存儲

世界的なメモリ不足が続いており、AIおよびクラウドアプリケーションがDRAMとNANDフラッシュの需要と価格を押し上げています。中国の二大メモリメーカーである長江存儲と長鑫存儲は、それぞれ半分の市場を占める状況を打破するでしょう。長江存儲はLPDDR5 DRAMに進出し、2026年末に試産を開始します。長鑫存儲はDRAMからNANDフラッシュに進出する予定です。業界では、両社が最速で2028年に直接対決するとの予測があります。長江存儲はXtacking技術を用いて294層の3D NANDの開発を完了し、三星は2025年にその特許ライセンス契約を結び、第10世代V-NANDから関連特許を採用します。長江存儲の三期計画は2026年末に稼働を開始し、初期には約2.5万枚のDRAM生産能力を持ち、2027年には生産を拡大し、LPDDR5を目指します。また、今後の生産拡大やHBM、3D DRAMの計画もあります。長鑫は北京にNANDの研究開発生産ラインを設置するとの情報があり、最速で2028年から2029年に量産を開始する見込みです。

《フィナンシャル・タイムズ》によると、情報筋が報じたところによれば、中国のストレージチップメーカーである長鑫ストレージと長江ストレージは、ASMLから今後3年間の生産拡大計画を満たすために十分な深紫外線リソグラフィ装置（DUV）を調達した。

長江存儲控股股份有限公司の初めての公開株式発行と科創板での上場のIPO審査状況が「問い合わせ済み」に変更されました。「問い合わせ済み」とは、長江存儲が正式に上交所の上場審査段階に入ったことを意味し、会社の情報開示や科創属性などの問題について一回または複数回の書面での質問と回答が行われます。長江存儲は中国最大の3D NANDフラッシュメモリ製造業者であり、唯一の3D NAND原厂であり、自主開発した晶栈Xtackingアーキテクチャを持ち、チップ設計、製造、パッケージングテストを一体化したメモリIDM企業です。

DIGITIMESの報道によると、長鑫ストレージと長江ストレージは継続的に拡張しており、最近、Appleは両社の中国系メモリ供給チェーンの導入を積極的に模索している。外部では、Appleの供給体系に参入することに注目が集まっている。業界の情報によると、両社は実際にはAppleを通じて中国のDRAMおよびNAND Flashの品質が国際水準に達したことを証明し、裏では第三者の組み立てを通じて北米の新しいクラウド業者に転売し、クラウドおよび企業向けの市場シェアを拡大している。長鑫ストレージの親会社である長鑫テクノロジーは295億元の資金調達を完了し、長江ストレージはIPOで約330億元の資金調達を予定しており、量産ラインのアップグレードと研究開発に使用される。長江ストレージは2024年に黒字転換し、2026年第1四半期には親会社に帰属する純利益が333.79億元に達する見込みである。第3期の新工場は2026年第4四半期に生産を開始し、総生産能力は毎月10万枚で、そのうち約20%がLPDDRの試作となり、初のDRAM拠点となる。供給チェーンによると、両社は最速で2027年末から2028年にかけて中国国内のメモリ自給率を50%以上に引き上げることが期待されている。長江ストレージはNANDを第三者のモジュールメーカーに販売し、企業向けSSDとして出荷することで産地の敏感さを回避している。長鑫ストレージは米国やカナダなどの中小型クラウド業者の認証を導入している。米国の民間企業は原則として両社から調達でき、実体リストは主に米国技術の取得を制限しており、民間調達を全面的に禁止しているわけではない。クラウド業者はまた、計算能力のレンタルや第三者が保有する資産を通じてコンプライアンスリスクを低減している。業界では、Appleの産業供給と需要への影響力が低下しており、両社はAppleに大量供給したり、価格競争を行ったりする意図はなく、拡張しても短期的にはAppleの中国市場での需要を満たすのは難しいと考えられている。