samsung

Theo báo chí Hàn Quốc, Samsung Electronics đã ký thỏa thuận dài hạn về cung cấp bộ nhớ cho năm tới, với tỷ lệ bao phủ khoảng 75% đến 80%, trong đó bao gồm bộ nhớ băng thông cao. Báo cáo cho biết, Samsung Electronics đã hoàn tất phần lớn hợp đồng với các công ty công nghệ lớn như NVIDIA, Google, Microsoft.SK Hynix và Micron cũng đang tăng tốc để xác định lượng cung cấp và đã ký một loạt hợp đồng dài hạn quy mô lớn với các khách hàng chính. Samsung Electro-Mechanics được cho là gần ký thỏa thuận dài hạn trị giá 700 tỷ won Hàn Quốc với công ty điện tử Delta của Đài Loan để cung cấp tụ điện gốm đa lớp.

IT Nhà dẫn nguồn từ Money Today ngày 8 tháng 10, cho biết bộ phận trải nghiệm di động (MX) của Samsung Electronics đã lên kế hoạch cắt giảm sản lượng smartphone, với mức giảm cao nhất lên tới 30% trong quý 4 năm 2026. Nhiều nguồn tin trong ngành IT cho biết bộ phận MX của Samsung đã thông báo cho nhiều đối tác yêu cầu giảm lượng cung cấp sản phẩm từ 20% đến 30%. IT Nhà lưu ý rằng văn bản gốc không làm rõ 30% này là so với quý trước, năm trước, hay so với sản lượng dự kiến trước đó.Về sản lượng, Samsung Electronics ban đầu dự kiến dựa vào các sản phẩm mới như Galaxy Z Fold8 để sản xuất lên tới 270 triệu chiếc smartphone trong cả năm. Sau khi cắt giảm mạnh trong quý 4, sản lượng cuối cùng trong cả năm dự kiến sẽ giảm xuống chỉ hơn 200 triệu chiếc, mức giảm vượt quá dự đoán ban đầu của thị trường. Dữ liệu IDC cho thấy, trong quý 1 và quý 2 năm nay, lượng smartphone xuất xưởng lần lượt là 62,4 triệu chiếc và 62,7 triệu chiếc, trước đó dự đoán lượng xuất xưởng trong quý 3 và quý 4 lần lượt là 59 triệu chiếc và 52 triệu chiếc, quý 4 giảm khoảng 12% so với quý 3.Money Today báo cáo rằng giá bộ nhớ tăng là yếu tố chính thúc đẩy việc cắt giảm sản xuất. Dữ liệu từ TrendForce cho thấy, trong quý 2 năm nay, giá bán của DRAM tiết kiệm năng lượng cho smartphone (LPDDR5X) 12GB là từ 145 đến 146 USD, tăng 175% so với cùng kỳ năm ngoái. Báo cáo cũng cho biết, nhu cầu về trí tuệ nhân tạo đã đẩy giá bộ nhớ lên cao, dự kiến giá DRAM cho smartphone trong quý 3 sẽ tăng thêm khoảng 20%, có thể lên tới 180 USD. Các chuyên gia trong ngành IT cho biết, hiện tại doanh số bán smartphone của Samsung đã không còn lợi nhuận, việc cắt giảm sản xuất là chiến lược để duy trì lợi nhuận tổng thể.

Theo báo cáo của The Block, Samsung đã thông báo vào ngày 7 tháng 10 rằng Samsung Wallet và Samsung Pay sẽ hỗ trợ chuyển khoản USDC trên Solana, phục vụ cho việc chuyển tiền xuyên biên giới, bắt đầu từ tuần cuối cùng của tháng 10 với 82 triệu thiết bị Galaxy tại Mỹ. Tính năng này được tích hợp trong Samsung Wallet, bao gồm các kênh rút tiền và nạp tiền bằng tiền pháp định, thay vì là một ứng dụng tiền điện tử độc lập.Người dùng có thể gửi USDC đến ví bên ngoài tương thích, với cơ sở hạ tầng của Solana và Sui hoạt động ở phía sau, khung cơ sở hợp tác với Bastion, đơn vị quản lý stablecoin được cấp phép tại Mỹ. Samsung không thu phí chuyển khoản, nhưng ví nhận tiền hoặc sàn giao dịch có thể tính phí. Ví này cũng hỗ trợ chuyển tiền đến tài khoản ngân hàng đủ điều kiện tại hơn 60 quốc gia, với số tiền được chuyển đến bằng tiền tệ địa phương của người nhận.Coinbase sẽ quản lý USDC trong Samsung Wallet thông qua Coinbase Prime. Samsung dự định mở rộng dịch vụ này đến nhiều thị trường hơn, với điều kiện tuân thủ các yêu cầu quy định địa phương.

Samsung Electronics America thông báo, Samsung Wallet sẽ ra mắt chức năng ví ổn định tiền vào tuần cuối cùng của tháng 10 cho các người dùng Galaxy đủ điều kiện tại Mỹ, ban đầu hỗ trợ ổn định tiền đô la Mỹ USDC, đối tác cơ sở hạ tầng blockchain là Sui. Chức năng này sẽ bao phủ 82 triệu thiết bị Galaxy tại Mỹ, trước tiên ra mắt tại Mỹ, sau đó sẽ mở rộng sang các thị trường khác.Chuyển khoản ổn định tiền không Gas của Sui cho phép USDC thực hiện chuyển tiền với phí mạng bằng không trên Sui, người dùng không cần phải mua hoặc nắm giữ SUI trước khi thực hiện giao dịch. Trong giai đoạn ra mắt, USDC là tài sản duy nhất được hỗ trợ, mã thông báo SUI tạm thời không được hỗ trợ. Trưởng nhóm ví kỹ thuật số của Samsung Electronics trong lĩnh vực trải nghiệm di động, Woncheol Chai, cho biết việc đưa chuyển khoản USDC vào Samsung Wallet sẽ giúp các người dùng Galaxy đủ điều kiện không cần cài đặt ứng dụng khác hoặc tự quản lý khóa riêng để sử dụng.USDC gốc sẽ ra mắt trên Sui vào năm 2024, sau đó sẽ kết nối với giao thức truyền tải đa chuỗi của Circle. Kể từ tháng 8 năm 2025, Sui đã xử lý hơn 1 nghìn tỷ đô la Mỹ trong khối lượng chuyển khoản ổn định tiền và tiếp tục tăng cường cơ sở hạ tầng thanh toán và tích hợp ổn định tiền tại các thị trường như châu Phi, châu Âu, châu Á, châu Mỹ Latinh và Bắc Mỹ.

Chủ tịch và Giám đốc điều hành của AMD, Su Zifeng, đã đến tòa nhà văn phòng Samsung Electronics ở Seoul vào khoảng 4 giờ 44 phút chiều ngày 7 tháng 10, gặp gỡ Phó Chủ tịch Toàn Vĩnh Huyền, người đứng đầu bộ phận giải pháp thiết bị, cách lần thăm Hàn Quốc trước đó khoảng 7 tháng. Jack Huynh, người đứng đầu nhóm tính toán và đồ họa của AMD, và Phó Chủ tịch Joseph Macri đã đi cùng. Su Zifeng cho biết, hai bên sẽ thảo luận về mối quan hệ đối tác rộng hơn và cho biết Samsung có nhiều đối tác hợp tác; khi được hỏi liệu có gặp Lee Jae-yong hay không, cô cho biết không tiện tiết lộ.Trước khi thăm Samsung, Su Zifeng đã tham dự Ngày game thủ AMD tại Seoul, gọi Samsung và SK Hynix là những đối tác cung cấp cốt lõi, và cho biết đang lên kế hoạch cho chuỗi cung ứng dài hạn do nhu cầu trí tuệ nhân tạo gia tăng. Cô cho biết, thế hệ MI455 mới và hệ thống Helios đã bắt đầu được giao hàng và đều sử dụng HBM4, nhận được sự hỗ trợ từ hai công ty, hợp tác HBM sẽ không dừng lại ở thế hệ đầu tiên. Theo báo cáo, Instinct MI455X được trang bị 432GB HBM4, tăng 50% so với thế hệ trước MI355X với 288GB HBM3E. Cô cho biết nguồn cung bộ nhớ rất căng thẳng, đang làm việc với khách hàng để tối ưu hóa lượng sử dụng và yêu cầu các đối tác mở rộng sản xuất. TrendForce đã dự đoán vào ngày 29 tháng trước rằng, HBM và DRAM thông thường chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, tình trạng cung cấp căng thẳng có thể kéo dài đến năm sau.Theo báo cáo, hai bên đã ký một biên bản ghi nhớ vào tháng 3 năm nay tập trung vào việc cung cấp HBM4 và DDR5 thế hệ tiếp theo, xác định Samsung là nhà cung cấp chính HBM4 cho MI455X, và thảo luận về việc Samsung gia công sản xuất sản phẩm thế hệ tiếp theo của AMD. Toàn Vĩnh Huyền khi đó cho biết, Samsung có thể cung cấp đồng thời bộ nhớ, gia công và đóng gói.

Samsung Electronics công bố kết quả sơ bộ cho quý 3, lợi nhuận hoạt động tăng vọt 783% so với cùng kỳ năm ngoái, tăng 20.01% so với quý trước, hơi vượt qua dự đoán của các nhà phân tích. Nhu cầu về chip trí tuệ nhân tạo tăng mạnh đã thúc đẩy lợi nhuận từ mảng kinh doanh bộ nhớ.Samsung dự kiến lợi nhuận hoạt động quý 3 đạt 107.4 triệu tỷ won Hàn Quốc (khoảng 801.7 triệu USD), doanh thu đạt 195 triệu tỷ won Hàn Quốc, tăng 127% so với cùng kỳ năm trước.

Samsung Electronics công bố kết quả sơ bộ quý ba, lợi nhuận hoạt động quý ba đạt 107,4 triệu tỷ won Hàn Quốc, thị trường dự đoán là 106,1 triệu tỷ won Hàn Quốc; doanh thu quý ba đạt 195 triệu tỷ won Hàn Quốc, thị trường dự đoán là 199 triệu tỷ won Hàn Quốc.

Theo báo cáo của nhật báo kinh tế Hàn Quốc, sản phẩm bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo "12 lớp HBM4E" của Samsung Electronics đã vượt qua kiểm tra chất lượng của NVIDIA và các nhà điều hành trung tâm dữ liệu quy mô lớn chính.

Theo báo cáo của truyền thông vào ngày 29 tháng 9, Phó Chủ tịch điều hành của Samsung Electronics, Kim Taewoo cho biết: Dự kiến vào năm tới, HBM sẽ chiếm gần 30% tổng công suất wafer của các nhà sản xuất DRAM, hiện tại tỷ lệ này khoảng 20%. Ông cho biết, HBM và DRAM truyền thống đang cạnh tranh cho cùng một công suất wafer, việc mở rộng sản xuất HBM có thể sẽ gây áp lực lên nguồn cung DRAM truyền thống.TrendForce trước đó đã dự đoán, đến cuối năm 2027, ba nhà cung cấp HBM lớn nhất toàn cầu sẽ đầu tư vào wafer HBM khoảng 30% tổng đầu tư wafer DRAM, nhưng tính theo dung lượng lưu trữ chỉ có thể đóng góp khoảng 13% tổng nguồn cung DRAM. Ngoài ra, theo báo cáo của truyền thông vào ngày 20 tháng 9, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng bao gồm Nvidia; ngành công nghiệp dự đoán lượng wafer HBM trung bình hàng tháng của Samsung sẽ tăng từ khoảng 180.000 wafer năm nay lên khoảng 250.000 wafer vào năm tới.TrendForce cũng cho biết vào cùng ngày, nhu cầu máy chủ AI vẫn tiếp tục, HBM và DRAM thông dụng sẽ vẫn chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, nguồn cung lưu trữ vào năm 2027 sẽ duy trì tình trạng căng thẳng, và đã điều chỉnh dự báo giá HBM năm 2027, dự kiến giá bán trung bình hỗn hợp sẽ tăng 121% so với năm trước. Do nguồn cung hạn chế và chi phí hệ thống tăng, HBM 8 lớp dự kiến sẽ trở thành giải pháp ưu tiên được nhiều nhà sản xuất đánh giá vào năm 2027, với giá bán mỗi Gb sẽ cao hơn khoảng 10% đến 20% so với sản phẩm 12 lớp.

Báo cáo của nhật báo Trung ương Hàn Quốc cho biết, bản tuyên bố của một người có xuất thân từ bộ phận Samsung Electronics, cựu người phụ trách đầu tư thiết bị của Changxin Memory Technologies (CXMT) cho thấy, cựu CEO của CXMT, Vương Ninh Quốc, đã triệu tập người này cùng với đội ngũ Hàn Quốc từ tháng 10 đến tháng 12 năm 2016, yêu cầu mang về kế hoạch công thức quy trình (PRP) và thông tin thiết bị của Samsung Electronics, và nói rằng nếu không mang về sẽ báo cáo chính phủ Hàn Quốc, đồng thời cảnh báo rằng có người xác minh mối quan hệ, không được nói dối. Người này cho biết lúc đó cảm thấy sợ hãi. Báo cáo cho biết, ban lãnh đạo CXMT đã sử dụng "Hoàng Sơn" làm mã cho Samsung Electronics.Sau 28 năm làm việc tại Samsung Electronics, người này gia nhập CXMT, bị cáo buộc tiết lộ và sử dụng trái phép quy trình DRAM 18 nanomet mà Samsung đã đầu tư 1.6 triệu tỷ won, là quy trình phát triển đầu tiên trên thế giới, đã bị truy tố, và vào tháng 4 năm nay bị tuyên án 7 năm tù giam trong phiên tòa sơ thẩm, hiện đang trong giai đoạn phúc thẩm. PRP bao gồm khoảng 600 bước quy trình sản xuất DRAM, thiết bị, giá trị điều kiện và công ty thiết bị cùng với mẫu mã. Một kỹ sư thiết kế quy trình của Samsung, Park, đã chép tay nội dung liên quan vào 12 trang ghi chú và mang ra ngoài vào tháng 9 năm 2016, hiện đang trong tình trạng thông báo đỏ của Tổ chức Cảnh sát Hình sự Quốc tế.Trong phiên tòa, người này tuyên bố rằng khi giao tiếp với phía Trung Quốc đã có ý kiến rằng nếu không thể sản xuất 18 nanomet thì sẽ không cung cấp đầu tư cho CXMT, và cho biết sau đó biết rằng đối phương từ đầu đã muốn có công nghệ này, CXMT ban đầu không có kế hoạch phát triển độc lập. Sự ép buộc trên xảy ra trước khi chuẩn bị cho cuộc họp xin đầu tư. CXMT được thành lập vào năm 2016 với vốn đầu tư 14.4 tỷ nhân dân tệ từ chính quyền thành phố Hợp Phì, đã khoảng 10 năm không có lợi nhuận, năm ngoái lần đầu tiên có lãi hàng năm, lợi nhuận ròng đạt 7.1 tỷ nhân dân tệ.

Theo báo cáo của Wall Street Journal, Samsung đã đầu tư 1 tỷ USD vào công ty hạ tầng trí tuệ nhân tạo Helix Digital được KKR và Nvidia hỗ trợ, khoản đầu tư này sẽ khiến tổng cam kết vốn của Helix Digital vượt quá 11 tỷ USD.

Giám đốc điều hành của NVIDIA, Huang Renxun, sẽ gặp lại Chủ tịch Samsung Electronics, Lee Jae-yong, và Chủ tịch Tập đoàn SK, Choi Tae-won, vào lúc 6 giờ chiều ngày 28 tháng 9 theo giờ địa phương tại New York, cách khoảng hai tháng kể từ cuộc gặp của ba người vào tháng 7 tại San Francisco. Theo nguồn tin từ giới kinh doanh vào ngày 27, Lee Jae-yong và Choi Tae-won dự kiến sẽ tham dự bữa tiệc tối thường niên của Hiệp hội Hàn Quốc được tổ chức tại New York, trong khi Huang Renxun sẽ tham dự với tư cách là người nhận giải thưởng Van Fleet năm nay, Samsung Electronics đang thúc đẩy hợp tác liên quan với NVIDIA.Các vấn đề được ngành công nghiệp quan tâm bao gồm bộ nhớ băng thông cao. Có thông tin cho rằng, Phó Chủ tịch Bộ phận Giải pháp Thiết bị của Samsung Electronics, Quan Vĩnh Huyền, đã gặp gỡ Huang Renxun trong chuyến thăm Hàn Quốc vào tháng 6, hai bên đã thảo luận về hợp tác lâu dài cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo như HBM4E, HBM5. Cuộc gặp ở New York cũng có thể liên quan đến dịch vụ gia công wafer và đóng gói tiên tiến, trong cuộc thảo luận tháng 6 cũng đã đề cập đến hợp tác gia công wafer thế hệ tiếp theo.

Theo báo cáo của ZDNet Korea ngày 28 tháng 9, Samsung Electronics đang tăng tốc xây dựng dây chuyền sản xuất đầu tiên (Ph1) tại khu công nghiệp P5 ở Bình Châu, và đang thảo luận với các nhà cung cấp thiết bị chính về việc chuyển thiết bị Ph1 từ kế hoạch ban đầu vào quý 3 năm sau lên quý 2 năm sau. P5 là cơ sở sản xuất bán dẫn thế hệ tiếp theo với mục tiêu đi vào sản xuất vào năm 2028, và đã bắt đầu xây dựng phòng sạch Ph1 vào quý 3 năm nay.Samsung Electronics trước đó đã đẩy nhanh việc hoàn thành xây dựng phòng sạch P5 Ph1 từ đầu năm sau xuống khoảng 6 tháng, do đó việc đưa thiết bị vào dự kiến sẽ diễn ra vào khoảng quý 3 năm sau. Các chuyên gia trong ngành cho biết, thời gian bắt đầu chuyển thiết bị dự kiến sẽ được đẩy lên từ tháng 7 đến tháng 8 năm sau xuống khoảng tháng 5 đến tháng 6 năm sau; một số người khác cho biết, Samsung thậm chí đã đề xuất giao thiết bị vào quý 1 năm sau, lưu trữ tạm thời tại các địa điểm khác, cho thấy ý định đầu tư sớm của họ rất mạnh mẽ.Cuộc thảo luận về đầu tư giai đoạn thứ hai của P5 (Ph2) cũng đang được tiến hành. Hiện tại, Ph1 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất DRAM và HBM, trong khi Ph2 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất NAND tiên tiến bao gồm thế hệ thứ mười (V10). Các chuyên gia trong ngành thiết bị cho biết, đơn đặt hàng chính thức vẫn chưa được phát hành, nhưng Samsung đã thảo luận với các đối tác để xây dựng Ph2 thành dây chuyền sản xuất NAND, và do chu kỳ giao hàng thiết bị dài, yêu cầu chuẩn bị sẵn các linh kiện liên quan. Các báo cáo cho thấy, các công ty công nghệ lớn trên toàn cầu đang tăng cường đơn hàng DRAM và NAND hiệu suất cao cho cơ sở hạ tầng AI, trong khi năng lực sản xuất của các công ty lưu trữ như Samsung bị hạn chế. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả kinh doanh quý 2 vào tháng 7, Samsung đã cho biết rằng nhu cầu không được đáp ứng trong năm nay sẽ kéo dài đến năm sau, và tình trạng thiếu hụt cung sẽ nghiêm trọng hơn năm nay, và dự kiến tình trạng thiếu hụt sẽ kéo dài đến năm 2028.

Theo báo cáo từ ZDNet Korea, Samsung Electronics đã điều chỉnh chiến lược DRAM thế hệ tiếp theo, đưa B1b, trước đây được phát triển dưới dạng dự án, vào lộ trình chính thức và đặt tên là DRAM D0a đầu tiên dưới 10 nanomet. Trước đây, D0a chỉ đề cập đến DRAM transistor thẳng đứng, hiện sản phẩm này được phân loại riêng là D0a-V. Việc đổi tên này nhằm tăng tốc độ đưa công nghệ đóng gói tiên tiến vào DRAM thông dụng.B1b sẽ sản xuất các đơn vị lưu trữ và mạch điều khiển xung quanh trên các wafer khác nhau rồi sau đó kết nối lại, sử dụng phương pháp kết nối hỗn hợp wafer với wafer, kết nối trực tiếp qua đồng. Hiện tại, DRAM thương mại đã có là 1c, tức là thế hệ thứ 6 ở mức 10 nanomet, độ rộng khoảng 11 đến 12 nanomet; thế hệ tiếp theo 1d là thế hệ thứ 7 ở mức 10 nanomet, độ rộng khoảng 10 đến 11 nanomet, được coi là sản phẩm 10 nanomet cuối cùng về mặt thực tế, độ rộng liên quan thuộc về thuật ngữ tiếp thị chứ không phải kích thước vật lý thực tế. Transistor thẳng đứng có thể sắp xếp transistor bên trong đơn vị theo chiều dọc, giảm diện tích đơn vị từ 6F² xuống 4F², nhưng cần phải đối mặt với việc khắc tỉ lệ cao và dòng rò, độ khó phát triển cao hơn. Kết nối hỗn hợp wafer với wafer đã được ứng dụng sản xuất hàng loạt trong cảm biến hình ảnh CMOS và NAND xếp chồng cao.Samsung Electronics đang đánh giá việc sử dụng B1b cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ 8 HBM5. HBM5 dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2029, với mục tiêu tăng tốc độ hoạt động hơn 50% so với HBM4E. Ngành công nghiệp ước tính, DRAM D0a dựa trên B1b sẽ thương mại hóa nhanh nhất sau khoảng hai năm, lịch trình đầu tư sản xuất cụ thể có thể được xác định vào giữa năm sau.

Theo báo cáo của Money Today vào ngày 21 tháng 9, Samsung Electronics đang thúc đẩy mở rộng năng lực sản xuất quy trình tiên tiến trong lĩnh vực gia công wafer do sự tăng trưởng của thị trường HBM, nhằm đáp ứng nhu cầu gia tăng đối với chip nền HBM4 đang được đánh giá để mở rộng quy trình 4 nanomet. HBM4 của Samsung bao gồm chip DRAM lõi thế hệ 6 (1c) ở mức 10 nanomet và chip nền logic 4 nanomet, chip nền chịu trách nhiệm trao đổi dữ liệu tốc độ cao với GPU và các bộ tăng tốc AI khác.Khác với SK Hynix sử dụng quy trình 12 nanomet của TSMC, Samsung sử dụng quy trình 4 nanomet tự sản xuất cho chip nền HBM4. Dây chuyền sản xuất này đã hoạt động hết công suất và nhận đơn hàng từ Nvidia Groq 3 LPU, công ty gần đây đã điều chỉnh tăng giá cho các đơn hàng mới 4 nanomet và chip nền HBM4. Samsung dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng hơn 3 lần so với quý trước, và tỷ lệ HBM4 trong doanh thu HBM nửa cuối năm sẽ cao hơn 60%. Việc mở rộng sản xuất P4 tại Pyeongtaek chủ yếu sẽ được sử dụng cho DRAM 1c cho HBM, hơn một nửa năng lực sản xuất 4 nanomet trong gia công wafer đã được phân bổ cho chip nền HBM4.HBM4E cũng sử dụng chip nền 4 nanomet, Samsung đã cung cấp mẫu cho khách hàng vào tháng 5. Công ty cũng đang đánh giá việc xây dựng dây chuyền sản xuất mới 2 nanomet cho HBM5, với mục tiêu sử dụng cấu trúc GAA quy trình 2 nanomet và tăng mật độ TSV, nhằm nâng cao tốc độ hoạt động hơn 50% so với HBM4E. Citigroup dự đoán nhu cầu HBM toàn cầu năm tới sẽ đạt 75,2 tỷ Gb, tăng 62% so với năm trước, cung cấp khoảng 59,4 tỷ Gb, thiếu hụt khoảng 21%.

Theo báo cáo của Digital Asset, công ty thanh toán toàn cầu Stripe đã thêm hỗ trợ Samsung Pay cho dịch vụ mua sắm tài sản tiền điện tử Crypto Onramp trong phiên bản React Native SDK 0.75.0, bao gồm cấu hình thanh toán, kiểm tra khả dụng, thu thập phương thức thanh toán và ví dụ tích hợp.Các ứng dụng Android được phát triển bằng React Native có thể kết nối với Samsung Pay, cho phép người dùng sử dụng phương thức thanh toán này để mua tài sản tiền điện tử bằng tiền pháp định. Trước đó, dịch vụ này đã hỗ trợ các phương thức thanh toán như thẻ tín dụng, thẻ ghi nợ, Apple Pay, Google Pay và chuyển khoản ngân hàng ACH.

Theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics dự kiến sẽ mở rộng sản lượng bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 và thế hệ thứ bảy HBM4E trong năm tới ít nhất gấp đôi so với năm nay. Công ty dự định tăng lượng kính nền cần thiết cho việc gia công DRAM HBM từ 20.000 tấm mỗi tháng năm nay lên 50.000 tấm mỗi tháng vào năm tới, tăng 2,5 lần so với năm nay. Nhu cầu hàng tháng cho kính nền này vào năm ngoái khoảng 10.000 tấm, năm nay đã gấp đôi so với năm ngoái.HBM4 và HBM4E mà Samsung Electronics tập trung mở rộng sản xuất chủ yếu là các sản phẩm có độ chồng chất cao từ 12 lớp trở lên. Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 sử dụng DRAM thế hệ thứ sáu 10nm (1c) và chip nền quy trình 4nm từ tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng như NVIDIA. Ngành công nghiệp dự đoán, tính theo lượng wafer trung bình hàng tháng, công suất HBM của Samsung Electronics sẽ tăng từ khoảng 180.000 tấm năm nay lên khoảng 250.000 tấm vào năm tới, tăng gần 40%; tỷ lệ xuất khẩu của dòng sản phẩm HBM4 có thể tăng từ khoảng 40% năm nay lên khoảng 80% vào năm tới.

Samsung Electronics đã thuê cựu trưởng phòng chế độ ngoại hối Lý Hy Khôn từ Bộ Tài chính và Kinh tế làm giám đốc điều hành của đội IR vào tháng trước. Lý Hy Khôn từng giữ chức trưởng phòng chế độ ngoại hối, trưởng phòng chính sách thị trường vốn và các vị trí khác, phụ trách chế độ ngoại hối và ứng phó với đầu tư nước ngoài. Vào tháng 4 năm nay, ông đã tham gia vào công việc đưa Hàn Quốc vào chỉ số trái phiếu toàn cầu và được khen thưởng đặc biệt, dự kiến sẽ phụ trách các nhà đầu tư nước ngoài và ứng phó với thị trường vốn toàn cầu.SK Hynix đã thuê cựu trưởng phòng tổng hợp chiến lược kinh tế Jeong Yu Jin từ Bộ Tài chính và Kinh tế làm phó giám đốc dưới sự tổng hợp truyền thông vào tháng trước. Jeong Yu Jin từng giữ chức trưởng phòng ngân sách môi trường khí hậu, thư ký phó thủ tướng kinh tế, trưởng phòng chế độ ngoại hối, trưởng phòng vốn ngoại hối và các vị trí khác. Hai công ty đang thúc đẩy đầu tư sản xuất tại Mỹ, Samsung Electronics dự định đầu tư 37 tỷ USD để xây dựng nhà máy gia công wafer tại Taylor, Texas, trong khi SK Hynix dự định đầu tư 4 tỷ USD để xây dựng nhà máy đóng gói tiên tiến tại Indiana.

Theo Reuters dẫn nguồn tin từ những người có hiểu biết, Longxin Storage CXMT đang chuẩn bị gia nhập thị trường chip flash NAND, mở rộng ngoài lĩnh vực kinh doanh DRAM cốt lõi và cạnh tranh với Samsung Electronics, SK Hynix, Micron và Yangtze Memory.Longxin Storage dự định thiết lập dây chuyền nghiên cứu và sản xuất NAND flash tại nhà máy mới ở Bắc Kinh, và thành lập viện nghiên cứu bao gồm các dự án phát triển NAND tại Bắc Kinh. Công ty đã thảo luận về kế hoạch liên quan với khách hàng, trong đó có một công ty khởi nghiệp dự định mua chip cho hệ thống AI và siêu máy tính. Thời gian hoạt động của dây chuyền nghiên cứu và sản xuất thương mại quy mô lớn vẫn chưa rõ ràng.Sự thiếu hụt bộ nhớ toàn cầu được thúc đẩy bởi nhu cầu từ máy chủ AI, dự kiến sẽ kéo dài ít nhất đến năm 2027. Các nhà sản xuất ưu tiên chi tiêu cho DRAM và HBM, hạn chế việc tăng công suất NAND. Longxin Storage đã huy động được 57,92 tỷ nhân dân tệ từ đợt IPO vào tháng 7. Yangtze Memory đã được đưa vào danh sách thực thể vào năm 2022.

Samsung Electronics đã bắt đầu sản xuất nguyên mẫu chip AI5 cho Tesla tại nhà máy gia công ở Tyler, Texas, Hoa Kỳ. Do nhu cầu chip AI tăng vọt, Samsung đã đẩy nhanh sản lượng nguyên mẫu để xác minh tỷ lệ sản xuất, dự kiến hoàn thành xác minh sản xuất quy mô lớn vào cuối năm nay và cung cấp đầy đủ vào năm sau.