hbm

ChainCatcher 消息，据財聯社援引媒體當地時間 9 月 29 日報導，三星電子執行副總裁 Kim Taewoo：預計明年 HBM 將占 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，目前該比例約為 20%。他稱，HBM 與傳統 DRAM 競爭同一批晶圓產能，擴大 HBM 產出可能擠壓傳統 DRAM 供應。TrendForce 此前預測，2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入約占 DRAM 晶圓總投入的 30%，但按存儲容量計僅能貢獻約 13% 的 DRAM 總供應量。另據媒體 9 月 20 日報導，三星已於今年 2 月開始量產出貨 HBM4，5 月向包括英偉達在內的客戶提供 12 層 HBM4E 樣品；業內預計三星 HBM 月均晶圓投入量將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片。TrendForce 同日表示，AI 伺服器需求持續，HBM 與通用 DRAM 仍將分享有限的先進製程產能，2027 年存儲供應將維持偏緊，並上調 2027 年 HBM 價格預期，預計混合平均售價同比上漲 121%。受供應有限和系統成本上升影響，8 層 HBM 預計將成為 2027 年多家廠商優先評估的方案，其每 Gb 售價將比 12 層產品高約 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，英偉達首席執行官黃仁勳將於當地時間 9 月 28 日在紐約再度會晤三星電子會長李在鎔、SK 集團會長崔泰源，距三人 7 月在舊金山會面約兩個月。據 27 日商界消息人士，李在鎔與崔泰源計劃出席當日晚 6 點在紐約舉辦的韓國協會年度晚宴，黃仁勳將作為本年度范弗利特獎得主出席，三星電子正在推進與英偉達的相關合作。業界關注的議題包括高帶寬記憶體。消息稱，三星電子設備解決方案事業部副會長全永鉉曾在黃仁勳 6 月訪韓期間與其會面，雙方探討 HBM4E、HBM5 等下一代高帶寬記憶體的長期合作。紐約會晤還可能涉及晶圓代工服務與先進封裝，6 月會談中也討論了下一代晶圓代工合作。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日報導，三星電子正加快平澤第五園區（P5）首條量產線（Ph1）建設，並與主要設備廠商討論將 Ph1 設備搬入目標從原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投產為目標的下一代半導體生產基地，今年三季度已開始建設 Ph1 潔淨室。三星電子此前已將原定明年初完成的 P5 Ph1 潔淨室建設提前約 6 個月，設備導入因此預計在明年三季度左右。業內人士稱，設備搬入開始時間擬從明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前後；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付設備、由其他地點暫存，顯示其提前投資意願較強。P5 第二階段（Ph2）投資討論也在推進。目前 Ph1 更可能建設為 DRAM 與 HBM 產線，Ph2 則更可能建設為包括第十代（V10）在內的先進 NAND 產線。設備業人士稱，正式採購訂單尚未下達，但三星已與合作方討論將 Ph2 建成 NAND 產線，並因設備交付周期較長，要求提前備妥相關零部件。報導稱，全球大型科技公司增加 AI 基礎設施用高性能 DRAM 與 NAND 訂單，而三星等儲存企業產能有限。三星在 7 月二季度業績電話會上曾表示，今年未能滿足的需求將延至明年，明年供應短缺將比今年更嚴重，並預計短缺將持續至 2028 年。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 報導，三星電子調整下一代 DRAM 策略，將此前以項目形式開發的 B1b 納入正式路線圖，並命名為首款 10 奈米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶體管 DRAM，現該產品被單獨歸類為 D0a-V。此次更名是為加快在通用 DRAM 中導入先進封裝。B1b 將儲存單元與周邊驅動電路分別在不同晶圓上製造後再鍵合，採用晶圓對晶圓混合鍵合，通過銅互連直接連接。目前已商用 DRAM 為 1c，即第 6 代 10 奈米級、線寬約 11 至 12 奈米；下一代 1d 為第 7 代 10 奈米級、線寬約 10 至 11 奈米，被視為事實上最後的 10 奈米級產品，相關線寬屬於行銷用語而非實際物理尺寸。垂直晶體管可將單元內晶體管垂直佈置，把單元面積從 6F² 縮至 4F²，但需應對高深寬比刻蝕和漏電流，開發難度較高。晶圓對晶圓混合鍵合已在 CMOS 圖像感測器和高堆疊 NAND 中量產應用。三星電子正評估將 B1b 用於第 8 代高帶寬記憶體 HBM5。HBM5 預計約 2029 年量產，目標是較 HBM4E 將運行速度提高 50% 以上。業界估計，基於 B1b 的 D0a DRAM 最快約兩年後商用，具體量產投資日程或於明年年中確定。

ChainCatcher 消息，BidClub 播客第 166 期中，芯片設計師 Bubble boi 表示，高帶寬閃存從技術上來看具有吸引力，但缺乏決定性的數據中心用例。他給出的資訊是，所聽說的主要客戶是難以獲得或生產高端 HBM 的中國客戶。Bubble boi 稱，HBF 與高端 AI 閃存延遲均約 5 微秒，帶寬低於 HBM，單位比特成本更低但總成本可能相當。他認為最清晰的客戶是無法獲得 HBM 的主體，這與他從兩到三人處聽到的中國需求相符，因其無法充分製造加速器，或願接受非領先規格產品。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日報導，三星電子因 HBM 市場增長正推進晶圓代工先進製程產能擴張，為應對 HBM4 基座晶片需求上升正在評估 4 奈米製程擴產。三星 HBM4 由 10 奈米級 6 代（1c）DRAM 核心晶片與 4 奈米邏輯基座晶片組成，基座晶片負責與 GPU 等 AI 加速器高速交換數據。與 SK 海力士採用台積電 12 奈米不同，三星對 HBM4 基座晶片使用自有 4 奈米製程。該產線已滿負荷運轉並承接英偉達 Groq 3 LPU 等訂單，公司近期上調了 4 奈米新訂單及 HBM4 基座晶片報價。三星預計第三季度 HBM4 營收環比增逾 3 倍，下半年 HBM 營收中 HBM4 占比將明顯高於 60%。平澤 P4 追加擴產大部分將用於 HBM 用 1c DRAM，晶圓代工 4 奈米產能一半以上已分配給 HBM4 基座晶片。HBM4E 同樣採用 4 奈米基座晶片，三星已於 5 月向客戶提供樣品。公司還在評估為 HBM5 建設 2 奈米新產線，目標以 GAA 結構 2 奈米製程並提高 TSV 密度，使運行速度較 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年啟動 2 奈米第一代量產，今年下半年推進第二代產品。花旗預計明年全球 HBM 比特需求達 752 億 Gb、同比增 62%，供應約 594 億 Gb、缺口約 21%；

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星電子計劃明年將第六代高帶寬存儲器 HBM4 與第七代 HBM4E 等 HBM4 系列產量較今年至少擴大一倍以上。該公司擬將 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃載體外協清洗量，由今年每月 2 萬片增至明年每月 5 萬片，較今年增加 2.5 倍。去年該載體月需求約 1 萬片，今年已較去年翻倍。三星電子重點擴產的 HBM4 與 HBM4E 以 12 層及以上高堆疊產品為主。該公司今年 2 月開始量產出貨採用第六代 10 奈米級（1c）DRAM 與 4 奈米工藝基底芯片的 HBM4，5 月向英偉達等客戶提供 HBM4E 12 層樣品。業界預計，以月均晶圓投入計，三星電子 HBM 產能將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片，增幅近 40%；HBM4 系列出貨占比或由今年約 40% 升至明年約 80%。

ChainCatcher 消息，美光科技將於 9 月 30 日公布財年第四季度業績。英偉達 CFO Colette Kress 在 8 月 26 日財年第二季度電話會議上表示，公司看到「內存極端定價條件」，價格漲幅已超出先前預期，並「將在明年進一步走高」。定價壓力已體現在英偉達利潤率上，Kress 指引毛利率在第四季度觸底至 71%-72% 區間，隨後在財年 2028 年回升至 72%-73%。Kress 表示當前內存短缺在很大程度上由 AI 建設本身驅動。SK 海力士預計內存市場最早到 2030 年才能達到供需平衡，並已投入約 383 億美元通過 2031 年擴建韓國國內兩個基地。SK 海力士持有約 50% 高帶寬內存市場份額，領先於三星的 33% 和美光的 18%。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，韓國 SK 海力士正與英特爾洽談一項交易，擬首次在美國本土生產存儲芯片。其中一種可能方案是 SK 海力士租用英特爾在俄亥俄州籌劃已久的芯片製造設施的一部分；另一種方案是與英特爾及急於鎖定存儲芯片供應的主要雲服務公司成立合資企業。交易將緩解英特爾的壓力，並成為特朗普政府的一大勝利。但消息人士稱，韓國方面的潛在反對可能是一大障礙，因為這些技術被視為敏感。一名消息人士稱談判尚屬探索性，強調尚未作出決定。若達成協議，SK 海力士可能在俄亥俄州生產何種芯片也尚不清楚。其產品線包括用於伺服器、PC 和智能手機的 DRAM，以及提供長期存儲的 NAND 閃存，同時也是 AI 處理器所用高帶寬存儲（HBM）的領先供應商。

ChainCatcher 消息，花旗分析師指出，領先存儲晶片製造商有望受益於人工智慧發展中的結構性轉變。該機構預計，持續學習將推動存儲需求顯著增長，導致市場供不應求延續至 2031 年。持續學習透過在新任務與知識上訓練來強化模型，將帶來對模型更新及既往數據訪問的持續需求，並帶動 HBM、伺服器 DDR5 與 eSSD 等產品的存儲用量。花旗預計，HBM 比特需求將於 2027 年同比增長 62% 至 752 億吉比特，2028 年同比增長 69% 至 1270 億吉比特。全球 DRAM 需求在 2027 年和 2028 年將分別同比增長 30% 和 35%，同期供應僅分別增長 19% 和 22%，供需比分別為 -8.7% 和 -9.7%。NAND 方面，2027 年和 2028 年需求將分別同比增長 29% 和 33%，超過供應增長 21% 和 25%，供需比分別為 -6.1% 和 -5.5%。花旗首選存儲標的包括三星電子、SK 海力士、美光、Sandisk 和 Kioxia，分別對應持續學習帶來的存儲短缺、HBM 與伺服器 DDR5 需求、DRAM 供不應求以及高密度 eSSD 與 NAND 供應趨緊等邏輯。

ChainCatcher 消息，据工商時報報導，隨 HBM、2 奈米以下先進邏輯同步擴產，法人預估全球矽晶圓供需缺口將由 2026 年底約 8%，擴大至 2027 年的 15%、2028 年的 24%，環球晶、合晶及台勝科營運可望受惠。法人指出，2027 年中將是關鍵轉折點，若供給擴充速度未能跟上，2027 年下半年至 2028 年上半年可能出現新一輪缺貨與搶貨潮。SEMI 統計，2026 年第二季全球矽晶圓出貨面積達 35.73 億平方英寸，季增 9.1%、年增 7.4%。法人估算，2026 年全球 12 吋矽晶圓月產能約 1069 萬片、年增 7%，2027 年僅增約 3% 至 1100 萬片，2028 年約增 6% 至 1170 萬～1176 萬片，新增供給包括環球晶第二階段初期約 30 萬片以及合晶約 10 萬片。法人預估，2027、2028 年 HBM 矽晶圓消耗量分別年增 23%、28%；一般 DRAM 新產能自 2027 年起陸續開出，至 2028 年新增月產能約 35 萬～45 萬片。先進邏輯方面，2027、2028 年邏輯製程矽晶圓消耗量分別年增 12%、11%。目前客戶矽晶圓庫存仍約 100～120 天，距 50～70 天正常水準尚需時間消化。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 15 日報導，三星電子與 SK 海力士三季度營業利潤共識在三個月內再次上調。綜合主要券商與海外投行報告，三星電子三季度營業利潤預估約 114 萬兆韓元，較三個月前的 101.9052 萬兆韓元上調 12.2836 萬兆韓元（12%），較二季度 89.4 萬兆韓元增長 28%。SK 海力士三季度預估為 78.8035 萬兆韓元，較三個月前的 75.7249 萬兆韓元上調 4%，較二季度 60.5426 萬兆韓元增長 30%。TrendForce 預計三季度通用 DRAM 固定交易價格環比上漲 13% 至 18%，NAND 閃存上漲 10% 至 15%。證券界關注三星電子 HBM4 營收占比由一季度 5% 擴大至二季度約 35%，且良率改善。SK 海力士維持 HBM 市場份額第一，但三星 HBM4 量產改善或稀釋其供應溢價。花旗證券因韓元走強將 SK 海力士三季度營業利潤預估由 76.7 萬兆韓元下調至 74 萬兆韓元。美光將於 30 日公布 2026 財年第四季度（6 月至 8 月）業績，營收指引為 490 億至 510 億美元。

ChainCatcher 消息，KB 證券 9 月 11 日發布報告指出，三星電子 HBM 市場份額有望從第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益於 HBM4 第三季度銷量環比增長超過三倍，且下半年 HBM4 預計占其 HBM 總銷售額的 60% 以上。三星電子已確立 HBM4 全面量產、向核心客戶供應 HBM4E 樣品、採用 1c 核心裸片與 2 奈米基礎裸片的 HBM5 架構以及下一代 ZHBM 的路線圖。其代工業務方面，4 奈米良率穩定在 80% 以上，2 奈米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 證券分析師 Kim Dong-Won 表示，代工業務自第三季度起有望扭虧為盈，2 奈米良率年內或助其斬獲美國大客戶訂單。

ChainCatcher 消息，据路透社 9 月 10 日獨家報導，中國 AI 晶片製造商因高帶寬記憶體短缺而大幅提價。華為將昇騰 950DT 加速卡指示價格上調至超過 25 萬元人民幣，較兩個月前報價上漲 20% 至 50%。寒武紀將其計畫中的 690 晶片指示價格上調 20% 至 30%，沐曦和天數智芯也有類似漲價。報導稱，原因包括美國出口管制及灰色市場高帶寬記憶體供應推高成本。華為較早代產品如昇騰 950PR 和 910C 價格亦上漲約 30%。上述漲價增加了中國 AI 算力建設成本。華為、寒武紀等公司未予置評。

ChainCatcher 消息，据業界消息，英偉達正考慮將下一代 Rubin Ultra 人工智慧加速器的高帶寬記憶體方案從 12 層堆疊調整為 8 層。在儲存成本上漲背景下，英偉達更加重視單位帶寬成本及整機系統經濟性。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中國最大 DRAM 廠商長鑫存儲（CXMT）已啟動第四代高帶寬存儲器 HBM3 試驗生產，初期良率停滯在 25%，約為量產黃金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量產同類產品，良率超過 90%。長鑫存儲 HBM3 8 層堆疊產品前道工序良率約 30%，後道工序後約 70% 成為最終良品。公司將少量樣品供應給阿里巴巴平頭哥、寒武紀等中國企業並持續改善良率。其 G4（17 奈米級）工藝普通 DRAM 無大問題，但 HBM 用 DRAM 晶片面積更大、電氣規格更嚴格。業界將原因指向矽通孔 TSV 技術成熟度不足。Nomad Semi 分析顯示，三星 HBM2 每晶片 TSV 超 5000 個，SK 海力士 HBM3 超 8000 個，長鑫存儲約 3000 個。與三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，韓國券商 KB Securities 警告，三星電子和 SK 海力士的儲存半導體庫存已降至不足 10 天供應量，明年可用供應將明顯不足。該機構週一報告指出，人工智慧基礎設施投資以前所未有的速度擴張，儲存晶片市場面臨嚴重供應短缺。關鍵因素是向 HBM4 過渡，HBM4 所需晶圓約為傳統 DRAM 的三倍，晶圓產能有限將減少傳統 DRAM 可用產能。KB Securities 預計明年 DRAM 和 NAND 需求將超過供應 10 個百分點以上。研究主管 Kim Dong-won 表示，人工智慧伺服器將消耗 HBM、伺服器 DDR5 和企業級固態硬碟，可能導致歷史性短缺。全球超大規模數據中心運營商將明年人工智慧基礎設施投資預期上調至 1.3 萬億美元，較上年增長 60%。該機構預計明年儲存半導體將占人工智慧基礎設施總投資的 57%，高於去年的 14%，TrendForce 預計這一比例可能高達 68%。三星電子股價較高點跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%。

ChainCatcher 消息，据 TrendForce 集邦諮詢最新儲存器產業研究，2026 年第二季由於 Conventional DRAM（一般型 DRAM）合約價顯著上漲，推升整體 DRAM 產業營收季增 59.5%，近 1,547.3 億美元。隨著 LLM 模型訓練、AI 推理刺激 AI Server 需求，HBM3e、LPDDR5X 和高容量 RDIMM 出貨同步成長，Agentic AI 應用則帶動各容量規格的 RDIMM 拉貨。供給方面，原廠庫存處於谷底、且新增供給優先滿足 Server 應用，第二季整體 DRAM 位元出貨量小幅成長。

ChainCatcher 消息，三星電子晶圓代工事業部在 4 奈米工藝中，分配給第六代高帶寬儲存器 HBM4 用基底芯片量產的比重最近突破 50%。業界稱，該事業部今年下半年將超過一半的 4 奈米晶圓投入 HBM4 基底芯片製造，以配合向英偉達、博通、AMD 等擴大供應。三星於今年 2 月率先啟動 HBM4 量產出貨，並計劃自第三季度起擴大供應量，自年中起顯著增加相關晶圓投入。該芯片基於三星晶圓代工 4 奈米（SF4）工藝。截至上月，其全部 4 奈米產能中超過 50% 已分配給 HBM4 基底芯片。知情人士稱，三星 4 奈米目前處於滿產，其中 HBM4 基底芯片占比約 50% 至 60%，下半年將維持高占比。三星在平澤 2 廠與 3 廠的晶圓代工產線量產 4 至 7 奈米級工藝，其中 4 奈米產能約每月 3 萬片，據此估算 HBM4 基底芯片相關晶圓投入約每月 1.5 萬片。三星在第二季度業績電話會上表示，預計第三季度 HBM4 營收環比擴大 3 倍以上，下半年 HBM4 營收將超過公司整體 HBM 營收的 60%。