BTC $71,299.64 -3.42%
ETH $1,995.49 -3.41%
BNB $651.14 -4.36%
XRP $1.02 -3.85%
SOL $81.09 -3.47%
TRX $0.3152 -0.48%
DOGE $0.0646 -6.33%
ADA $0.1680 -5.62%
BCH $223.48 -2.79%
LINK $9.84 -6.06%
HYPE $70.73 -2.95%
AAVE $112.40 -9.26%
SUI $0.7854 -5.72%
XLM $0.1426 -5.92%
ZEC $950.45 -3.89%
AAPL $358.05 +1.23%
AMZN $270.05 +1.29%
GOOGL $295.88 +1.62%
MSFT $525.65 +0.74%
META $621.61 -2.27%
NVDA $163.53 -6.31%
TSLA $390.72 -0.85%
SNDK $919.73 -6.45%
INTC $60.26 -3.54%
SPCX $141.36 -0.59%
MU $773.64 -4.25%
AMD $562.63 +3.31%
BTC $71,299.64 -3.42%
ETH $1,995.49 -3.41%
BNB $651.14 -4.36%
XRP $1.02 -3.85%
SOL $81.09 -3.47%
TRX $0.3152 -0.48%
DOGE $0.0646 -6.33%
ADA $0.1680 -5.62%
BCH $223.48 -2.79%
LINK $9.84 -6.06%
HYPE $70.73 -2.95%
AAVE $112.40 -9.26%
SUI $0.7854 -5.72%
XLM $0.1426 -5.92%
ZEC $950.45 -3.89%
AAPL $358.05 +1.23%
AMZN $270.05 +1.29%
GOOGL $295.88 +1.62%
MSFT $525.65 +0.74%
META $621.61 -2.27%
NVDA $163.53 -6.31%
TSLA $390.72 -0.85%
SNDK $919.73 -6.45%
INTC $60.26 -3.54%
SPCX $141.36 -0.59%
MU $773.64 -4.25%
AMD $562.63 +3.31%
first_img

Samsung Electronics продвигает расширение завода P5 в Пхенчхане до трехуровневого полупроводникового завода

2026-08-19 18:20:41

Сообщение ChainCatcher, согласно информации из Восточноазиатской ежедневной газеты, компания Samsung Electronics планирует расширить ключевой проект полупроводникового завода P5 1·2 в Пхенчхане, провинция Кёнгидо, с двухслойного завода на трехслойный, чтобы справиться с глобальным суперциклом полупроводников для искусственного интеллекта и памяти, максимизируя производственные мощности. Samsung Electronics недавно подала заявку на изменение плана промышленного парка, предлагая увеличить коэффициент застройки с 350% до максимума в 490%. Это изменение должно быть проверено губернатором Кёнгидо и окончательно утверждено Комитетом по политике размещения промышленности Министерства земельных ресурсов и транспорта.

Завод P5 1·2 в Пхенчхане является крупнейшим в мире полупроводниковым заводом по единому стандарту, строительство началось в 2022 году, а завершение запланировано на 2030 год. Завод будет производить высокоскоростную память (HBM), высококачественную DRAM, память следующего поколения V-NAND и передовые продукты контрактного производства. В настоящее время запущенный завод P4 в Пхенчхане имеет двухслойную структуру с четырьмя чистыми помещениями в одном здании; если изменение будет одобрено, P5 будет оснащен до шести чистых помещений, что позволит увеличить количество чистых помещений и производственные мощности примерно на 1,5 раза. SK Hynix также планирует построить новый завод по производству полупроводников в Лонгине с полностью трехслойной структурой.

Агентство Counterpoint Research ожидает, что объем мирового рынка памяти вырастет с примерно 360 триллионов вон в прошлом году до 1500 триллионов вон в этом году и 2100 триллионов вон в следующем. В условиях все более сложного получения электроэнергии, воды и земли, увеличение коэффициента застройки для строительства трехслойных заводов становится важным путем для преодоления физических ограничений ограниченного пространства и опоры на существующую экосистему полупроводниковой промышленности.

app_icon
ChainCatcher Building the Web3 world with innovations.