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first_img 삼성전자 고위 임원: 내년 HBM이 DRAM 웨이퍼 생산 능력의 거의 30%를 차지할 것으로 예상됨

재무연구소에 따르면, 현지 시간 9월 29일 보도에 따르면, 삼성전자 부사장 김태우는 내년 HBM이 DRAM 제조업체의 웨이퍼 총 생산능력의 거의 30%를 차지할 것으로 예상하며, 현재 이 비율은 약 20%라고 밝혔다. 그는 HBM과 전통적인 DRAM이 동일한 웨이퍼 생산능력을 두고 경쟁하고 있으며, HBM 생산 확대가 전통적인 DRAM 공급을 압박할 수 있다고 언급했다.트렌드포스는 이전에 2027년 말까지 세계 3대 HBM 공급업체의 HBM 웨이퍼 투입량이 DRAM 웨이퍼 총 투입량의 약 30%를 차지할 것으로 예상했지만, 저장 용량 기준으로는 약 13%의 DRAM 총 공급량에 기여할 수 있다고 밝혔다. 또 다른 보도에 따르면, 삼성은 올해 2월부터 HBM4의 양산 출하를 시작했으며, 5월에는 엔비디아를 포함한 고객에게 12층 HBM4E 샘플을 제공했다. 업계에서는 삼성 HBM의 월 평균 웨이퍼 투입량이 올해 약 18만 장에서 내년 약 25만 장으로 증가할 것으로 예상하고 있다.트렌드포스는 같은 날 AI 서버 수요가 지속되고 있으며, HBM과 범용 DRAM이 여전히 제한된 첨단 공정 생산능력을 공유할 것이라고 밝혔다. 2027년 저장 공급은 여전히 긴축 상태를 유지할 것이며, 2027년 HBM 가격 전망을 상향 조정하여 혼합 평균 판매가가 전년 대비 121% 상승할 것으로 예상하고 있다. 공급이 제한되고 시스템 비용 상승의 영향을 받아, 8층 HBM은 2027년 여러 제조업체가 우선 평가할 솔루션이 될 것으로 예상되며, 그 가격은 12층 제품보다 약 10%에서 20% 더 높을 것으로 보인다.

first_img 삼성전자 평택 P5 첫 번째 양산 라인 건설을 가속화하며, 장비 도입 목표를 내년 2분기로 앞당겼습니다

ZDNet Korea의 9월 28일 보도에 따르면, 삼성전자는 평택 제5단지(P5) 첫 번째 양산 라인(Ph1) 건설을 가속화하고 있으며, 주요 장비 제조업체와 Ph1 장비 반입 목표를 원래 예정된 내년 3분기에서 내년 2분기로 앞당기는 논의를 하고 있다. P5는 2028년 투자를 목표로 하는 차세대 반도체 생산 기지로, 올해 3분기에는 Ph1 클린룸 건설이 시작되었다.삼성전자는 이전에 내년 초 완료될 예정이었던 P5 Ph1 클린룸 건설을 약 6개월 앞당겼으며, 장비 도입은 내년 3분기쯤으로 예상된다. 업계 관계자들은 장비 반입 시작 시간을 내년 7월에서 8월로 예정된 것을 내년 5월에서 6월로 앞당길 계획이라고 전했다; 또 다른 관계자는 삼성전자가 내년 1분기에 장비를 먼저 납품하고 다른 장소에 임시 보관하는 방안을 제안했다고 전하며, 이는 조기 투자 의지가 강하다는 것을 보여준다.P5 두 번째 단계(Ph2) 투자 논의도 진행 중이다. 현재 Ph1은 DRAM 및 HBM 생산 라인으로 건설될 가능성이 높고, Ph2는 10세대(V10)를 포함한 고급 NAND 생산 라인으로 건설될 가능성이 더 높다. 장비 업계 관계자는 공식 구매 주문이 아직 발주되지 않았지만, 삼성전자가 협력사와 함께 Ph2를 NAND 생산 라인으로 건설하는 논의를 했으며, 장비 납품 주기가 길기 때문에 관련 부품을 미리 준비해달라고 요청했다고 전했다. 보도에 따르면, 글로벌 대형 기술 기업들이 AI 인프라용 고성능 DRAM 및 NAND 주문을 늘리고 있지만, 삼성과 같은 메모리 기업의 생산 능력은 제한적이다. 삼성전자는 7월 2분기 실적 전화 회의에서 올해 충족하지 못한 수요가 내년으로 연기될 것이며, 내년 공급 부족이 올해보다 더 심각할 것이라고 언급하며, 부족 현상이 2028년까지 지속될 것으로 예상하고 있다.

first_img Anthropic: Claude 새로운 효소 시스템을 인식하다, 유전자 편집 주식 하락

현지 시간 수요일, Anthropic은 그 모델 Claude가 방대한 DNA 서열 데이터에서 이전에 완전히 설명되지 않은 효소 시스템을 식별했다고 발표했습니다. 반복 서열 배열 방식은 CRISPR와 유사합니다. 이는 새로 설립된 생물 실험실의 첫 번째 성과로, 팀은 올해 봄에 구성되었으며, 실험실은 샌프란시스코 베이 지역에 위치하고 있습니다. 소식이 발표된 후, 유전자 편집 회사의 주가는 수요일 하락했으며, CRISPR Therapeutics는 5.54% 하락, Beam Therapeutics는 6.02% 하락, Prime Medicine은 11.58% 하락했습니다.관련 작업은 대규모 DNA 데이터베이스에서 연구할 가치가 있는 역전사 효소 시스템을 찾는 것입니다. 약 21시간의 검색 동안, 약 950개의 Claude 인공지능이 약 2.1억 개의 토큰을 사용했으며, 그 중 하나의 인공지능은 특정 역전사 효소 유전자 옆에 배열 규칙이 있는 반복 DNA 서열을 주목했습니다. 팀은 이 조합을 배열 관련 역전사 효소 시스템으로 명명했으며, 주로 박테리아 바이러스에 존재하고, 역전사 효소 유전자, 인접 동반 유전자 및 일련의 반복 DNA 서열을 포함합니다. 역전사 효소 자체는 이전에 연구된 바 있으며, 새로운 발견은 그것이 주변 비코딩 DNA 서열 및 기능이 알려지지 않은 동반 단백질과 함께 구성된 시스템이라는 것입니다.Anthropic은 연구자들이 여전히 이 시스템의 주요 기능을 모르고 있으며, 그것이 성숙한 유전자 편집 도구처럼 DNA를 방향성 수정할 수 있다는 것을 증명하지 못했다고 밝혔습니다. 초기 실험에서는 이러한 반복 서열이 다양한 짧은 RNA를 생성할 수 있음을 발견했지만, 이는 프로그래머블 유전자 편집 능력을 갖추었다는 것을 의미하지는 않습니다. 사전 인쇄 논문에서는 발견을 반복할 수 있는지 검증하기 위해 팀이 동일한 검색을 10회 더 실행했다고 밝혔습니다;

first_img 삼성전자 다음 세대 DRAM 로드맵을 조정하여 B1b를 D0a로 명명하다

ZDNet Korea에 따르면, 삼성전자는 차세대 DRAM 전략을 조정하여 이전에 프로젝트 형태로 개발된 B1b를 공식 로드맵에 포함시키고, 이를 첫 번째 10nm 이하 DRAM D0a로 명명했습니다. 이전에 D0a는 수직 트랜지스터 DRAM을 지칭했으나, 현재 이 제품은 D0a-V로 별도로 분류됩니다. 이번 이름 변경은 범용 DRAM에서 고급 패키지를 도입하는 속도를 높이기 위한 것입니다.B1b는 저장 셀과 주변 구동 회로를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 후 결합하며, 웨이퍼 대 웨이퍼 혼합 결합을 사용하여 구리 상호 연결을 통해 직접 연결합니다. 현재 상용화된 DRAM은 1c로, 6세대 10nm급, 선폭 약 11~12nm입니다; 차세대 1d는 7세대 10nm급, 선폭 약 10~11nm로, 사실상 마지막 10nm급 제품으로 간주됩니다. 관련 선폭은 마케팅 용어일 뿐 실제 물리적 크기는 아닙니다. 수직 트랜지스터는 셀 내 트랜지스터를 수직으로 배치하여 셀 면적을 6F²에서 4F²로 줄일 수 있지만, 높은 깊이 폭 비율 에칭과 누설 전류에 대응해야 하므로 개발 난이도가 높습니다. 웨이퍼 대 웨이퍼 혼합 결합은 CMOS 이미지 센서와 고적층 NAND에서 양산 적용되고 있습니다.삼성전자는 B1b를 8세대 고대역폭 메모리 HBM5에 사용할 가능성을 평가하고 있습니다. HBM5는 약 2029년에 양산될 것으로 예상되며, HBM4E보다 50% 이상의 속도 향상을 목표로 하고 있습니다. 업계에서는 B1b 기반의 D0a DRAM이 가장 빠르면 약 2년 후 상용화될 것으로 추정하고 있으며, 구체적인 양산 투자 일정은 내년 중반에 확정될 예정입니다.

first_img 삼성전자, HBM4 수요에 대응하기 위해 4 나노 생산 확대 계획

머니 투데이에 따르면 9월 21일, 삼성전자는 HBM 시장 성장에 따라 웨이퍼 파운드리의 고급 공정 생산 능력 확장을 추진하고 있으며, HBM4 기판 칩 수요 증가에 대응하기 위해 4나노 공정 확대를 평가하고 있습니다. 삼성 HBM4는 10나노급 6세대(1c) DRAM 핵심 칩과 4나노 논리 기판 칩으로 구성되어 있으며, 기판 칩은 GPU와 같은 AI 가속기와 고속으로 데이터를 교환하는 역할을 합니다.SK 하이닉스가 TSMC의 12나노를 사용하는 것과 달리, 삼성은 HBM4 기판 칩에 자사의 4나노 공정을 사용하고 있습니다. 해당 생산 라인은 풀가동 중이며 엔비디아 Groq 3 LPU 등의 주문을 수주했습니다. 회사는 최근 4나노 신규 주문 및 HBM4 기판 칩 가격을 인상했습니다. 삼성은 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 증가할 것으로 예상하며, 하반기 HBM 매출 중 HBM4 비중이 60%를 훨씬 초과할 것이라고 밝혔습니다. 평택 P4 추가 확산의 대부분은 HBM용 1c DRAM에 사용될 것이며, 웨이퍼 파운드리 4나노 생산 능력의 절반 이상이 HBM4 기판 칩에 배정되었습니다.HBM4E 역시 4나노 기판 칩을 사용하며, 삼성은 5월 고객에게 샘플을 제공했습니다. 회사는 HBM5를 위한 2나노 신규 생산 라인 구축을 평가하고 있으며, 목표는 GAA 구조의 2나노 공정을 통해 TSV 밀도를 높여 HBM4E보다 50% 이상의 속도 향상을 이루는 것입니다. 삼성은 지난해 하반기에 2나노 1세대 양산을 시작했으며, 올해 하반기에 2세대 제품을 추진할 예정입니다. 씨티는 내년 전 세계 HBM 비트 수요가 752억 Gb에 이를 것으로 예상하며, 이는 전년 대비 62% 증가한 수치입니다. 공급은 약 594억 Gb로, 부족분은 약 21%에 이를 것으로 보입니다.

first_img 유럽 중앙은행은 전자상거래 상인들이 디지털 유로 시범에 참여할 것을 촉구하며, 목표는 2029년 발행이다

코인데스크에 따르면, 유럽 중앙은행(ECB)은 화요일 유로존의 전자상거래 및 모바일 상거래 상인들에게 디지털 유로 파일럿에 참여할 것을 촉구하며, 2029년에 발행될 가능성이 있는 소매 중앙은행 디지털 통화에 대비하고 있습니다. 이 파일럿은 해당 통화의 테스트 버전의 기술, 운영 프로세스 및 사용자 경험을 테스트할 것이며, 테스트 버전은 디지털 유로와 유사하지만 법정 통화는 아닙니다.파일럿은 12개월 동안 진행되며, 2027년 하반기에 시작될 예정이며, 최종 발행은 법률 및 관리 위원회의 별도 결정을 필요로 합니다. 몇 주 전, 유럽 중앙은행은 테스트 단계에 참여할 36개의 은행 및 결제 기관을 선정했습니다. 파일럿은 유럽 중앙은행, 19개 유로존 국가의 중앙은행 및 선정된 상인들이 공동으로 참여하며, 중앙은행 직원들은 사용자로서 개인 간 온라인 및 오프라인 송금, 매장 내 결제, 전자상거래 및 모바일 상거래 결제 등의 장면을 테스트할 것입니다.유럽 중앙은행 총재인 크리스틴 라가르드는 디지털 유로가 유럽 통화 주권을 유지하고 달러 기반 스테이블코인에 대한 의존도를 줄이는 데 매우 필요하다고 밝혔습니다. 유럽 중앙은행은 테더의 USDT와 서클의 USDC와 같은 민간 달러 스테이블코인의 보급이 유럽 통화 자율성에 위협이 된다고 생각합니다. 헤데라의 글로벌 정책 부사장인 이사도라 아레돈도는 디지털 유로의 성공은 상업적 측면의 실행 가능성에 더 달려 있으며, 상인들은 인센티브가 필요하고 결제 서비스 제공업체는 상인이 디지털 유로 결제를 수용하는 수수료를 낮추는 것을 고려할 수 있다고 언급했습니다.

first_img 삼성전자, SK 하이닉스 3분기 영업 이익 전망 상향 조정

한국일보 9월 15일 보도에 따르면, 삼성전자와 SK 하이닉스의 3분기 영업 이익 컨센서스가 3개월 만에 다시 상향 조정됐다. 주요 증권사와 해외 투자은행 보고서를 종합하면, 삼성전자의 3분기 영업 이익 예상은 약 114조 원으로, 3개월 전의 101.9052조 원에서 12.2836조 원(12%) 상향 조정되었고, 2분기 89.4조 원 대비 28% 증가했다. SK 하이닉스의 3분기 예상은 78.8035조 원으로, 3개월 전의 75.7249조 원에서 4% 상향 조정되었고, 2분기 60.5426조 원 대비 30% 증가했다.TrendForce는 3분기 일반 DRAM 고정 거래 가격이 전분기 대비 13%에서 18% 상승하고, NAND 플래시가 10%에서 15% 상승할 것으로 예상하고 있다. 증권업계는 삼성전자의 HBM4 매출 비중이 1분기 5%에서 2분기 약 35%로 확대되었고, 수율이 개선되고 있다는 점에 주목하고 있다. SK 하이닉스는 HBM 시장 점유율 1위를 유지하고 있지만, 삼성 HBM4 양산 개선이 공급 프리미엄을 희석할 수 있다. 씨티그룹 증권은 원화 강세로 인해 SK 하이닉스의 3분기 영업 이익 예상치를 76.7조 원에서 74조 원으로 하향 조정했다. 마이크론은 30일 2026 회계연도 4분기(6월~8월) 실적을 발표할 예정이며, 매출 가이드는 490억에서 510억 달러이다.

first_img 삼성전자가 AI 반도체 기판 MLC 복합화 방향을 제안했습니다

9월 10일, 삼성전기 패키징 사업부 팀장 김상훈은 인천 송도 컨벤시아에서 열린 KPCA Show 국제 세미나 INSIGHT 2026에서 발표를 하며 AI 반도체 패키징 기판의 대형화, 고다층화에 대응하기 위한 다층 코어(MLC) 기술 방향을 제시했습니다.김상훈은 과거에는 단일 코어(SLC) 방식으로 단일 CCL 두께를 증가시키는 방법을 사용했으나, 코어가 두꺼워짐에 따라 내부 비아와 회로 가공 난이도가 상승하고 비아 크기 축소에 제한이 있다고 언급했습니다. MLC는 CCL과 PPG 다층 조합 또는 두 개의 CCL 혼합 구조로 전환하여 강성을 동시에 높이고 배선 자유도를 향상시킬 수 있으며, PPG 층에 접지선 또는 신호 배선을 배치할 수 있습니다. 두 개의 CCL 사이에 접합층을 추가하면 기판을 더 안정적으로 지지할 수 있지만 공정이 더 복잡해집니다.현재 양산에서 일반적으로 사용하는 돌기 간격은 90μm 이상이며, 85μm 정도가 인쇄 미세 납땜 볼 공정의 전환점이고, 80μm 근처에서는 난이도가 현저히 상승하며, 55--45μm 급은 금속 돌기로 전환될 가능성이 있습니다. 유리 코어는 또 다른 옵션으로, 강성이 더 높고 열 팽창 계수가 더 낮아 대형 패키징의 휘어짐을 줄이는 데 도움이 되지만, 취급의 취약성과 미세 구멍 도금 기술 문제를 해결해야 합니다. 기판은 신호 완전성, 전원 완전성 및 기계적 완전성을 동시에 충족해야 하며, 고성능 패키징 기판의 층수는 약 20층, 90mm 급에서 120mm 급 및 40층 이상으로 발전할 것입니다.

first_img 삼성전자에서 화면이 있는 AI 안경을 개발하고 있으며, 가장 빠르면 2027년 하반기에 출시될 예정이다

삼성전자가 첫 번째 디스플레이가 장착된 AI 안경 개발에 착수했다고 과학기술혁신판 일보가 보도했습니다. 이 제품은 오디오 기능을 제공할 뿐만 아니라 렌즈에 컬러 비주얼 정보를 표시할 수 있으며, Meta Ray-Ban Display 스마트 안경과 유사합니다.업계 관계자에 따르면, 삼성전자는 AI 안경을 위해 크기가 0.2인치 또는 그보다 작은 초소형 화면 개발을 고려하고 있으며, 지난달 삼성디스플레이에 해당 개발 과제를 맡기고 제품 외형 크기, 정보 표시 면적, 색상 및 가격 등에 대한 요구 사항을 제시했습니다. 삼성전자는 현재 OLEDoS 또는 LEDoS와 같은 후보 패널 솔루션을 평가하고 있으며, 업계에서는 이 제품이 2027년 하반기 또는 2028년 상반기에 출시될 것으로 예상하고 있습니다.현재 이 안경의 구체적인 세부 사항은 확정되지 않았습니다. 색상 표시 측면에서 삼성전자는 고해상도 화면이 아닌 4비트 색상의 제한된 그레이스케일을 채택할 것으로 예상하고 있으며, 쌍안식 디자인 또는 단안식 디자인을 채택할지는 아직 결정되지 않았습니다. 업계 관계자는 RGB OLEDoS가 가격과 수율 측면에서 도전에 직면해 있으며, 흰색 OLEDoS 패널이 출시될 가능성이 높다고 전했습니다. 삼성은 이전에 디스플레이가 없는 AI 안경을 삼성전자, 구글, 젠틀몬스터 및 워비파커와 공동 개발한 바 있습니다.
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