Micron и SanDisk лидируют по падению, накопители продолжают корректироваться, что произошло?

Автор: Дун Цзин
Сектор хранения данных переживает массовую распродажу, вызванную множеством наложившихся факторов. Акции Micron упали на 3.88% в понедельник, в то время как SanDisk упала еще больше на 5.97%. Обе акции уже шесть из семи торговых дней находятся в падении, а Micron упала почти на 20% от максимума в июне, приближаясь к техническому медвежьему рынку.

Причиной текущей коррекции стали три основных удара: корейский рынок отыграл падение после праздников, крупнейшие в истории планы выкупа акций Samsung и SK Hynix были досрочно завершены, а Changxin Technology (CXMT) объявила о ключевых достижениях в новой архитектуре DRAM 4F² в Шанхае и планирует выпустить серверные модули памяти к концу года. Рич Приворотский, руководитель торговых операций Goldman Sachs в EMEA, охарактеризовал ситуацию как "хранение все еще в эпицентре", указав на основную озабоченность рынка: несмотря на недавние блестящие фундаментальные показатели, опасения по поводу пиковых прибылей сдерживают оценку.

Однако парадокс рынка заключается в том, что фундаментальные показатели сектора хранения никогда не были столь сильными, но инвесторы уже смотрят на 2027-2028 годы: в это время производственные мощности Китая будут продолжать расширяться, а новые заводы в Корее начнут работу, что может изменить баланс спроса и предложения. Как отметил Джон Уитхаар из Pictet, акции хранения "стали акциями стоимости, и по текущим прибылям оценка выглядит дешево", но "розничные инвесторы и хедж-фонды с быстрыми деньгами гонятся за ростом, а не за стоимостью".

Корейский рынок отыграл падение, поддержка выкупа исчезла

Корейский индекс KOSPI упал на 3.65% в понедельник, закрывшись на уровне 6384.2 пункта, почти на уровне поддержки 200-дневной скользящей средней в 6376 пунктов. Индекс KOSDAQ, более ориентированный на технологии, упал на 4.8%, а полупроводниковый индекс KRXSEMI снизился на 5.2%. Акции SK Hynix и Samsung упали примерно на 4.5%. По словам трейдеров Goldman Sachs в Сеуле, движение на рынке "с самого открытия было односторонним".

Прямой причиной падения стало то, что корейский рынок после выходных должен был отыграть падение акций американских полупроводников за предыдущие два торговых дня. Иностранные инвесторы уже пятый день подряд продают акции, и объем чистых продаж в секторе технологий составил 1.3 миллиарда долларов, из которых SK Hynix был продан на 782 миллиона долларов, а Samsung на 415 миллионов долларов. Розничные инвесторы, наоборот, покупали, приобретя чистые 710 миллионов долларов акций Samsung, но Goldman Sachs отметил, что объем чистых покупок со стороны розничных инвесторов снижается.

Более глубокая структурная проблема заключается в исчезновении поддержки выкупа. Согласно предыдущим сообщениям, планы выкупа акций Samsung и SK Hynix на сумму около 55 триллионов вон (примерно 40 миллиардов долларов) — крупнейшие в истории Кореи — были завершены на несколько недель раньше, а выкуп акций Samsung фактически прекратился 6 октября. За три торговых дня после завершения выкупа KOSPI упал примерно на 8%. В настоящее время KOSPI упал примерно на 30% от исторического максимума 22 июня, а SK Hynix упала еще больше — на 45%.

Аналитики считают, что корейский рынок в период роста сектора хранения был первым, кто начал расти, и также первым, кто начал падать, и может снова сыграть роль опережающего индикатора.

Прорыв 4F² от Changxin, долгосрочные опасения по поводу предложения усиливаются

Сообщения из Шанхая в выходные стали важным катализатором для этой распродажи. Как сообщает Shanghai Securities News, на четвертой конференции по интегральным схемам и чипам, прошедшей 9-10 октября, президент Changxin Technology Цао Канью объявил о ключевых достижениях в разработке архитектуры 4F² и официально сообщил, что ожидается, что к концу года будет выпущен новый поколение DDR5 RDIMM продуктов, сочетающих архитектуру 4F² и технологии смешанного соединения, непосредственно для рынка серверной памяти.

Ключевое значение архитектуры 4F² заключается в увеличении плотности. В настоящее время в отрасли DRAM доминирует архитектура 6F², что означает, что каждый ячейка памяти занимает площадь, равную 6-кратному минимальному размеру. 4F² означает, что площадь каждой ячейки сокращается примерно на треть, что теоретически позволяет достичь увеличения плотности хранения на 50% при тех же размерах подложки и тех же технологических узлах. Основная инновация архитектуры 4F² от Changxin заключается в разработанном собственном транзисторе VSG (Vertical Surrounded Gate, вертикально окруженный затвор), который усиливает управление затвором за счет вертикальной структуры канала, одновременно решая проблемы утечки и короткого канала, а также достигая уменьшения площади за счет вертикального расположения транзисторов.

Переход от 6F² к 4F² представляет собой фундаментальную трансформацию, заключающуюся в изменении направления канала транзистора с горизонтального на вертикальное, что требует интеграции совершенно новых технологических процессов и не может использовать дизайн и производственные системы эпохи 6F². Changxin также декомпозирует DRAM и CMOS, достигая высокоскоростного соединения через смешанное соединение на уровне подложки, что рассматривается как ключевой поворотный момент в технологии DRAM от двумерного масштабирования к трехмерной интеграции.

Известно, что Changxin с момента своего основания начала исследования и патентование 4F², открыв более 300 патентов, что, как утверждается, является лидирующим среди отечественных и зарубежных конкурентов. Компания опубликовала статьи по архитектуре 4F² в 2021 году и продолжает раскрывать достижения в разработках в 2023 и 2025 годах. В 2025 году Changxin также представит статью на IEDM, в которой будет описан успешный эксперимент по соединению DRAM и CMOS на уровне подложки на 12-дюймовой платформе.

Для Samsung и SK Hynix этот временной график создает прямое давление. SK Hynix опубликует свой маршрут по 4F² только в 2025 году, а Samsung, согласно сообщениям корейских СМИ The Elec, планирует начать массовое производство DRAM на основе этой архитектуры менее чем через 10 нм к 2028 году. Если Changxin в конце года успешно выпустит продукты DDR5 RDIMM с архитектурой 4F², это даст ей преимущество перед двумя корейскими гигантами на уровне архитектуры ячейки примерно на два года.

Недавние фундаментальные показатели сильны, но рынок уже оценивает пик

Текущие фундаментальные данные сектора хранения по-прежнему впечатляют, и это как раз является проблемой для рынка — сильные цифры уже полностью учтены в оценках, и инвесторы начинают дисконтировать более дальние риски.

Третий квартал компании Nanya Technology из Тайваня был охарактеризован трейдерами Goldman Sachs в Тайбэе как "еще один удивительный квартал": выручка составила 133.6 миллиарда новых тайваньских долларов, что на 62% больше по сравнению с предыдущим кварталом и на 612% больше по сравнению с прошлым годом; валовая маржа составила 85.7%, что на 6.2 процентных пункта выше; операционная маржа составила 80%; средняя цена продажи выросла более чем на 60% по сравнению с предыдущим кварталом, при этом более половины роста пришло от пересмотра контрактов долгосрочных соглашений, истекающих в 2025 году. Руководство ожидает, что в 2027 году контрактные цены все еще могут вырасти на двузначные числа, а валовая маржа останется "ожидаемо" выше 80%.

Тем не менее, трейдеры Goldman Sachs в Тайбэе прямо заявили: "в последнее время не хватает достаточных катализаторов для дальнейшей переоценки." Операционная прибыль Samsung в третьем квартале выросла почти в девять раз, что должно было возобновить рынок хранения, но вместо этого вызвало распродажу — это само по себе уже говорит о том, на каком уровне находятся рыночные ожидания.

Данные Goldman Sachs Prime Book показывают, что на прошлой неделе сектор информационных технологий в США резко изменился с чистых покупок на чистые продажи, став сектором с наибольшими чистыми продажами за последние семь недель, причем наиболее активно продавались подотрасли аппаратного обеспечения, хранения и периферийных устройств, а также полупроводников.

Давление на акции хранения не связано с ухудшением фундаментальных показателей, а с тем, что рынок заранее оценил пик цикла.

В то же время, основной нарратив на рынке изменился с "насколько сильны недавние фундаментальные показатели" на "каким будет баланс спроса и предложения в 2028 году." Исследовательская команда Goldman Sachs в Корее выделила шесть ключевых моментов для телефонной конференции по отчету Samsung, которая состоится 29 октября, и на первом месте стоит: будет ли компания, как Micron, четко заявлять, что в 2028 году предложение хранения станет напряженным.

Кроме того, генеральный директор Acer Джейсон Чен ранее публично заявил, что "проблема нехватки поставок полностью исчезла" и ожидает, что цены на память достигнут пика в середине 2027 года. Acer, HP и Asus уже используют чипы Changxin в своих ПК. Сообщается, что ASML повышает цены на запчасти для корейских клиентов примерно на 10%, и Samsung и SK Hynix согласились на это повышение, которое вступит в силу с января 2027 года.

На этой неделе рынок также ожидает несколько важных событий: TSMC опубликует отчет в четверг, ASML выпустит финансовые результаты в среду, а также пройдет SEMICON West — эти события предоставят новые сигналы направления для сектора чипов.