronicsの2027年第1四半期のメモリーチップの価格を受け入れたことが確認されました：DRAMは約2.0ドル/Gb、NANDフラッシュは約0.33ドル/Gbで、今年第3四半期の価格から30%-40%の上昇です。界面ニュースはこの情報についてAppleに確認を求めましたが、発表時点ではまだ回答はありません。

朝鮮日報の9月15日の報道によると、サムスン電子とSKハイニックスの第3四半期の営業利益のコンセンサスが3ヶ月以内に再度引き上げられました。主要な証券会社と海外投資銀行の報告を総合すると、サムスン電子の第3四半期の営業利益は約114兆ウォンと予測され、3ヶ月前の101.9052兆ウォンから12.2836兆ウォン（12%）引き上げられ、第二四半期の89.4兆ウォンからは28%の増加となります。SKハイニックスの第3四半期の予測は78.8035兆ウォンで、3ヶ月前の75.7249兆ウォンから4%引き上げられ、第二四半期の60.5426兆ウォンからは30%の増加です。TrendForceは第3四半期の一般的なDRAMの固定取引価格が前四半期比で13%から18%上昇し、NANDフラッシュが10%から15%上昇すると予測しています。証券界はサムスン電子のHBM4の収益占有率が第一四半期の5%から第二四半期の約35%に拡大し、良品率が改善していることに注目しています。SKハイニックスはHBM市場シェアの第一位を維持していますが、サムスンのHBM4の量産改善がその供給プレミアムを希薄化する可能性があります。シティグループ証券はウォン高の影響でSKハイニックスの第3四半期の営業利益予測を76.7兆ウォンから74兆ウォンに引き下げました。マイクロンは30日に2026会計年度第4四半期（6月から8月）の業績を発表し、収益のガイダンスは490億から510億ドルです。

三星電機とクアルコムは、2.1Dパッケージ用の有機ブリッジ技術を共同開発しており、関連する開発と検証は1年以上行われています。有機ブリッジはインテルのEMIBで使用されるシリコンブリッジに似ていますが、有機材料を使用し、基板プロセスで製造され、同一パッケージ内の複数の半導体チップを接続するために使用されます。三星電機は、溝のあるFC-BGA基板に有機ブリッジを埋め込み、クアルコムチップを接続し、性能と信頼性を評価しています。クアルコムは、これをデータセンターの大規模な多チップ半導体に使用することを検討しており、2024年10月に関連特許を申請しました。三星電機は、他の多くの顧客とも並行してこの技術を開発しています。有機ブリッジの目標は、5層から7層の再配線層で、線幅と間隔は1.5から2ミクロン、ビアは4から5ミクロンで、チップ間のパターン密度は1ミリメートルあたり500から1000個に達します。三星電機は、自社で試作したサンプルを評価し、外部供給の評価も行い、三星電子のウェーハファウンドリと協力してパッケージ評価を行っています。

韓国中央銀行が最近発表した『2026年9月貨幣信用政策報告』の中で、今年以来の韓国総合株価指数（KOSPI）の変動理由を振り返りました。報告によると、KOSPIが上昇するにつれて、サムスン電子とSKハイニックスの指数上昇への寄与率が急速に高まっています。特に、KOSPIが今年の6月に8000ポイントから9000ポイントに上昇する過程で、これら2銘柄の指数上昇への寄与率は99%に達しました。

韓国の《中央日報》によると、中国の半導体産業は中央政府、地方政府、国有金融機関、企業が分業協力し、資金調達、工場建設、インフラ整備の一体化した体制を形成しています。中国国家集成回路産業投資基金は第1期1387億元、第2期2040億元、第3期3440億元、合計6867億元を投資し、資金は中芯国際、華虹半導体、長江存儲などの企業に投入されています。長鑫存儲は設立から10年で世界のDRAM市場シェアを4位に引き上げ、ここ3年で211.3億元の純損失を計上し、同期間の研究開発と設備投資は1852億元に達しました。合肥市の国有資本は初期プロジェクトで約80%の資金を提供しました。韓国のサムスン電子とSKハイニックスは投資、雇用、技術開発、協力企業の支援などを担っています。韓国政府は2047年までに622兆ウォンの民間投資を誘導し、17兆ウォンの低利貸付と1.1兆ウォンの半導体エコシステム基金を提供する計画ですが、大部分は企業が負担します。韓国半導体産業協会の常務副会長パク・ゴンジュ：半導体は投資を停止すると次の上昇期に遅れを取る産業であり、不景気の時でも研究開発、設備投資、材料部品設備の注文を維持する必要があります。長期的な政策金融と税制の支援が必要です。中国は国家レベルで支援体制を整えて追いつこうとしており、韓国も政府、政界、金融機関、企業が共に行動する対応体系が必要です。

外媒の報道によると、サムスン電子とSKハイニックスは、韓国電力公社が提案した前払い電気料金プランを拒否しました。このプランは、両社に電気料金を前払いさせ、新たに建設されるテクノロジークラスターに電力を供給するための電力網の建設資金を提供するものでした。アジア各地の資金繰りが厳しい公共事業会社は、半導体や人工知能業界の増大する需要に追いつくのが難しくなっています。韓国電力公社の提案は、地元メディアの推計によれば合計25兆ウォンで、5年間の電気料金請求書に相当します。韓国電力公社のスポークスマンはSMSを通じて、「両社は最終的に韓国電力公社の提案を拒否しました」と述べました。地元メディアの報道によると、これらの半導体製造業者は、現在の半導体ブームが今後5年間持続するかどうかに不確実性を抱いているとしています。