三星與 SK 海力士應對 HBM4E 散熱，AI 中介層或擴至 40 倍

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 報導，隨著 AI 封裝容納更多計算與存儲晶片，連接計算晶片與 HBM 的中介層預計大幅變大，下一代 HBM 散熱更重要。三星電子正準備多項技術，應對計劃於明年開始量產的 HBM4E 散熱挑戰。

當前 AI 中介層面積已約為 EUV 光刻機單次曝光最大面積 858 平方毫米的 5.5 倍。半導體設備業人士預計，承載 HBM 的中介層可能擴大到該面積的 9 倍、12 倍，最終約 40 倍。原因包括製程微縮受限和 chiplet 式 2.5D 封裝普及，單一先進製程晶片難以滿足 AI 計算力需求，多個計算 chiplet 與 HBM 堆疊被放在同一中介層上。

三星考慮混合銅鍵合與熱路徑塊。前者以銅對銅直接連接取代堆疊 DRAM 晶粒間的微凸點，可縮小層間間隙、使堆疊更薄並改善散熱，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。熱路徑塊在 HBM 基底晶粒負責與 GPU 高速傳輸的 D2D PHY 區域建立專用熱路徑，三星正用 HBM4E 驗證，並計劃在 HBM5 導入。據 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在熱量集中的 D2D PHY 周圍放置高導熱但電絕緣的冷卻材料，預計可將熱阻降低約 30%。