electronic

Согласно сообщениям корейских СМИ, Samsung Electronics подписала долгосрочное соглашение о поставках памяти на следующий год, охватывающее примерно 75% до 80%, включая высокоскоростную память. Сообщается, что Samsung Electronics завершила большую часть контрактов с основными технологическими компаниями, такими как NVIDIA, Google и Microsoft.SK Hynix и Micron также ускоряют закрепление объемов поставок и подписывают ряд крупных долгосрочных контрактов с основными клиентами. Сообщается, что Samsung Electro-Mechanics близка к подписанию долгосрочного соглашения с тайваньской компанией Delta Electronics на сумму 700 миллиардов вон для поставки многослойных керамических конденсаторов.

Компания Samsung Electronics опубликовала предварительные результаты за третий квартал: операционная прибыль составила 107,4 триллиона вон, в то время как рыночные ожидания составляли 106,1 триллиона вон; выручка за третий квартал составила 195 триллионов вон, в то время как рыночные ожидания составляли 199 триллионов вон.

Согласно отчету Корейской экономической газеты, следующая генерация высокоскоростной памяти Samsung Electronics "12-слойная HBM4E" прошла проверку качества от NVIDIA и основных операторов гипермасштабных дата-центров.

Согласно сообщению финансового агентства, ссылаясь на местные СМИ, 29 сентября, вице-президент Samsung Electronics Ким Тэ У: ожидается, что в следующем году HBM займет почти 30% от общего объема производства полупроводниковых пластин производителей DRAM, в настоящее время этот показатель составляет около 20%. Он отметил, что HBM и традиционный DRAM конкурируют за одну и ту же партию производственных мощностей, увеличение производства HBM может сократить предложение традиционного DRAM.TrendForce ранее прогнозировал, что к концу 2027 года три крупнейших поставщика HBM будут вкладывать около 30% в общий объем пластин DRAM, но по объему памяти это сможет составить лишь около 13% от общего предложения DRAM. Кроме того, согласно сообщениям СМИ от 20 сентября, Samsung начала массовое производство HBM4 в феврале этого года и в мае предоставила образцы 12-слойного HBM4E клиентам, включая NVIDIA; в отрасли ожидают, что ежемесячный объем поставок пластин HBM от Samsung вырастет с примерно 180 000 в этом году до около 250 000 в следующем.TrendForce в тот же день заявила, что спрос на серверы AI продолжает расти, HBM и универсальный DRAM по-прежнему будут делить ограниченные производственные мощности передовых технологий, а в 2027 году предложение памяти останется напряженным, и прогноз цен на HBM на 2027 год был повышен, ожидается, что средняя цена вырастет на 121% по сравнению с прошлым годом. Из-за ограниченного предложения и роста системных затрат 8-слойный HBM, как ожидается, станет приоритетным вариантом для многих производителей в 2027 году, его цена за Гб будет на 10% до 20% выше, чем у 12-слойных продуктов.

Компания Delta Electronics будет разрабатывать систему автономного вождения на основе Hyperion от NVIDIA (NVDA.O).

Согласно отчету ZDNet Korea от 28 сентября, Samsung Electronics ускоряет строительство первой линии массового производства (Ph1) в пятом парке Пхенчжина (P5) и обсуждает с основными производителями оборудования перенос сроков установки оборудования Ph1 с запланированного на третий квартал следующего года на второй квартал следующего года. P5 является следующей базой по производству полупроводников с целью запуска в 2028 году, строительство чистой комнаты Ph1 началось в третьем квартале этого года.Ранее Samsung Electronics перенесла завершение строительства чистой комнаты P5 Ph1, запланированное на начало следующего года, примерно на 6 месяцев, поэтому ввод оборудования ожидается примерно в третьем квартале следующего года. Эксперты отрасли сообщают, что начало переноса оборудования планируется с июля-августа следующего года на май-июнь следующего года; другие источники утверждают, что Samsung даже предложила сначала доставить оборудование в первом квартале следующего года и временно хранить его в других местах, что демонстрирует сильную готовность к предварительным инвестициям.Обсуждение инвестиций во втором этапе P5 (Ph2) также продолжается. В настоящее время Ph1, скорее всего, будет построен как линия производства DRAM и HBM, тогда как Ph2, вероятно, будет включать в себя передовые линии NAND, включая десятую (V10). Представители оборудования сообщают, что официальные заказы на закупку еще не размещены, но Samsung уже обсуждала с партнерами возможность создания линии NAND в Ph2 и, учитывая длительный цикл поставки оборудования, требует заранее подготовить соответствующие компоненты. Сообщается, что крупные мировые технологические компании увеличивают заказы на высокопроизводительные DRAM и NAND для инфраструктуры ИИ, в то время как у таких компаний, как Samsung, ограниченные производственные мощности. В июле на телефонной конференции по результатам второго квартала Samsung заявила, что неудовлетворенный спрос этого года будет перенесен на следующий год, нехватка поставок в следующем году будет более серьезной, чем в этом году, и ожидается, что нехватка продлится до 2028 года.

LG Electronics присоединилась к официальной партнерской программе NVIDIA по решениям для охлаждения AI-центров обработки данных и была признана предпочтительным партнером в категории "Энергия и охлаждение".LG стремится расширить рынок гипермасштабных центров обработки данных и хостинга, особенно на рынке Северной Америки. В настоящее время более 60% спроса на новые мощности центров обработки данных в мире сосредоточено в Северной Америке.

Согласно отчету ZDNet Korea, Samsung Electronics корректирует стратегию следующего поколения DRAM, включая ранее разрабатываемый в рамках проекта B1b в официальную дорожную карту и называя его первым DRAM D0a с размером менее 10 нанометров. Ранее D0a относился к вертикальным транзисторным DRAM, теперь этот продукт отдельно классифицируется как D0a-V. Переименование направлено на ускорение внедрения передовой упаковки в универсальный DRAM.B1b будет производить ячейки памяти и окружающие драйверные цепи на разных пластинах, а затем соединять их, используя смешанное соединение пластин, с прямым соединением через медные межсоединения. В настоящее время коммерчески доступный DRAM — это 1c, то есть 6-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 11 до 12 нанометров; следующее поколение 1d — это 7-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 10 до 11 нанометров, которое рассматривается как фактически последний продукт 10-нанометрового уровня, соответствующая ширина линии является маркетинговым термином, а не фактическим физическим размером. Вертикальные транзисторы могут располагать транзисторы внутри ячейки вертикально, уменьшая площадь ячейки с 6F² до 4F², но необходимо справляться с высокой соотношением глубины и ширины травления и утечкой тока, что делает разработку более сложной. Смешанное соединение пластин уже применяется в массовом производстве CMOS-датчиков изображения и высокостековых NAND.Samsung Electronics оценивает возможность использования B1b для 8-го поколения высокоскоростной памяти HBM5. Ожидается, что HBM5 будет запущен в массовое производство примерно в 2029 году, с целью увеличения скорости работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. В отрасли предполагают, что DRAM D0a на основе B1b будет доступен для коммерческого использования не ранее чем через два года, конкретный график инвестиций в массовое производство может быть определен в середине следующего года.

Компания Аони Электроника объявила, что ее дочерняя компания Аони Умные Технологии (Чжуншань) подписала контракт на закупку с компанией A на закупку карт GPU, общая сумма контракта составляет 1,67 миллиарда юаней (включая налог). Контракт был официально подписан и вступил в силу.

Согласно отчету Money Today от 21 сентября, Samsung Electronics продвигает расширение мощностей по производству передовых технологий полупроводниковых пластин в связи с ростом рынка HBM, оценивая увеличение производства по 4-нм технологии для удовлетворения растущего спроса на чипы базового уровня HBM4. HBM4 от Samsung состоит из 10-нм 6-го поколения (1c) DRAM основных чипов и 4-нм логических базовых чипов, которые отвечают за высокоскоростной обмен данными с GPU и другими AI-ускорителями.В отличие от SK Hynix, использующего 12-нм технологию TSMC, Samsung применяет собственную 4-нм технологию для базовых чипов HBM4. Эта производственная линия работает на полную мощность и принимает заказы, такие как Groq 3 LPU от NVIDIA, компания недавно повысила цены на новые заказы по 4-нм и базовые чипы HBM4. Samsung ожидает, что доходы от HBM4 в третьем квартале вырастут более чем в 3 раза по сравнению с предыдущим кварталом, а доля HBM4 в доходах от HBM во второй половине года значительно превысит 60%. Дополнительное расширение P4 в Пхенчхане в основном будет использовано для 1c DRAM для HBM, более половины мощностей по 4-нм технологии полупроводниковых пластин уже распределено на базовые чипы HBM4.HBM4E также использует 4-нм базовые чипы, Samsung предоставила образцы клиентам в мае. Компания также оценивает возможность строительства новой производственной линии по 2-нм технологии для HBM5, цель состоит в том, чтобы использовать структуру GAA и увеличить плотность TSV, что позволит увеличить скорость работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. Citi ожидает, что в следующем году глобальный спрос на биты HBM достигнет 75,2 миллиарда Gb, что на 62% больше по сравнению с прошлым годом, при этом предложение составит около 59,4 миллиарда Gb, а дефицит составит около 21%.

Согласно отчету Seoul Economic Daily, Samsung Electronics планирует в следующем году увеличить объем производства шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4 и седьмого поколения HBM4E, а также других продуктов серии HBM4 как минимум вдвое по сравнению с текущим годом. Компания намерена увеличить объем очистки стеклянных подложек, необходимых для тонкой обработки HBM на DRAM, с 20 000 штук в месяц в этом году до 50 000 штук в месяц в следующем году, что составляет увеличение в 2,5 раза. В прошлом году месячный спрос на эти подложки составлял около 10 000 штук, в этом году он удвоился по сравнению с прошлым годом.Основное внимание Samsung Electronics уделяет увеличению производства HBM4 и HBM4E, которые в основном состоят из высоких многослойных продуктов с 12 слоями и более. Компания начала массовое производство HBM4 с использованием шестого поколения DRAM на уровне 10 нм (1c) и чипов на основе 4 нм в феврале этого года, а в мае предоставила образцы HBM4E с 12 слоями клиентам, таким как NVIDIA. Ожидается, что с учетом среднемесячного ввода вафель, производственные мощности HBM Samsung Electronics увеличатся с примерно 180 000 штук в этом году до примерно 250 000 штук в следующем году, что составляет рост почти на 40%; доля отгрузок серии HBM4 может вырасти с примерно 40% в этом году до примерно 80% в следующем году.

Компания Samsung Electronics в прошлом месяце наняла бывшего начальника отдела валютного регулирования Министерства финансов и экономики Ли Хикуна в качестве исполнительного директора IR команды. Ли Хикуна ранее занимал должности начальника отдела валютного регулирования, начальника отдела политики денежного рынка и другие, отвечая за валютное регулирование и реагирование на зарубежные инвестиции. В апреле этого года он участвовал в работе по включению Кореи в мировой индекс государственных облигаций и получил специальное признание. Ожидается, что он будет отвечать за взаимодействие с зарубежными инвесторами и глобальными капиталовложениями.Компания SK Hynix в прошлом месяце наняла бывшего начальника отдела стратегического экономического планирования Министерства финансов и экономики Чжон Ючжена на должность заместителя президента по коммуникациям. Чжон Ючжен ранее занимал должности начальника отдела бюджета по климату и окружающей среде, секретаря заместителя премьер-министра по экономике, начальника отдела валютного регулирования и начальника отдела валютных средств. Обе компании продвигают инвестиции в производство в США; Samsung Electronics планирует вложить 37 миллиардов долларов в строительство завода по производству полупроводников в Техасе, а SK Hynix планирует инвестировать 4 миллиарда долларов в строительство завода по передовым упаковочным технологиям в Индиане.

Согласно сообщению газеты "Чосон Ильбо" от 15 сентября, консенсус по операционной прибыли Samsung Electronics и SK Hynix в третьем квартале был снова пересмотрен за три месяца. По данным основных брокеров и зарубежных инвестиционных банков, операционная прибыль Samsung Electronics в третьем квартале оценивается примерно в 114 триллионов вон, что на 12.2836 триллионов вон (12%) выше, чем три месяца назад, когда она составляла 101.9052 триллиона вон, и на 28% выше по сравнению со вторым кварталом, который составил 89.4 триллиона вон. Ожидаемая прибыль SK Hynix в третьем квартале составляет 78.8035 триллиона вон, что на 4% выше, чем три месяца назад, когда она составляла 75.7249 триллиона вон, и на 30% выше по сравнению со вторым кварталом, который составил 60.5426 триллиона вон.TrendForce ожидает, что фиксированные цены на DRAM в третьем квартале вырастут на 13% до 18% по сравнению с предыдущим кварталом, а NAND флеш-память вырастет на 10% до 15%. Финансовые аналитики обращают внимание на то, что доля выручки Samsung Electronics от HBM4 увеличилась с 5% в первом квартале до примерно 35% во втором квартале, а также улучшилась выходная способность. SK Hynix сохраняет первое место по доле рынка HBM, но улучшение массового производства HBM4 от Samsung может размыть его премию на поставки. Citigroup Securities снизила прогноз операционной прибыли SK Hynix в третьем квартале с 76.7 триллиона вон до 74 триллионов вон из-за укрепления вон. Micron опубликует результаты за четвертый квартал 2026 финансового года (с июня по август) 30 числа, прогнозируемая выручка составляет от 49 до 51 миллиарда долларов.

Центральный банк Кореи в недавно опубликованном отчете о денежно-кредитной политике за сентябрь 2026 года проанализировал причины колебаний комплексного фондового индекса Кореи (KOSPI) с начала этого года. В отчете говорится, что с постоянным ростом KOSPI вклад Samsung Electronics и SK Hynix в рост индекса быстро увеличился.Особенно в процессе роста KOSPI с 8000 до 9000 пунктов в июне этого года, вклад этих двух акций в рост индекса составил 99%.

Согласно отчету The Bell, подразделение контрактного производства Samsung Electronics и Qualcomm задерживают контракт на производство процессоров из-за разногласий по цене на производство, стороны не смогли сократить разрыв в ценах, переговоры продолжаются. На техническом уровне не возникло серьезных проблем, текущая обсуждаемая 2-нм технология получила достаточно стабильную оценку.По информации отрасли, использование 2-нм технологии Samsung для контрактного производства AP Qualcomm может быть отложено до следующего года, неясно, удастся ли запустить производство в этом году. Qualcomm ранее передала контракт на передовые AP Samsung до 2021 года, и в последние годы Samsung продолжает стремиться вернуть этот бизнес, уже завоевав клиентов, таких как Tesla и Broadcom.Осведомленные источники сообщают, что задержка контракта делает трудным для Samsung производство AP для Qualcomm в этом году, и стороны могут перейти к обсуждению следующего поколения продуктов. После получения стратегических клиентов Samsung больше не принимает заказы по низким ценам, как это было раньше.

Согласно отчету газеты "Кэчуанбань", компания Samsung Electronics начала разработку своих первых AI-очков с дисплеем. Этот продукт не только обеспечивает аудиофункции, но и может отображать цветную визуальную информацию на линзах, аналогично умным очкам Meta Ray-Ban Display.Отраслевые эксперты сообщают, что Samsung Electronics рассматривает возможность разработки сверхмалых экранов размером всего 0,2 дюйма или меньше для AI-очков и в прошлом месяце передала эту задачу Samsung Display, выдвинув требования по размерам продукта, площади отображения информации, цвету и цене. В настоящее время Samsung Electronics оценивает кандидатные панели, такие как OLEDoS или LEDoS, и ожидается, что продукт будет представлен во второй половине 2027 года или в первой половине 2028 года.На данный момент конкретные детали очков не определены. В отношении цветного отображения Samsung Electronics ожидает использования ограниченной градации серого с 4 цветами, а не высококачественного экрана, и пока не решено, будет ли использоваться стереоскопический или монокулярный дизайн. Отраслевые эксперты отмечают, что RGB OLEDoS сталкивается с проблемами по цене и выходу годной продукции, и, вероятно, будет представлен белый OLEDoS панель. Ранее Samsung выпустила AI-очки без дисплея, разработанные совместно с Samsung Electronics, Google, Gentle Monster и Warby Parker.

Французская компания искусственного интеллекта Mistral AI объявила о завершении раунда финансирования D на сумму 3 миллиарда евро, после чего оценка компании превысила 21 миллиард евро. Компания заявила, что это крупнейшее в Европе финансирование акций для технологических компаний на сегодняшний день. Лидером инвестиций выступила Samsung Electronics, совместно с фондом Scaleup Europe Fund, управляемым EQT, и существующим инвестором PSG Equity. Новыми инвесторами стали Advent, фонды и счета, управляемые BlackRock, а также Великое герцогство Люксембург.Существующие инвесторы, такие как a16z, ASML, Belfius, BNP Paribas CIB, Bpifrance, Carmignac, DST Global, Eurazeo, General Catalyst, Headline, Hillspire, Index Ventures, Korelya Capital, Lightspeed, NVIDIA, Solar Fund под управлением Phoenix Court (включая LocalGlobe, Latitude и Solar) и Salesforce Ventures, продолжают участвовать в инвестициях. Средства будут направлены на исследования передовых моделей, расширение вычислительных мощностей и инфраструктуры, а также на коммерциализацию и выход на международные рынки. В настоящее время Mistral AI работает в 20 странах, обслуживая более 125 компаний, включая Airbus, ASML и HSBC.

Согласно сообщениям корейских СМИ Greened.kr, Samsung Electronics совместно с Arm официально запустили совместную разработку AI-чипов для конечных устройств. Arm в конце августа утвердил выделение единовременных инженерных средств для разработки чипов следующего поколения AI SoC для конечных устройств и официально начал этот проект с Samsung Electronics.Проект реализуется в формате сотрудничества, при котором Arm предоставляет ключевые технологии, а Samsung Electronics интегрирует их для практического применения, с целью совместной разработки индивидуализированных чипов для конечных клиентов.

Сообщение ChainCatcher, согласно корейскому изданию «Сеульская экономика», 31 августа сообщает, что цены на HBM и DRAM, используемые в AI-ускорителях, продолжают расти. Данные Корейской торговой ассоциации показывают, что объем экспорта DRAM снизился с примерно 681,7 миллиона штук в мае до 591,74 миллиона штук в июле, что составляет снижение на 13,2%, в то время как экспортная выручка увеличилась с 11,428 миллиарда долларов до 13,552 миллиарда долларов, что составляет рост на 18,5%. Экспортная цена за единицу увеличилась с 16,76 долларов до 22,9 долларов, что составляет рост на 36,6%.Поставки HBM4 клиентам, таким как NVIDIA, расширяются, и начальный выход продукции ниже, чем у HBM3E, что усугубляет общий дефицит поставок DRAM. Сообщается, что подразделение памяти Samsung Electronics выделит около 70% своих мощностей на долгосрочные соглашения о поставках до 2031 года, основными клиентами будут NVIDIA, Microsoft и Google. Данные Mega Grid Supply показывают, что цена на HBM3E 36GB на спотовом рынке составляет 2100 долларов, что примерно в 4-5 раз выше цены по долгосрочному соглашению; цена на HBM4 16 слоев, находящийся в процессе массового производства, составляет около 3500 долларов.Финансовые аналитики ожидают, что выручка Samsung Electronics в третьем квартале составит 206,64 триллиона вон, а операционная прибыль — 116,38 триллиона вон, что впервые превысит 100 триллионов вон. Ожидается, что выручка SK Hynix в третьем квартале составит 101,76 триллиона вон, а операционная прибыль — 79,16 триллиона вон. Samsung Electronics рассматривает возможность перевода единственной линии по производству полупроводников S5 в парке Пхенчжон на производство памяти как можно раньше в следующем году.

Сообщение ChainCatcher, сегодня акции полупроводниковых компаний на корейском рынке испытывают давление и снижаются, однако торговля на соответствующих рынках активна. Согласно данным платформы Gate, SK Хайникс (000660) сейчас торгуется по цене 1,175.12 долларов, снижение за 24 часа составило 2.11%; Samsung Electronics (005930) сейчас торгуется по цене 183.02 долларов, снижение за 24 часа составило 1.94%.Согласно данным CoinGlass, на контрактном рынке SKHYNIX и SAMSUNG наблюдается активная торговля, объемы открытых позиций по двум контрактам увеличились на 4.03% и 7.30% соответственно, объем сделок по контрактам увеличился на 451.63% и 1069.65%. В производных финансовых инструментах, связанных с акциями на Gate, объем открытых позиций по контракту SKHX составляет 180 миллионов долларов, что занимает второе место в сети, объем сделок за 24 часа составляет 180 миллионов долларов; объем открытых позиций по контракту SAMSUNG составляет 8.14 миллионов долларов, что также занимает второе место в сети, объем сделок за 24 часа составляет 5.94 миллионов долларов.