サムスン電子は2027年初頭に3D Cube-Hの開発を完了する予定です。

三星電子は2027年初頭に先進的なパッケージ技術3D Cube-Hの開発を完了し、最初の設計キットを完成させ、その後潜在的な顧客との評価を開始する計画です。この技術は混合ボンディングに基づいており、チップの垂直スタッキングを実現し、主に高性能AI半導体を対象としています。GPUなどのロジックチップをスタックしたり、HBMなどのメモリチップにロジックチップを統合することができます。

三星電子は以前に熱圧ボンディング技術を使用した3D Cube-Tを開発しており、現在は端子間隔約6ミクロンの3D Cube-Hを推進しています。熱圧ボンディングチップの最小端子間隔は約25ミクロンです。混合ボンディングは、チップ間の銅材料を直接接続することで、端子間隔を縮小し、接続密度を向上させ、ビットあたりのエネルギー消費を低減します。また、その熱放散特性は熱圧ボンディングソリューションとは異なります。