長鑫存儲稱 4F² 結構取得關鍵進展，擬推伺服器內存

ChainCatcher 消息，中國存儲芯片企業長鑫存儲（CXMT）稱，其在一種新存儲結構上取得關鍵進展。三星電子與 SK 海力士也在推進同類結構，以提高存儲密度。公司總裁曹侃宇在上海一場產業活動上表示，長鑫存儲計劃在 2026 年底前推出基於該結構的新伺服器內存產品，相關說法來自公司聲明。

該結構為 4F² 設計，即每個存儲單元占用面積為 4F²，其中 F 為半導體最小線寬。公司稱，這一專有晶體管設計可通過在單顆芯片上容納更多存儲單元來提高存儲密度，並改善效率。目前主流商用 DRAM 採用 6F² 單元結構。