ddr5

Cơ quan phân tích bán dẫn Kernel Insight: Nhu cầu trí tuệ nhân tạo thúc đẩy giá DRAM duy trì ở mức cao lịch sử, giá trị bán hàng trên mỗi đơn vị diện tích của DRAM công nghệ mới nhất đã vượt quá giá wafer N2, N3 của TSMC. Cơ quan này ước tính giá wafer 300mm N3 của TSMC là 20.000 USD, N2 là 30.000 USD, tương đương với giá danh nghĩa khoảng 0.283 USD và 0.424 USD mỗi mm vuông, chưa tính đến tổn thất biên, tổn thất cắt và tỷ lệ sản phẩm tốt và khuyết tật.Theo tính toán mỗi Gb 1.50 USD và mật độ bit thế hệ, DRAM 1y là 0.329 USD mỗi mm vuông, 1z là 0.410 USD, 1b là 0.654 USD, cao hơn N2 hơn 50%. Quy trình công nghệ 10nm được thu nhỏ dần theo thứ tự 1y, 1z, 1a, 1b. Giá mỗi Gb nêu trên giả định gần với giá giao ngay, dữ liệu từ DRAMeXchange cho thấy, vào ngày 21 tháng 9, giá trung bình giao dịch của chip 16Gb DDR5 eTT là 24.80 USD, tương đương khoảng 1.55 USD mỗi Gb.Có sự khác biệt trong cách so sánh. Số liệu của TSMC là giá mà khách hàng trả cho dịch vụ gia công wafer, số liệu DRAM là tổng tiềm năng doanh thu từ việc bán sản phẩm hoàn chỉnh, và chưa tính đến chi phí đóng gói tiên tiến; giá cung cấp thực tế của TSMC sẽ thay đổi theo khối lượng đơn hàng và hợp đồng. Chỉ số DRAM dựa trên giá giao ngay nhỏ, khác với giá hợp đồng dài hạn của Samsung Electronics, SK Hynix, Micron. Giá giao dịch cố định không công khai gần đây đã tăng mạnh, nếu chưa phản ánh hoàn toàn vào giá giao ngay, mức độ dẫn đầu về giá wafer của các nhà sản xuất bộ nhớ có thể còn lớn hơn.

Nguồn cung bộ nhớ toàn cầu tiếp tục thiếu hụt nghiêm trọng, ứng dụng AI và điện toán đám mây đã thúc đẩy nhu cầu và giá cả của DRAM và NAND Flash. Hai nhà sản xuất bộ nhớ lớn của Trung Quốc, Yangtze Memory Technologies và Changxin Memory Technologies, sẽ phá vỡ thế cân bằng hiện tại.Yangtze Memory Technologies sẽ bắt đầu thử nghiệm sản xuất LPDDR5 DRAM vào cuối năm 2026, trong khi Changxin Memory Technologies sẽ chuyển từ DRAM sang NAND Flash. Ngành công nghiệp dự đoán hai công ty sẽ đối đầu trực tiếp vào năm 2028. Yangtze Memory Technologies đã hoàn thành phát triển 3D NAND 294 lớp bằng công nghệ Xtacking, Samsung sẽ ký thỏa thuận cấp phép bằng sáng chế với công ty này vào năm 2025, bắt đầu áp dụng các bằng sáng chế liên quan từ thế hệ V-NAND thứ 10.Kế hoạch giai đoạn ba của Yangtze Memory Technologies sẽ bắt đầu sản xuất vào cuối năm 2026, với công suất ban đầu khoảng 25.000 tấm DRAM, hoàn thành giai đoạn tăng trưởng vào năm 2027, nhắm đến LPDDR5, và có kế hoạch mở rộng sản xuất cũng như HBM, 3D DRAM trong tương lai. Changxin được cho là sẽ thiết lập dây chuyền nghiên cứu và sản xuất NAND tại Bắc Kinh, dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt sớm nhất vào năm 2028 đến 2029.

Micron giới thiệu mô-đun bộ nhớ 512GB DDR5 RDIMM đầu tiên trên thế giới dành cho máy chủ, với tốc độ hoạt động lên đến 9200 MT/s. AMD và Intel đang tiến hành xác minh cho các nền tảng tương lai. Mô-đun này đạt được dung lượng thông qua việc xếp chồng chip DRAM theo chiều dọc bằng lỗ xuyên silicon, bộ nhớ máy chủ với 24 mô-đun có thể đạt tới 12 TB.Mô-đun 512GB đơn lẻ có công suất định mức là 16W, bốn mô-đun 128GB có tổng công suất là 44.2W, giảm hơn 60%. Micron cho biết, trong các kịch bản phân tích tập trung vào bộ nhớ Spark SVM, hiệu suất cao nhất tăng 1.4 lần so với 256GB DDR5. Sản phẩm này tiếp tục từ mẫu 256GB DDR5 RDIMM mà Micron đã gửi đi vào đầu năm nay (cũng đạt tối đa 9200 MT/s, sử dụng DRAM 1-gamma và xếp chồng 3D), dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2027, giá cả vẫn chưa được công bố.

Micron Technology (MU.O) cho biết công ty đã đạt được cột mốc mô-đun bộ nhớ 512GB DDR5 và dự kiến mô-đun 512GB DDR5 RDIMM sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2027.

Theo báo cáo của Blue Whale News, từ Changxin Technology được biết, ByteDance và ZTE đã hợp tác phát triển thế hệ điện thoại "đậu phộng" mới ------ Nubia NaviX Ultra, sẽ được trang bị bộ nhớ LPDDR5X với tốc độ cao nhất 10667Mbps của Changxin. Chính thức cho biết, đây cũng là lần đầu tiên chip nhớ LPDDR5X tốc độ cao 10667Mbps sản xuất trong nước được đưa vào ứng dụng thực tế.Theo thông tin trước đó, điện thoại "đậu phộng" Nubia đã hoàn thành đăng ký mạng và sẽ được sản xuất hàng loạt vào tháng 9.

Ngày 3 tháng 9, Nikkei Chinese Network đưa tin rằng nhu cầu liên quan đến máy chủ trí tuệ nhân tạo từ NVIDIA đang thúc đẩy giá DRAM của bộ nhớ bán dẫn tăng nhanh. Giá sản phẩm DRAM thông dụng dùng cho máy tính cá nhân và các thiết bị khác tăng 5% so với tháng trước, trong khi sản phẩm dành cho thiết bị công nghiệp tăng hai chữ số. Các nhà sản xuất bộ nhớ ưu tiên cung cấp bộ nhớ chuyên dụng cho máy chủ AI, và hiệu ứng dây chuyền của nó đang lan rộng hơn nữa.DRAM không chỉ được sử dụng cho máy tính cá nhân, máy ảnh, điện thoại thông minh mà còn được trang bị trên các thiết bị như máy chủ AI trong trung tâm dữ liệu, đảm nhận chức năng lưu trữ tạm thời dữ liệu. Các nhà sản xuất bộ nhớ với tư cách là bên bán, các nhà sản xuất thiết bị và nhà sản xuất mô-đun với tư cách là bên mua, tiến hành đàm phán hàng tháng hoặc hàng quý để xác định giá giao dịch lớn. Giá giao dịch lớn cho sản phẩm DDR5 16Gb, mô hình thông dụng dùng cho PC, máy chơi game và máy chủ, đã được xác định vào tháng 7 khoảng 40,2 USD, tăng 5% so với tháng trước. Giá đã tăng liên tiếp trong 7 tháng, các giám đốc điều hành của các công ty thương mại điện tử cho biết đã thiết lập mức giá cao nhất trong lịch sử.

ChainCatcher tin tức, theo báo cáo của "Báo cáo Khoa học và Công nghệ", với việc giá nguyên liệu từ nhà sản xuất tăng lên trong quý ba, giá DDR5 của máy chủ trong tháng này đã tăng 15% lên 23%, 32GB / 64GB / 96GB DDR5 RDIMM lần lượt tăng lên 900/1590/2650 đô la Mỹ. Trên thị trường RDIMM máy chủ giao ngay, giá thương mại 32GB D5 dao động từ 1800~2100 đô la Mỹ, 64GB D5 dao động từ 3000~3200 đô la Mỹ, 96GB D5 dao động từ 3800~4100 đô la Mỹ, chênh lệch giá giữa hợp đồng và giao ngay DDR5, đặc biệt là 96GB, đang có xu hướng thu hẹp. Nguồn cung DDR5 từ nhà sản xuất vẫn duy trì tình trạng cầu vượt cung, tuy nhiên với việc giá hợp đồng tăng theo từng quý, các khách hàng lớn của máy chủ ngày càng nhạy cảm hơn với sự tăng giá của bộ nhớ, cộng với việc các hợp đồng dài hạn lần lượt được thực hiện, nguồn cung D5 cho khách hàng lớn được đảm bảo ở mức nhất định, mức tăng của DDR5 dự kiến sẽ trở nên ôn hòa hơn.

ChainCatcher tin tức, theo báo cáo của Công nghệ Nhanh, tỷ lệ sản xuất chip DDR5 17nm của Changxin đã vượt qua 90%, chỉ thấp hơn khoảng 2 điểm phần trăm so với tỷ lệ 92% đến 93% của sản phẩm cùng thế hệ của Samsung, các chỉ số kỹ thuật đã bước vào hàng đầu thế giới. Nhiều nhà sản xuất PC lớn đã hoàn thành chứng nhận chip DRAM của Changxin vào khoảng giữa năm và bắt đầu lắp đặt một số lượng nhỏ trên một số máy tính xách tay.Chiến lược áp dụng của các thương hiệu khác nhau có sự khác biệt rõ rệt: Dell hoàn toàn cấm sử dụng chip của Changxin; HP chỉ giới hạn sử dụng tại thị trường Trung Quốc đại lục; Acer và Asus thì lắp đặt chip này trên các mẫu máy hướng tới thị trường Trung Quốc đại lục và các thị trường mới nổi. Hiện tại, sản phẩm của Changxin vẫn có ảnh hưởng hạn chế đến giá thị trường tổng thể của ba ông lớn trong ngành bộ nhớ, nguyên nhân chủ yếu là do Samsung, SK Hynix và Micron hiện đang có xu hướng cung cấp LPDDR5, trong khi trọng tâm chiến lược của Changxin hiện tại là mở rộng sản lượng DDR5. Các giám đốc điều hành của các công ty PC cho biết, ba nhà sản xuất này chiếm hơn 90% thị phần DRAM toàn cầu, việc áp dụng quy mô lớn cần phải rất thận trọng. Hiện tại, số lượng và mức sử dụng các mẫu máy sử dụng chip của Changxin vẫn khá hạn chế.