Производственный выход HBM3 компании Changxin Storage остановился на уровне 25%

Согласно сообщению газеты "Чосон Ильбо", крупнейший производитель DRAM в Китае, компания Changxin Storage (CXMT), запустила опытное производство четвертого поколения высокоскоростной памяти HBM3. Начальный выход годной продукции остановился на уровне 25%, что составляет примерно одну треть золотого выхода в 80% для серийного производства. SK Hynix с 2022 года производит аналогичную продукцию, выход которой превышает 90%.

Выход годной продукции на первом этапе для 8-слойных продуктов HBM3 от Changxin Storage составляет около 30%, а на втором этапе — около 70%, что становится окончательной годной продукцией. Компания поставляет небольшое количество образцов китайским компаниям, таким как Alibaba Pingtouge и Cambricon, и продолжает улучшать выход годной продукции. Технология G4 (17 нм) для обычного DRAM не имеет серьезных проблем, но DRAM-чипы для HBM имеют большую площадь и более строгие электрические спецификации.

Отрасль связывает причины с недостаточной зрелостью технологии кремниевых через отверстия TSV. Анализ Nomad Semi показывает, что у Samsung HBM2 более 5000 TSV на чип, у SK Hynix HBM3 более 8000, а у Changxin Storage около 3000. Существует разрыв в 4-5 лет по сравнению с Samsung и SK Hynix.