electronic

Theo báo chí Hàn Quốc, Samsung Electronics đã ký thỏa thuận dài hạn về cung cấp bộ nhớ cho năm tới, với tỷ lệ bao phủ khoảng 75% đến 80%, trong đó bao gồm bộ nhớ băng thông cao. Báo cáo cho biết, Samsung Electronics đã hoàn tất phần lớn hợp đồng với các công ty công nghệ lớn như NVIDIA, Google, Microsoft.SK Hynix và Micron cũng đang tăng tốc để xác định lượng cung cấp và đã ký một loạt hợp đồng dài hạn quy mô lớn với các khách hàng chính. Samsung Electro-Mechanics được cho là gần ký thỏa thuận dài hạn trị giá 700 tỷ won Hàn Quốc với công ty điện tử Delta của Đài Loan để cung cấp tụ điện gốm đa lớp.

Samsung Electronics công bố kết quả sơ bộ quý ba, lợi nhuận hoạt động quý ba đạt 107,4 triệu tỷ won Hàn Quốc, thị trường dự đoán là 106,1 triệu tỷ won Hàn Quốc; doanh thu quý ba đạt 195 triệu tỷ won Hàn Quốc, thị trường dự đoán là 199 triệu tỷ won Hàn Quốc.

Theo báo cáo của nhật báo kinh tế Hàn Quốc, sản phẩm bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo "12 lớp HBM4E" của Samsung Electronics đã vượt qua kiểm tra chất lượng của NVIDIA và các nhà điều hành trung tâm dữ liệu quy mô lớn chính.

Theo báo cáo của truyền thông vào ngày 29 tháng 9, Phó Chủ tịch điều hành của Samsung Electronics, Kim Taewoo cho biết: Dự kiến vào năm tới, HBM sẽ chiếm gần 30% tổng công suất wafer của các nhà sản xuất DRAM, hiện tại tỷ lệ này khoảng 20%. Ông cho biết, HBM và DRAM truyền thống đang cạnh tranh cho cùng một công suất wafer, việc mở rộng sản xuất HBM có thể sẽ gây áp lực lên nguồn cung DRAM truyền thống.TrendForce trước đó đã dự đoán, đến cuối năm 2027, ba nhà cung cấp HBM lớn nhất toàn cầu sẽ đầu tư vào wafer HBM khoảng 30% tổng đầu tư wafer DRAM, nhưng tính theo dung lượng lưu trữ chỉ có thể đóng góp khoảng 13% tổng nguồn cung DRAM. Ngoài ra, theo báo cáo của truyền thông vào ngày 20 tháng 9, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng bao gồm Nvidia; ngành công nghiệp dự đoán lượng wafer HBM trung bình hàng tháng của Samsung sẽ tăng từ khoảng 180.000 wafer năm nay lên khoảng 250.000 wafer vào năm tới.TrendForce cũng cho biết vào cùng ngày, nhu cầu máy chủ AI vẫn tiếp tục, HBM và DRAM thông dụng sẽ vẫn chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, nguồn cung lưu trữ vào năm 2027 sẽ duy trì tình trạng căng thẳng, và đã điều chỉnh dự báo giá HBM năm 2027, dự kiến giá bán trung bình hỗn hợp sẽ tăng 121% so với năm trước. Do nguồn cung hạn chế và chi phí hệ thống tăng, HBM 8 lớp dự kiến sẽ trở thành giải pháp ưu tiên được nhiều nhà sản xuất đánh giá vào năm 2027, với giá bán mỗi Gb sẽ cao hơn khoảng 10% đến 20% so với sản phẩm 12 lớp.

Delta Electronics sẽ xây dựng hệ thống lái tự động dựa trên Hyperion của NVIDIA (NVDA.O).

Theo báo cáo của ZDNet Korea ngày 28 tháng 9, Samsung Electronics đang tăng tốc xây dựng dây chuyền sản xuất đầu tiên (Ph1) tại khu công nghiệp P5 ở Bình Châu, và đang thảo luận với các nhà cung cấp thiết bị chính về việc chuyển thiết bị Ph1 từ kế hoạch ban đầu vào quý 3 năm sau lên quý 2 năm sau. P5 là cơ sở sản xuất bán dẫn thế hệ tiếp theo với mục tiêu đi vào sản xuất vào năm 2028, và đã bắt đầu xây dựng phòng sạch Ph1 vào quý 3 năm nay.Samsung Electronics trước đó đã đẩy nhanh việc hoàn thành xây dựng phòng sạch P5 Ph1 từ đầu năm sau xuống khoảng 6 tháng, do đó việc đưa thiết bị vào dự kiến sẽ diễn ra vào khoảng quý 3 năm sau. Các chuyên gia trong ngành cho biết, thời gian bắt đầu chuyển thiết bị dự kiến sẽ được đẩy lên từ tháng 7 đến tháng 8 năm sau xuống khoảng tháng 5 đến tháng 6 năm sau; một số người khác cho biết, Samsung thậm chí đã đề xuất giao thiết bị vào quý 1 năm sau, lưu trữ tạm thời tại các địa điểm khác, cho thấy ý định đầu tư sớm của họ rất mạnh mẽ.Cuộc thảo luận về đầu tư giai đoạn thứ hai của P5 (Ph2) cũng đang được tiến hành. Hiện tại, Ph1 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất DRAM và HBM, trong khi Ph2 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất NAND tiên tiến bao gồm thế hệ thứ mười (V10). Các chuyên gia trong ngành thiết bị cho biết, đơn đặt hàng chính thức vẫn chưa được phát hành, nhưng Samsung đã thảo luận với các đối tác để xây dựng Ph2 thành dây chuyền sản xuất NAND, và do chu kỳ giao hàng thiết bị dài, yêu cầu chuẩn bị sẵn các linh kiện liên quan. Các báo cáo cho thấy, các công ty công nghệ lớn trên toàn cầu đang tăng cường đơn hàng DRAM và NAND hiệu suất cao cho cơ sở hạ tầng AI, trong khi năng lực sản xuất của các công ty lưu trữ như Samsung bị hạn chế. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả kinh doanh quý 2 vào tháng 7, Samsung đã cho biết rằng nhu cầu không được đáp ứng trong năm nay sẽ kéo dài đến năm sau, và tình trạng thiếu hụt cung sẽ nghiêm trọng hơn năm nay, và dự kiến tình trạng thiếu hụt sẽ kéo dài đến năm 2028.

LG Electronics đã tham gia chương trình đối tác chính thức của NVIDIA về giải pháp làm mát trung tâm dữ liệu AI, được đánh giá là đối tác ưu tiên trong danh mục "Điện và Làm mát".LG nhằm mở rộng thị trường trung tâm dữ liệu quy mô lớn và dịch vụ lưu trữ máy chủ, đặc biệt là tại thị trường Bắc Mỹ. Hiện tại, hơn 60% nhu cầu về công suất trung tâm dữ liệu mới trên toàn cầu tập trung ở Bắc Mỹ.

Theo báo cáo từ ZDNet Korea, Samsung Electronics đã điều chỉnh chiến lược DRAM thế hệ tiếp theo, đưa B1b, trước đây được phát triển dưới dạng dự án, vào lộ trình chính thức và đặt tên là DRAM D0a đầu tiên dưới 10 nanomet. Trước đây, D0a chỉ đề cập đến DRAM transistor thẳng đứng, hiện sản phẩm này được phân loại riêng là D0a-V. Việc đổi tên này nhằm tăng tốc độ đưa công nghệ đóng gói tiên tiến vào DRAM thông dụng.B1b sẽ sản xuất các đơn vị lưu trữ và mạch điều khiển xung quanh trên các wafer khác nhau rồi sau đó kết nối lại, sử dụng phương pháp kết nối hỗn hợp wafer với wafer, kết nối trực tiếp qua đồng. Hiện tại, DRAM thương mại đã có là 1c, tức là thế hệ thứ 6 ở mức 10 nanomet, độ rộng khoảng 11 đến 12 nanomet; thế hệ tiếp theo 1d là thế hệ thứ 7 ở mức 10 nanomet, độ rộng khoảng 10 đến 11 nanomet, được coi là sản phẩm 10 nanomet cuối cùng về mặt thực tế, độ rộng liên quan thuộc về thuật ngữ tiếp thị chứ không phải kích thước vật lý thực tế. Transistor thẳng đứng có thể sắp xếp transistor bên trong đơn vị theo chiều dọc, giảm diện tích đơn vị từ 6F² xuống 4F², nhưng cần phải đối mặt với việc khắc tỉ lệ cao và dòng rò, độ khó phát triển cao hơn. Kết nối hỗn hợp wafer với wafer đã được ứng dụng sản xuất hàng loạt trong cảm biến hình ảnh CMOS và NAND xếp chồng cao.Samsung Electronics đang đánh giá việc sử dụng B1b cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ 8 HBM5. HBM5 dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2029, với mục tiêu tăng tốc độ hoạt động hơn 50% so với HBM4E. Ngành công nghiệp ước tính, DRAM D0a dựa trên B1b sẽ thương mại hóa nhanh nhất sau khoảng hai năm, lịch trình đầu tư sản xuất cụ thể có thể được xác định vào giữa năm sau.

Theo báo cáo của Money Today vào ngày 21 tháng 9, Samsung Electronics đang thúc đẩy mở rộng năng lực sản xuất quy trình tiên tiến trong lĩnh vực gia công wafer do sự tăng trưởng của thị trường HBM, nhằm đáp ứng nhu cầu gia tăng đối với chip nền HBM4 đang được đánh giá để mở rộng quy trình 4 nanomet. HBM4 của Samsung bao gồm chip DRAM lõi thế hệ 6 (1c) ở mức 10 nanomet và chip nền logic 4 nanomet, chip nền chịu trách nhiệm trao đổi dữ liệu tốc độ cao với GPU và các bộ tăng tốc AI khác.Khác với SK Hynix sử dụng quy trình 12 nanomet của TSMC, Samsung sử dụng quy trình 4 nanomet tự sản xuất cho chip nền HBM4. Dây chuyền sản xuất này đã hoạt động hết công suất và nhận đơn hàng từ Nvidia Groq 3 LPU, công ty gần đây đã điều chỉnh tăng giá cho các đơn hàng mới 4 nanomet và chip nền HBM4. Samsung dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng hơn 3 lần so với quý trước, và tỷ lệ HBM4 trong doanh thu HBM nửa cuối năm sẽ cao hơn 60%. Việc mở rộng sản xuất P4 tại Pyeongtaek chủ yếu sẽ được sử dụng cho DRAM 1c cho HBM, hơn một nửa năng lực sản xuất 4 nanomet trong gia công wafer đã được phân bổ cho chip nền HBM4.HBM4E cũng sử dụng chip nền 4 nanomet, Samsung đã cung cấp mẫu cho khách hàng vào tháng 5. Công ty cũng đang đánh giá việc xây dựng dây chuyền sản xuất mới 2 nanomet cho HBM5, với mục tiêu sử dụng cấu trúc GAA quy trình 2 nanomet và tăng mật độ TSV, nhằm nâng cao tốc độ hoạt động hơn 50% so với HBM4E. Citigroup dự đoán nhu cầu HBM toàn cầu năm tới sẽ đạt 75,2 tỷ Gb, tăng 62% so với năm trước, cung cấp khoảng 59,4 tỷ Gb, thiếu hụt khoảng 21%.

Theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics dự kiến sẽ mở rộng sản lượng bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 và thế hệ thứ bảy HBM4E trong năm tới ít nhất gấp đôi so với năm nay. Công ty dự định tăng lượng kính nền cần thiết cho việc gia công DRAM HBM từ 20.000 tấm mỗi tháng năm nay lên 50.000 tấm mỗi tháng vào năm tới, tăng 2,5 lần so với năm nay. Nhu cầu hàng tháng cho kính nền này vào năm ngoái khoảng 10.000 tấm, năm nay đã gấp đôi so với năm ngoái.HBM4 và HBM4E mà Samsung Electronics tập trung mở rộng sản xuất chủ yếu là các sản phẩm có độ chồng chất cao từ 12 lớp trở lên. Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 sử dụng DRAM thế hệ thứ sáu 10nm (1c) và chip nền quy trình 4nm từ tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng như NVIDIA. Ngành công nghiệp dự đoán, tính theo lượng wafer trung bình hàng tháng, công suất HBM của Samsung Electronics sẽ tăng từ khoảng 180.000 tấm năm nay lên khoảng 250.000 tấm vào năm tới, tăng gần 40%; tỷ lệ xuất khẩu của dòng sản phẩm HBM4 có thể tăng từ khoảng 40% năm nay lên khoảng 80% vào năm tới.

Samsung Electronics đã thuê cựu trưởng phòng chế độ ngoại hối Lý Hy Khôn từ Bộ Tài chính và Kinh tế làm giám đốc điều hành của đội IR vào tháng trước. Lý Hy Khôn từng giữ chức trưởng phòng chế độ ngoại hối, trưởng phòng chính sách thị trường vốn và các vị trí khác, phụ trách chế độ ngoại hối và ứng phó với đầu tư nước ngoài. Vào tháng 4 năm nay, ông đã tham gia vào công việc đưa Hàn Quốc vào chỉ số trái phiếu toàn cầu và được khen thưởng đặc biệt, dự kiến sẽ phụ trách các nhà đầu tư nước ngoài và ứng phó với thị trường vốn toàn cầu.SK Hynix đã thuê cựu trưởng phòng tổng hợp chiến lược kinh tế Jeong Yu Jin từ Bộ Tài chính và Kinh tế làm phó giám đốc dưới sự tổng hợp truyền thông vào tháng trước. Jeong Yu Jin từng giữ chức trưởng phòng ngân sách môi trường khí hậu, thư ký phó thủ tướng kinh tế, trưởng phòng chế độ ngoại hối, trưởng phòng vốn ngoại hối và các vị trí khác. Hai công ty đang thúc đẩy đầu tư sản xuất tại Mỹ, Samsung Electronics dự định đầu tư 37 tỷ USD để xây dựng nhà máy gia công wafer tại Taylor, Texas, trong khi SK Hynix dự định đầu tư 4 tỷ USD để xây dựng nhà máy đóng gói tiên tiến tại Indiana.

Theo báo cáo của Chosun Ilbo ngày 15 tháng 9, lợi nhuận hoạt động của Samsung Electronics và SK Hynix trong quý 3 đã được điều chỉnh tăng lần nữa trong vòng ba tháng. Tổng hợp từ các báo cáo của các công ty chứng khoán lớn và ngân hàng đầu tư nước ngoài, lợi nhuận hoạt động của Samsung Electronics trong quý 3 ước tính khoảng 114 triệu tỷ won, tăng 12.2836 triệu tỷ won (12%) so với 101.9052 triệu tỷ won cách đây ba tháng, và tăng 28% so với 89.4 triệu tỷ won của quý 2. SK Hynix ước tính trong quý 3 là 78.8035 triệu tỷ won, tăng 4% so với 75.7249 triệu tỷ won cách đây ba tháng, và tăng 30% so với 60.5426 triệu tỷ won của quý 2.TrendForce dự đoán giá giao dịch cố định DRAM chung trong quý 3 sẽ tăng từ 13% đến 18% so với quý trước, trong khi NAND flash tăng từ 10% đến 15%. Thị trường chứng khoán chú ý đến tỷ lệ doanh thu HBM4 của Samsung Electronics từ 5% trong quý 1 đã mở rộng lên khoảng 35% trong quý 2, và tỷ lệ sản xuất đã cải thiện. SK Hynix duy trì thị phần HBM hàng đầu, nhưng việc cải thiện sản xuất HBM4 của Samsung có thể làm giảm giá cung cấp của họ. Citigroup đã điều chỉnh dự báo lợi nhuận hoạt động quý 3 của SK Hynix từ 76.7 triệu tỷ won xuống 74 triệu tỷ won do đồng won mạnh lên. Micron sẽ công bố kết quả tài chính quý 4 năm tài chính 2026 (từ tháng 6 đến tháng 8) vào ngày 30, với hướng dẫn doanh thu từ 49 tỷ đến 51 tỷ USD.

Ngân hàng trung ương Hàn Quốc trong báo cáo "Chính sách tín dụng tiền tệ tháng 9 năm 2026" được phát hành gần đây đã tổng hợp lại nguyên nhân biến động của chỉ số giá cổ phiếu tổng hợp Hàn Quốc (KOSPI) từ đầu năm đến nay. Báo cáo cho thấy, khi KOSPI liên tục tăng lên, tỷ lệ đóng góp của Samsung Electronics và SK Hynix vào sự gia tăng của chỉ số đã nhanh chóng tăng cao.Đặc biệt trong quá trình KOSPI từ 8000 điểm tăng vọt lên 9000 điểm vào tháng 6 năm nay, hai cổ phiếu này đã đóng góp tới 99% vào mức tăng của chỉ số.

Theo báo cáo của The Bell, bộ phận kinh doanh gia công của Samsung Electronics và Qualcomm đã trì hoãn hợp đồng gia công sản xuất bộ xử lý ứng dụng do sự khác biệt về giá sản xuất, hai bên không thể thu hẹp khoảng cách giá cả, và cuộc đàm phán kéo dài. Về mặt kỹ thuật, không có vấn đề lớn nào xuất hiện, quy trình 2 nanomet hiện tại đã được đánh giá ổn định ở mức độ tương đối.Tin tức trong ngành cho biết, việc gia công AP của Qualcomm sử dụng quy trình 2 nanomet của Samsung có thể bị trì hoãn đến năm sau, và không rõ liệu có thể bắt đầu sản xuất trong năm nay hay không. Qualcomm đã từng giao cho Samsung gia công AP tiên tiến trước năm 2021, và trong những năm gần đây, Samsung đã liên tục nỗ lực để giành lại hợp đồng này, và đã lần lượt giành được khách hàng như Tesla, Broadcom.Các nguồn tin cho biết, việc trì hoãn hợp đồng khiến Samsung gặp khó khăn trong việc sản xuất AP cho Qualcomm trong năm nay, và hai bên có thể chuyển sang thảo luận về sản phẩm thế hệ tiếp theo. Sau khi có được khách hàng chiến lược, Samsung không còn chấp nhận đơn hàng giá thấp như trước đây.

Theo báo cáo của Tạp chí Khoa học và Công nghệ, Samsung Electronics đã bắt tay vào phát triển chiếc kính AI đầu tiên được trang bị màn hình. Sản phẩm này không chỉ cung cấp chức năng âm thanh mà còn có thể hiển thị thông tin hình ảnh màu sắc trên ống kính, tương tự như kính thông minh Meta Ray-Ban Display.Các chuyên gia trong ngành tiết lộ rằng Samsung Electronics đang xem xét phát triển màn hình siêu nhỏ chỉ 0.2 inch hoặc nhỏ hơn cho kính AI, và đã giao nhiệm vụ phát triển này cho Samsung Display vào tháng trước, đưa ra yêu cầu về kích thước sản phẩm, diện tích hiển thị thông tin, màu sắc và giá cả. Hiện tại, Samsung Electronics đang đánh giá các giải pháp bảng điều khiển ứng cử viên như OLEDoS hoặc LEDoS, và dự kiến sản phẩm này sẽ được phát hành vào nửa cuối năm 2027 hoặc nửa đầu năm 2028.Hiện tại, các chi tiết cụ thể của chiếc kính này vẫn chưa được xác định. Về hiển thị màu sắc, Samsung Electronics dự kiến sẽ sử dụng độ xám hạn chế với 4 màu, thay vì màn hình độ phân giải cao, và vẫn chưa quyết định sử dụng thiết kế hai mắt hay một mắt. Các chuyên gia trong ngành cho biết, RGB OLEDoS đang đối mặt với thách thức về giá cả và tỷ lệ thành phẩm, rất có thể sẽ ra mắt bảng OLEDoS màu trắng. Trước đó, Samsung đã phát hành kính AI không có màn hình, được phát triển hợp tác bởi Samsung Electronics, Google, Gentle Monster và Warby Parker.

Công ty trí tuệ nhân tạo Pháp Mistral AI thông báo đã hoàn thành vòng gọi vốn D trị giá 3 tỷ euro, với định giá sau đầu tư vượt quá 21 tỷ euro. Công ty cho biết, đây là vòng gọi vốn cổ phần lớn nhất từ trước đến nay của một công ty công nghệ châu Âu. Samsung Electronics dẫn đầu vòng gọi vốn, cùng với Quỹ Scaleup Europe do EQT quản lý và các nhà đầu tư hiện tại PSG Equity. Các nhà đầu tư mới bao gồm Advent, quỹ và tài khoản do BlackRock quản lý, cũng như Công quốc Luxembourg.Các nhà đầu tư hiện tại như a16z, ASML, Belfius, BNP Paribas CIB, Bpifrance, Carmignac, DST Global, Eurazeo, General Catalyst, Headline, Hillspire, Index Ventures, Korelya Capital, Lightspeed, NVIDIA, Quỹ Solar thuộc Phoenix Court (bao gồm LocalGlobe, Latitude và Solar) cũng như Salesforce Ventures tiếp tục tham gia đầu tư. Vốn sẽ được sử dụng cho nghiên cứu mô hình tiên tiến, mở rộng sức mạnh tính toán và cơ sở hạ tầng, cũng như thương mại hóa và mở rộng thị trường quốc tế. Mistral AI hiện hoạt động tại 20 quốc gia, phục vụ hơn 125 doanh nghiệp, bao gồm Airbus, ASML và HSBC.

Theo báo cáo của truyền thông Hàn Quốc Greened.kr, Samsung Electronics đã hợp tác với Arm chính thức khởi động nghiên cứu và phát triển chip AI đầu cuối. Arm đã phê duyệt khoản chi phí kỹ thuật một lần vào cuối tháng 8 để phát triển chip SoC AI đầu cuối thế hệ tiếp theo và chính thức khởi động dự án này với Samsung Electronics.Dự án này áp dụng mô hình hợp tác mà Arm cung cấp công nghệ cốt lõi, Samsung Electronics sẽ tích hợp và triển khai dựa trên đó, nhằm mục đích cùng phát triển chip tùy chỉnh hướng tới khách hàng cuối.

ChainCatcher tin tức, theo báo cáo của tờ "Seoul Economic" Hàn Quốc vào ngày 31 tháng 8, giá HBM và DRAM mà AI tăng tốc sử dụng tiếp tục tăng cao. Dữ liệu từ Hiệp hội Thương mại Hàn Quốc cho thấy, lượng xuất khẩu DRAM giảm từ khoảng 681.7 triệu chiếc vào tháng 5 xuống còn 591.74 triệu chiếc vào tháng 7, giảm 13.2%, trong khi giá trị xuất khẩu tăng từ 11.428 tỷ USD lên 13.552 tỷ USD, tăng 18.5%, giá xuất khẩu đơn vị tăng từ 16.76 USD lên 22.9 USD, tăng 36.6%.HBM4 cung cấp cho khách hàng như Nvidia được mở rộng, và tỷ lệ sản xuất ban đầu thấp hơn HBM3E, làm trầm trọng thêm tình trạng thiếu hụt cung DRAM tổng thể. Bộ phận bộ nhớ của Samsung Electronics được cho là sẽ phân bổ khoảng 70% công suất cho các hợp đồng cung cấp dài hạn đến năm 2031, với các đối tượng chính bao gồm Nvidia, Microsoft, Google. Dữ liệu từ Mega Grid Supply cho thấy, giá HBM3E 36GB trên thị trường giao ngay là 2100 USD, gấp 4 đến 5 lần giá hợp đồng dài hạn; giá HBM4 16 lớp đang được sản xuất hàng loạt khoảng 3500 USD.Ngành đầu tư tài chính dự đoán doanh thu quý 3 của Samsung Electronics đạt 206.64 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động đạt 116.38 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động sẽ lần đầu tiên vượt qua 100 triệu tỷ won Hàn Quốc. Doanh thu quý 3 của SK Hynix dự kiến đạt 101.76 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động 79.16 triệu tỷ won Hàn Quốc. Samsung Electronics đang xem xét việc chuyển đổi dây chuyền sản xuất wafer duy nhất S5 tại khu vực Pyeongtaek sang sản xuất bộ nhớ sớm nhất vào năm sau.

Tin tức từ ChainCatcher, hôm nay cổ phiếu liên quan đến bán dẫn của Hàn Quốc chịu áp lực giảm giá, thị trường tài sản liên quan vẫn giao dịch sôi động. Theo dữ liệu từ nền tảng Gate, SK Hynix (000660) hiện có giá 1,175.12 USD, giảm 2.11% trong 24 giờ qua; Samsung Electronics (005930) hiện có giá 183.02 USD, giảm 1.94% trong 24 giờ qua.Theo dữ liệu từ CoinGlass, thị trường hợp đồng của SKHYNIX và SAMSUNG giao dịch sôi động, khối lượng hợp đồng của hai tài sản này lần lượt tăng 4.03% và 7.30%, giá trị giao dịch hợp đồng lần lượt tăng 451.63% và 1069.65%. Trong các sản phẩm phái sinh cổ phiếu liên quan trên Gate, khối lượng hợp đồng SKHX đạt 180 triệu USD, đứng thứ hai toàn mạng, giá trị giao dịch trong 24 giờ đạt 180 triệu USD; khối lượng hợp đồng SAMSUNG đạt 8.14 triệu USD, đứng thứ hai toàn mạng, giá trị giao dịch trong 24 giờ đạt 5.94 triệu USD.

Tin tức từ ChainCatcher, cơ quan công tố Đài Loan cho biết đang điều tra nhà sản xuất bảng mạch và bảng mạch in hàng đầu thế giới là Xinxing Electronics, công ty này là nhà cung cấp quan trọng cho Nvidia, Intel, Google và Amazon. Cuộc điều tra nhằm vào việc công ty này bị nghi ngờ đã giả mạo xuất xứ của các linh kiện sản xuất tại Trung Quốc thành hàng sản xuất tại Đài Loan, có thể vi phạm các luật liên quan đến việc cấm rửa xuất xứ.Xinxing Electronics là một trong những nhà sản xuất bảng mạch in hàng đầu thế giới, cuộc điều tra này diễn ra trong bối cảnh Mỹ tăng cường chống lại việc chuyển giao hàng hóa.