BTC $82,458.92 +0.69%
ETH $2,451.17 +0.24%
BNB $732.27 +0.22%
XRP $1.34 +0.54%
SOL $106.06 +1.00%
TRX $0.3313 -0.87%
DOGE $0.0810 -1.85%
ADA $0.2303 -0.12%
BCH $277.30 +2.30%
LINK $12.50 -0.39%
HYPE $81.66 +2.10%
AAVE $156.31 -0.47%
SUI $1.02 -0.18%
XLM $0.1852 +0.23%
ZEC $1,221.77 +4.86%
AAPL $344.83 +0.49%
AMZN $254.43 +0.15%
GOOGL $350.05 +0.33%
MSFT $539.88 +0.67%
META $741.03 +0.64%
NVDA $217.38 -2.13%
TSLA $360.47 -1.93%
SNDK $1,335.91 -5.79%
INTC $94.10 -5.04%
SPCX $146.79 -4.19%
MU $911.44 -1.72%
AMD $548.90 -4.25%
BTC $82,458.92 +0.69%
ETH $2,451.17 +0.24%
BNB $732.27 +0.22%
XRP $1.34 +0.54%
SOL $106.06 +1.00%
TRX $0.3313 -0.87%
DOGE $0.0810 -1.85%
ADA $0.2303 -0.12%
BCH $277.30 +2.30%
LINK $12.50 -0.39%
HYPE $81.66 +2.10%
AAVE $156.31 -0.47%
SUI $1.02 -0.18%
XLM $0.1852 +0.23%
ZEC $1,221.77 +4.86%
AAPL $344.83 +0.49%
AMZN $254.43 +0.15%
GOOGL $350.05 +0.33%
MSFT $539.88 +0.67%
META $741.03 +0.64%
NVDA $217.38 -2.13%
TSLA $360.47 -1.93%
SNDK $1,335.91 -5.79%
INTC $94.10 -5.04%
SPCX $146.79 -4.19%
MU $911.44 -1.72%
AMD $548.90 -4.25%

sam

Tất cả
Bài viết
Tin nhanh

first_img Avalanche cho biết nền tảng KSD của Hàn Quốc sẽ hỗ trợ sổ cái của nó, Samsung SDS dự kiến hoàn thành vào tháng 2 năm 2027

Avalanche vào ngày 13 tháng 10 cho biết, cơ quan lưu ký chứng khoán Hàn Quốc KSD đang "xây dựng cơ sở hạ tầng kết nối dựa trên Avalanche" cho thị trường token hóa chứng khoán Hàn Quốc. Hướng dẫn kỹ thuật của KSD xác nhận rằng Avalanche là một trong nhiều công nghệ sổ cái mà nền tảng của họ dự kiến hỗ trợ; bài đăng của Avalanche cho biết kế hoạch này bao gồm phát hành, giao dịch, thanh toán, quyết toán và quyền của nhà đầu tư, và cuối cùng đạt được quyết toán trên chuỗi.Hướng dẫn sổ cái phân tán của KSD (phản ánh tình hình phát triển tính đến tháng 7 năm 2026) đã đặt Avalanche bên cạnh Hyperledger Besu và Hyperledger Fabric, tức là cam kết hỗ trợ nhiều công nghệ sổ cái, thay vì chỉ coi Avalanche là lựa chọn duy nhất cho cơ sở hạ tầng chứng khoán Hàn Quốc. Dự án đã chuyển từ giai đoạn thử nghiệm sang giai đoạn xây dựng nền tảng sản xuất, Samsung SDS đã trúng thầu xây dựng, dự kiến sẽ chuyển đổi nền tảng thử nghiệm công nghệ thành hệ thống hỗ trợ giao dịch thực tế và vận hành ổn định, mục tiêu hoàn thành vào tháng 2 năm 2027.Lộ trình được Ủy ban Dịch vụ Tài chính Hàn Quốc công bố vào tháng 9 cho thấy, các điều khoản sửa đổi công nhận chứng khoán token hóa sẽ có hiệu lực vào ngày 4 tháng 2 năm 2027, giai đoạn đầu tiên sẽ bắt đầu trong cùng tháng, ban đầu bao gồm các quỹ thị trường tiền tệ tư nhân và trái phiếu dành cho nhà đầu tư tổ chức, cổ phiếu không niêm yết được nắm giữ qua cấu trúc ủy thác và chứng khoán đầu tư phân đoạn phát hành công khai, giai đoạn thứ hai sẽ mở rộng đến tất cả chứng khoán phát hành công khai. Các khoản thanh toán trên chuỗi liên quan đến stablecoin thuộc giai đoạn cuối cùng, ủy ban này giữ tính linh hoạt về thời gian cho giai đoạn hai và ba, và đã đặt ngày 11 tháng 11 là hạn chót để thu thập ý kiến về quy định thực hiện.

first_img Samsung Electronics lên kế hoạch ba mẫu zNAND, hướng tới lưu trữ AI tùy chỉnh

Theo báo cáo của ZDNet Korea vào ngày 12 tháng 10, Samsung Electronics đang mở rộng phạm vi ứng dụng của bộ nhớ flash NAND thế hệ tiếp theo zNAND, và dự kiến sẽ phân loại sản phẩm thành 3 loại: zNAND-O, zNAND-T, zNAND-I ngoài zNAND-O đã được công bố. Báo cáo cho biết, Samsung Electronics chưa chính thức công bố hai sản phẩm sau, nhưng ngành công nghiệp đã biết rằng các kế hoạch liên quan đã bước vào giai đoạn phát triển ban đầu để đáp ứng nhu cầu lưu trữ tùy chỉnh ngày càng tăng trong cơ sở hạ tầng AI.zNAND-O hướng đến AI phía đầu cuối. Khác với phương pháp gắn dây truyền thống, giải pháp này xếp chồng NAND theo chiều dọc 4 lớp hoặc 8 lớp thông qua lỗ xuyên silicon, rút ngắn đường truyền dữ liệu và nâng cao tốc độ cũng như hiệu suất năng lượng. Samsung Electronics đã lần đầu tiên công bố mô hình zNAND-O tại một sự kiện liên quan đến bộ nhớ ở Mỹ vào tháng 8 năm nay.zNAND-T tập trung vào thông lượng, hướng đến các trung tâm dữ liệu AI có dung lượng cao và hiệu suất cao, cũng sử dụng xếp chồng theo chiều dọc và lỗ xuyên silicon để mở rộng băng thông, ngành công nghiệp gọi đây là bộ nhớ flash băng thông cao. zNAND-I tập trung vào việc nâng cao số lần nhập xuất mỗi giây, được sử dụng cho việc xử lý thường xuyên các dữ liệu tạm thời dung lượng nhỏ như bộ nhớ cache khóa-giá trong suy diễn AI. Báo cáo cũng đề cập rằng SK Hynix cũng đang phát triển các dòng sản phẩm AI NAND như AIN P, AIN D, AIN B.

first_img Samsung và SK Hynix đối phó với HBM4E tản nhiệt, lớp trung gian AI có thể mở rộng đến 40 lần

TrendForce ngày 12 tháng 10 dẫn nguồn từ Chosun Biz báo cáo, với việc AI đóng gói chứa nhiều chip tính toán và lưu trữ hơn, lớp trung gian kết nối chip tính toán với HBM dự kiến sẽ lớn hơn đáng kể, việc tản nhiệt HBM thế hệ tiếp theo trở nên quan trọng hơn. Samsung Electronics đang chuẩn bị nhiều công nghệ để đối phó với thách thức tản nhiệt HBM4E dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào năm tới.Hiện tại, diện tích lớp trung gian AI đã khoảng 5,5 lần diện tích lớn nhất mà máy khắc EUV có thể phơi sáng một lần là 858 mm vuông. Các chuyên gia trong ngành thiết bị bán dẫn dự đoán, lớp trung gian mang HBM có thể mở rộng lên đến 9 lần, 12 lần diện tích đó, cuối cùng khoảng 40 lần. Nguyên nhân bao gồm việc thu nhỏ quy trình bị hạn chế và sự phổ biến của đóng gói chiplet kiểu 2.5D, chip đơn lẻ với quy trình tiên tiến khó đáp ứng nhu cầu tính toán AI, nhiều chiplet tính toán và HBM được xếp chồng lên cùng một lớp trung gian.Samsung đang xem xét việc kết hợp liên kết đồng và khối đường dẫn nhiệt. Cái trước kết nối đồng với đồng trực tiếp thay thế các điểm nhô vi giữa các hạt DRAM xếp chồng, có thể thu hẹp khoảng cách giữa các lớp, làm cho việc xếp chồng mỏng hơn và cải thiện tản nhiệt, Samsung đã trình diễn vào tháng 3 năm 2026 tại NVIDIA GTC. Khối đường dẫn nhiệt chịu trách nhiệm thiết lập đường dẫn nhiệt chuyên dụng cho khu vực D2D PHY truyền tải tốc độ cao với GPU trên các hạt cơ sở HBM, Samsung đang xác minh với HBM4E và dự định áp dụng trong HBM5. Theo ETNews, iHBM của SK Hynix đã đặt vật liệu làm mát có độ dẫn nhiệt cao nhưng cách điện xung quanh khu vực D2D PHY nơi nhiệt tập trung, dự kiến có thể giảm điện trở nhiệt khoảng 30%.

first_img Tin tức cho biết điện thoại Samsung sẽ giảm sản xuất tối đa 30% trong quý 4 năm 2026

IT Nhà dẫn nguồn từ Money Today ngày 8 tháng 10, cho biết bộ phận trải nghiệm di động (MX) của Samsung Electronics đã lên kế hoạch cắt giảm sản lượng smartphone, với mức giảm cao nhất lên tới 30% trong quý 4 năm 2026. Nhiều nguồn tin trong ngành IT cho biết bộ phận MX của Samsung đã thông báo cho nhiều đối tác yêu cầu giảm lượng cung cấp sản phẩm từ 20% đến 30%. IT Nhà lưu ý rằng văn bản gốc không làm rõ 30% này là so với quý trước, năm trước, hay so với sản lượng dự kiến trước đó.Về sản lượng, Samsung Electronics ban đầu dự kiến dựa vào các sản phẩm mới như Galaxy Z Fold8 để sản xuất lên tới 270 triệu chiếc smartphone trong cả năm. Sau khi cắt giảm mạnh trong quý 4, sản lượng cuối cùng trong cả năm dự kiến sẽ giảm xuống chỉ hơn 200 triệu chiếc, mức giảm vượt quá dự đoán ban đầu của thị trường. Dữ liệu IDC cho thấy, trong quý 1 và quý 2 năm nay, lượng smartphone xuất xưởng lần lượt là 62,4 triệu chiếc và 62,7 triệu chiếc, trước đó dự đoán lượng xuất xưởng trong quý 3 và quý 4 lần lượt là 59 triệu chiếc và 52 triệu chiếc, quý 4 giảm khoảng 12% so với quý 3.Money Today báo cáo rằng giá bộ nhớ tăng là yếu tố chính thúc đẩy việc cắt giảm sản xuất. Dữ liệu từ TrendForce cho thấy, trong quý 2 năm nay, giá bán của DRAM tiết kiệm năng lượng cho smartphone (LPDDR5X) 12GB là từ 145 đến 146 USD, tăng 175% so với cùng kỳ năm ngoái. Báo cáo cũng cho biết, nhu cầu về trí tuệ nhân tạo đã đẩy giá bộ nhớ lên cao, dự kiến giá DRAM cho smartphone trong quý 3 sẽ tăng thêm khoảng 20%, có thể lên tới 180 USD. Các chuyên gia trong ngành IT cho biết, hiện tại doanh số bán smartphone của Samsung đã không còn lợi nhuận, việc cắt giảm sản xuất là chiến lược để duy trì lợi nhuận tổng thể.

first_img Samsung sẽ ra mắt chuyển khoản USDC cho người dùng Galaxy tại Mỹ trên Solana

Theo báo cáo của The Block, Samsung đã thông báo vào ngày 7 tháng 10 rằng Samsung Wallet và Samsung Pay sẽ hỗ trợ chuyển khoản USDC trên Solana, phục vụ cho việc chuyển tiền xuyên biên giới, bắt đầu từ tuần cuối cùng của tháng 10 với 82 triệu thiết bị Galaxy tại Mỹ. Tính năng này được tích hợp trong Samsung Wallet, bao gồm các kênh rút tiền và nạp tiền bằng tiền pháp định, thay vì là một ứng dụng tiền điện tử độc lập.Người dùng có thể gửi USDC đến ví bên ngoài tương thích, với cơ sở hạ tầng của Solana và Sui hoạt động ở phía sau, khung cơ sở hợp tác với Bastion, đơn vị quản lý stablecoin được cấp phép tại Mỹ. Samsung không thu phí chuyển khoản, nhưng ví nhận tiền hoặc sàn giao dịch có thể tính phí. Ví này cũng hỗ trợ chuyển tiền đến tài khoản ngân hàng đủ điều kiện tại hơn 60 quốc gia, với số tiền được chuyển đến bằng tiền tệ địa phương của người nhận.Coinbase sẽ quản lý USDC trong Samsung Wallet thông qua Coinbase Prime. Samsung dự định mở rộng dịch vụ này đến nhiều thị trường hơn, với điều kiện tuân thủ các yêu cầu quy định địa phương.

first_img Samsung Wallet sẽ ra mắt trên mạng Sui USDC vào cuối tháng 10

Samsung Electronics America thông báo, Samsung Wallet sẽ ra mắt chức năng ví ổn định tiền vào tuần cuối cùng của tháng 10 cho các người dùng Galaxy đủ điều kiện tại Mỹ, ban đầu hỗ trợ ổn định tiền đô la Mỹ USDC, đối tác cơ sở hạ tầng blockchain là Sui. Chức năng này sẽ bao phủ 82 triệu thiết bị Galaxy tại Mỹ, trước tiên ra mắt tại Mỹ, sau đó sẽ mở rộng sang các thị trường khác.Chuyển khoản ổn định tiền không Gas của Sui cho phép USDC thực hiện chuyển tiền với phí mạng bằng không trên Sui, người dùng không cần phải mua hoặc nắm giữ SUI trước khi thực hiện giao dịch. Trong giai đoạn ra mắt, USDC là tài sản duy nhất được hỗ trợ, mã thông báo SUI tạm thời không được hỗ trợ. Trưởng nhóm ví kỹ thuật số của Samsung Electronics trong lĩnh vực trải nghiệm di động, Woncheol Chai, cho biết việc đưa chuyển khoản USDC vào Samsung Wallet sẽ giúp các người dùng Galaxy đủ điều kiện không cần cài đặt ứng dụng khác hoặc tự quản lý khóa riêng để sử dụng.USDC gốc sẽ ra mắt trên Sui vào năm 2024, sau đó sẽ kết nối với giao thức truyền tải đa chuỗi của Circle. Kể từ tháng 8 năm 2025, Sui đã xử lý hơn 1 nghìn tỷ đô la Mỹ trong khối lượng chuyển khoản ổn định tiền và tiếp tục tăng cường cơ sở hạ tầng thanh toán và tích hợp ổn định tiền tại các thị trường như châu Phi, châu Âu, châu Á, châu Mỹ Latinh và Bắc Mỹ.

first_img Giám đốc điều hành AMD Lisa Su thăm lại Samsung, cho biết sẽ thảo luận về hợp tác rộng rãi hơn

Chủ tịch và Giám đốc điều hành của AMD, Su Zifeng, đã đến tòa nhà văn phòng Samsung Electronics ở Seoul vào khoảng 4 giờ 44 phút chiều ngày 7 tháng 10, gặp gỡ Phó Chủ tịch Toàn Vĩnh Huyền, người đứng đầu bộ phận giải pháp thiết bị, cách lần thăm Hàn Quốc trước đó khoảng 7 tháng. Jack Huynh, người đứng đầu nhóm tính toán và đồ họa của AMD, và Phó Chủ tịch Joseph Macri đã đi cùng. Su Zifeng cho biết, hai bên sẽ thảo luận về mối quan hệ đối tác rộng hơn và cho biết Samsung có nhiều đối tác hợp tác; khi được hỏi liệu có gặp Lee Jae-yong hay không, cô cho biết không tiện tiết lộ.Trước khi thăm Samsung, Su Zifeng đã tham dự Ngày game thủ AMD tại Seoul, gọi Samsung và SK Hynix là những đối tác cung cấp cốt lõi, và cho biết đang lên kế hoạch cho chuỗi cung ứng dài hạn do nhu cầu trí tuệ nhân tạo gia tăng. Cô cho biết, thế hệ MI455 mới và hệ thống Helios đã bắt đầu được giao hàng và đều sử dụng HBM4, nhận được sự hỗ trợ từ hai công ty, hợp tác HBM sẽ không dừng lại ở thế hệ đầu tiên. Theo báo cáo, Instinct MI455X được trang bị 432GB HBM4, tăng 50% so với thế hệ trước MI355X với 288GB HBM3E. Cô cho biết nguồn cung bộ nhớ rất căng thẳng, đang làm việc với khách hàng để tối ưu hóa lượng sử dụng và yêu cầu các đối tác mở rộng sản xuất. TrendForce đã dự đoán vào ngày 29 tháng trước rằng, HBM và DRAM thông thường chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, tình trạng cung cấp căng thẳng có thể kéo dài đến năm sau.Theo báo cáo, hai bên đã ký một biên bản ghi nhớ vào tháng 3 năm nay tập trung vào việc cung cấp HBM4 và DDR5 thế hệ tiếp theo, xác định Samsung là nhà cung cấp chính HBM4 cho MI455X, và thảo luận về việc Samsung gia công sản xuất sản phẩm thế hệ tiếp theo của AMD. Toàn Vĩnh Huyền khi đó cho biết, Samsung có thể cung cấp đồng thời bộ nhớ, gia công và đóng gói.

first_img Giám đốc điều hành của Samsung Electronics: Dự kiến năm tới HBM sẽ chiếm gần 30% công suất sản xuất wafer DRAM

Theo báo cáo của truyền thông vào ngày 29 tháng 9, Phó Chủ tịch điều hành của Samsung Electronics, Kim Taewoo cho biết: Dự kiến vào năm tới, HBM sẽ chiếm gần 30% tổng công suất wafer của các nhà sản xuất DRAM, hiện tại tỷ lệ này khoảng 20%. Ông cho biết, HBM và DRAM truyền thống đang cạnh tranh cho cùng một công suất wafer, việc mở rộng sản xuất HBM có thể sẽ gây áp lực lên nguồn cung DRAM truyền thống.TrendForce trước đó đã dự đoán, đến cuối năm 2027, ba nhà cung cấp HBM lớn nhất toàn cầu sẽ đầu tư vào wafer HBM khoảng 30% tổng đầu tư wafer DRAM, nhưng tính theo dung lượng lưu trữ chỉ có thể đóng góp khoảng 13% tổng nguồn cung DRAM. Ngoài ra, theo báo cáo của truyền thông vào ngày 20 tháng 9, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng bao gồm Nvidia; ngành công nghiệp dự đoán lượng wafer HBM trung bình hàng tháng của Samsung sẽ tăng từ khoảng 180.000 wafer năm nay lên khoảng 250.000 wafer vào năm tới.TrendForce cũng cho biết vào cùng ngày, nhu cầu máy chủ AI vẫn tiếp tục, HBM và DRAM thông dụng sẽ vẫn chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, nguồn cung lưu trữ vào năm 2027 sẽ duy trì tình trạng căng thẳng, và đã điều chỉnh dự báo giá HBM năm 2027, dự kiến giá bán trung bình hỗn hợp sẽ tăng 121% so với năm trước. Do nguồn cung hạn chế và chi phí hệ thống tăng, HBM 8 lớp dự kiến sẽ trở thành giải pháp ưu tiên được nhiều nhà sản xuất đánh giá vào năm 2027, với giá bán mỗi Gb sẽ cao hơn khoảng 10% đến 20% so với sản phẩm 12 lớp.

first_img Báo Trung ương: CEO trước đây của Changxin Storage bị cáo buộc gây áp lực yêu cầu công nghệ từ Samsung

Báo cáo của nhật báo Trung ương Hàn Quốc cho biết, bản tuyên bố của một người có xuất thân từ bộ phận Samsung Electronics, cựu người phụ trách đầu tư thiết bị của Changxin Memory Technologies (CXMT) cho thấy, cựu CEO của CXMT, Vương Ninh Quốc, đã triệu tập người này cùng với đội ngũ Hàn Quốc từ tháng 10 đến tháng 12 năm 2016, yêu cầu mang về kế hoạch công thức quy trình (PRP) và thông tin thiết bị của Samsung Electronics, và nói rằng nếu không mang về sẽ báo cáo chính phủ Hàn Quốc, đồng thời cảnh báo rằng có người xác minh mối quan hệ, không được nói dối. Người này cho biết lúc đó cảm thấy sợ hãi. Báo cáo cho biết, ban lãnh đạo CXMT đã sử dụng "Hoàng Sơn" làm mã cho Samsung Electronics.Sau 28 năm làm việc tại Samsung Electronics, người này gia nhập CXMT, bị cáo buộc tiết lộ và sử dụng trái phép quy trình DRAM 18 nanomet mà Samsung đã đầu tư 1.6 triệu tỷ won, là quy trình phát triển đầu tiên trên thế giới, đã bị truy tố, và vào tháng 4 năm nay bị tuyên án 7 năm tù giam trong phiên tòa sơ thẩm, hiện đang trong giai đoạn phúc thẩm. PRP bao gồm khoảng 600 bước quy trình sản xuất DRAM, thiết bị, giá trị điều kiện và công ty thiết bị cùng với mẫu mã. Một kỹ sư thiết kế quy trình của Samsung, Park, đã chép tay nội dung liên quan vào 12 trang ghi chú và mang ra ngoài vào tháng 9 năm 2016, hiện đang trong tình trạng thông báo đỏ của Tổ chức Cảnh sát Hình sự Quốc tế.Trong phiên tòa, người này tuyên bố rằng khi giao tiếp với phía Trung Quốc đã có ý kiến rằng nếu không thể sản xuất 18 nanomet thì sẽ không cung cấp đầu tư cho CXMT, và cho biết sau đó biết rằng đối phương từ đầu đã muốn có công nghệ này, CXMT ban đầu không có kế hoạch phát triển độc lập. Sự ép buộc trên xảy ra trước khi chuẩn bị cho cuộc họp xin đầu tư. CXMT được thành lập vào năm 2016 với vốn đầu tư 14.4 tỷ nhân dân tệ từ chính quyền thành phố Hợp Phì, đã khoảng 10 năm không có lợi nhuận, năm ngoái lần đầu tiên có lãi hàng năm, lợi nhuận ròng đạt 7.1 tỷ nhân dân tệ.

first_img Samsung Electronics tăng tốc xây dựng dây chuyền sản xuất hàng loạt đầu tiên tại Bình Trạch P5, mục tiêu đưa thiết bị vào sớm hơn vào quý hai năm sau

Theo báo cáo của ZDNet Korea ngày 28 tháng 9, Samsung Electronics đang tăng tốc xây dựng dây chuyền sản xuất đầu tiên (Ph1) tại khu công nghiệp P5 ở Bình Châu, và đang thảo luận với các nhà cung cấp thiết bị chính về việc chuyển thiết bị Ph1 từ kế hoạch ban đầu vào quý 3 năm sau lên quý 2 năm sau. P5 là cơ sở sản xuất bán dẫn thế hệ tiếp theo với mục tiêu đi vào sản xuất vào năm 2028, và đã bắt đầu xây dựng phòng sạch Ph1 vào quý 3 năm nay.Samsung Electronics trước đó đã đẩy nhanh việc hoàn thành xây dựng phòng sạch P5 Ph1 từ đầu năm sau xuống khoảng 6 tháng, do đó việc đưa thiết bị vào dự kiến sẽ diễn ra vào khoảng quý 3 năm sau. Các chuyên gia trong ngành cho biết, thời gian bắt đầu chuyển thiết bị dự kiến sẽ được đẩy lên từ tháng 7 đến tháng 8 năm sau xuống khoảng tháng 5 đến tháng 6 năm sau; một số người khác cho biết, Samsung thậm chí đã đề xuất giao thiết bị vào quý 1 năm sau, lưu trữ tạm thời tại các địa điểm khác, cho thấy ý định đầu tư sớm của họ rất mạnh mẽ.Cuộc thảo luận về đầu tư giai đoạn thứ hai của P5 (Ph2) cũng đang được tiến hành. Hiện tại, Ph1 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất DRAM và HBM, trong khi Ph2 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất NAND tiên tiến bao gồm thế hệ thứ mười (V10). Các chuyên gia trong ngành thiết bị cho biết, đơn đặt hàng chính thức vẫn chưa được phát hành, nhưng Samsung đã thảo luận với các đối tác để xây dựng Ph2 thành dây chuyền sản xuất NAND, và do chu kỳ giao hàng thiết bị dài, yêu cầu chuẩn bị sẵn các linh kiện liên quan. Các báo cáo cho thấy, các công ty công nghệ lớn trên toàn cầu đang tăng cường đơn hàng DRAM và NAND hiệu suất cao cho cơ sở hạ tầng AI, trong khi năng lực sản xuất của các công ty lưu trữ như Samsung bị hạn chế. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả kinh doanh quý 2 vào tháng 7, Samsung đã cho biết rằng nhu cầu không được đáp ứng trong năm nay sẽ kéo dài đến năm sau, và tình trạng thiếu hụt cung sẽ nghiêm trọng hơn năm nay, và dự kiến tình trạng thiếu hụt sẽ kéo dài đến năm 2028.
app_icon
ChainCatcher Building the Web3 world with innovations.