三星電子

ChainCatcher 消息，据財聯社援引媒體當地時間 9 月 29 日報導，三星電子執行副總裁 Kim Taewoo：預計明年 HBM 將占 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，目前該比例約為 20%。他稱，HBM 與傳統 DRAM 競爭同一批晶圓產能，擴大 HBM 產出可能擠壓傳統 DRAM 供應。TrendForce 此前預測，2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入約占 DRAM 晶圓總投入的 30%，但按存儲容量計僅能貢獻約 13% 的 DRAM 總供應量。另據媒體 9 月 20 日報導，三星已於今年 2 月開始量產出貨 HBM4，5 月向包括英偉達在內的客戶提供 12 層 HBM4E 樣品；業內預計三星 HBM 月均晶圓投入量將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片。TrendForce 同日表示，AI 伺服器需求持續，HBM 與通用 DRAM 仍將分享有限的先進製程產能，2027 年存儲供應將維持偏緊，並上調 2027 年 HBM 價格預期，預計混合平均售價同比上漲 121%。受供應有限和系統成本上升影響，8 層 HBM 預計將成為 2027 年多家廠商優先評估的方案，其每 Gb 售價將比 12 層產品高約 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，韓國《中央日報》報導，其取得的三星電子部長出身、前長鑫存儲（CXMT）設備投資負責人全某的陳述書顯示，CXMT 前 CEO 王寧國曾於 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韓國團隊，要求帶回三星電子工藝配方計畫（PRP）及設備資訊，並稱若不帶回將向韓國政府舉報，還警告對方有核實人脈、不要說謊。全某稱當時感到害怕。報導稱，CXMT 管理層當時以"黃山"作為三星電子的代號。全某在三星電子工作 28 年後加入 CXMT，因涉嫌未經授權洩露並使用三星投入 1.6 萬億韓元、當時全球率先開發的 18 奈米 DRAM 工藝被起訴，今年 4 月一審被判 7 年有期徒刑，目前處於二審。PRP 包含 DRAM 製造約 600 個步驟的順序、設備、條件值及設備公司與型號。三星工藝設計工程師出身的朴某於 2016 年 9 月將相關內容手抄在 12 頁筆記中帶出，目前處於國際刑警組織紅色通報狀態。全某在庭審中陳述，與中國方面溝通時出現過做不出 18 奈米就不向 CXMT 提供投資的說法，並稱後來得知對方從一開始就想要該技術，CXMT 起初並無自行開發打算。上述施壓發生在為申請投資準備會議之前。CXMT 於 2016 年由合肥市政府下屬合肥產業投資出資 144 億人民幣設立，約 10 年未盈利，去年首次年度盈利，淨利潤 71 億人民幣。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日報導，三星電子正加快平澤第五園區（P5）首條量產線（Ph1）建設，並與主要設備廠商討論將 Ph1 設備搬入目標從原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投產為目標的下一代半導體生產基地，今年三季度已開始建設 Ph1 潔淨室。三星電子此前已將原定明年初完成的 P5 Ph1 潔淨室建設提前約 6 個月，設備導入因此預計在明年三季度左右。業內人士稱，設備搬入開始時間擬從明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前後；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付設備、由其他地點暫存，顯示其提前投資意願較強。P5 第二階段（Ph2）投資討論也在推進。目前 Ph1 更可能建設為 DRAM 與 HBM 產線，Ph2 則更可能建設為包括第十代（V10）在內的先進 NAND 產線。設備業人士稱，正式採購訂單尚未下達，但三星已與合作方討論將 Ph2 建成 NAND 產線，並因設備交付周期較長，要求提前備妥相關零部件。報導稱，全球大型科技公司增加 AI 基礎設施用高性能 DRAM 與 NAND 訂單，而三星等儲存企業產能有限。三星在 7 月二季度業績電話會上曾表示，今年未能滿足的需求將延至明年，明年供應短缺將比今年更嚴重，並預計短缺將持續至 2028 年。

ChainCatcher 消息，半導體分析機構 Kernel Insight：人工智慧需求推動 DRAM 價格維持歷史高位，最新工藝 DRAM 的單位面積銷售價值已高於台積電 N2、N3 晶圓價格。該機構將台積電 300 毫米 N3 晶圓價格估為 2 萬美元、N2 為 3 萬美元，折合名義價格分別約為每平方毫米 0.283 美元和 0.424 美元，未計入邊際損耗、切割損耗及良率與缺陷。按每 Gb 1.50 美元及世代比特密度計算，1y DRAM 為每平方毫米 0.329 美元，1z 為 0.410 美元，1b 為 0.654 美元，較 N2 高出 50% 以上。10 奈米級工藝按 1y、1z、1a、1b 的順序逐步微縮。上述每 Gb 價格假設接近現貨，DRAMeXchange 數據顯示，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 晶片平均成交價為 24.80 美元，約合每 Gb 1.55 美元。比較口徑存在差異。台積電數字是客戶支付的晶圓代工價格，DRAM 數字是成品銷售的總銷售潛力，且未計入先進封裝成本；台積電實際供貨價會隨訂單量與合約變化。DRAM 指標基於小額現貨價格，不同於三星電子、SK 海力士、美光營收主體的長期合約價格。非公開固定交易價格近期走強，若尚未完全反映到現貨價格，儲存廠商晶圓單位價格的領先幅度可能更大。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 報導，三星電子調整下一代 DRAM 策略，將此前以項目形式開發的 B1b 納入正式路線圖，並命名為首款 10 奈米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶體管 DRAM，現該產品被單獨歸類為 D0a-V。此次更名是為加快在通用 DRAM 中導入先進封裝。B1b 將儲存單元與周邊驅動電路分別在不同晶圓上製造後再鍵合，採用晶圓對晶圓混合鍵合，通過銅互連直接連接。目前已商用 DRAM 為 1c，即第 6 代 10 奈米級、線寬約 11 至 12 奈米；下一代 1d 為第 7 代 10 奈米級、線寬約 10 至 11 奈米，被視為事實上最後的 10 奈米級產品，相關線寬屬於行銷用語而非實際物理尺寸。垂直晶體管可將單元內晶體管垂直佈置，把單元面積從 6F² 縮至 4F²，但需應對高深寬比刻蝕和漏電流，開發難度較高。晶圓對晶圓混合鍵合已在 CMOS 圖像感測器和高堆疊 NAND 中量產應用。三星電子正評估將 B1b 用於第 8 代高帶寬記憶體 HBM5。HBM5 預計約 2029 年量產，目標是較 HBM4E 將運行速度提高 50% 以上。業界估計，基於 B1b 的 D0a DRAM 最快約兩年後商用，具體量產投資日程或於明年年中確定。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日報導，三星電子因 HBM 市場增長正推進晶圓代工先進製程產能擴張，為應對 HBM4 基座晶片需求上升正在評估 4 奈米製程擴產。三星 HBM4 由 10 奈米級 6 代（1c）DRAM 核心晶片與 4 奈米邏輯基座晶片組成，基座晶片負責與 GPU 等 AI 加速器高速交換數據。與 SK 海力士採用台積電 12 奈米不同，三星對 HBM4 基座晶片使用自有 4 奈米製程。該產線已滿負荷運轉並承接英偉達 Groq 3 LPU 等訂單，公司近期上調了 4 奈米新訂單及 HBM4 基座晶片報價。三星預計第三季度 HBM4 營收環比增逾 3 倍，下半年 HBM 營收中 HBM4 占比將明顯高於 60%。平澤 P4 追加擴產大部分將用於 HBM 用 1c DRAM，晶圓代工 4 奈米產能一半以上已分配給 HBM4 基座晶片。HBM4E 同樣採用 4 奈米基座晶片，三星已於 5 月向客戶提供樣品。公司還在評估為 HBM5 建設 2 奈米新產線，目標以 GAA 結構 2 奈米製程並提高 TSV 密度，使運行速度較 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年啟動 2 奈米第一代量產，今年下半年推進第二代產品。花旗預計明年全球 HBM 比特需求達 752 億 Gb、同比增 62%，供應約 594 億 Gb、缺口約 21%；

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星電子計劃明年將第六代高帶寬存儲器 HBM4 與第七代 HBM4E 等 HBM4 系列產量較今年至少擴大一倍以上。該公司擬將 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃載體外協清洗量，由今年每月 2 萬片增至明年每月 5 萬片，較今年增加 2.5 倍。去年該載體月需求約 1 萬片，今年已較去年翻倍。三星電子重點擴產的 HBM4 與 HBM4E 以 12 層及以上高堆疊產品為主。該公司今年 2 月開始量產出貨採用第六代 10 奈米級（1c）DRAM 與 4 奈米工藝基底芯片的 HBM4，5 月向英偉達等客戶提供 HBM4E 12 層樣品。業界預計，以月均晶圓投入計，三星電子 HBM 產能將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片，增幅近 40%；HBM4 系列出貨占比或由今年約 40% 升至明年約 80%。

ChainCatcher 消息，三星電子上月聘用前財政經濟部外匯制度課長李熙坤為 IR 團隊常務。李熙坤曾擔任外匯制度課長、資金市場政策課長等職，負責外匯制度及海外投資應對，今年 4 月參與韓國納入世界國債指數工作並獲特別表彰，預計負責海外投資者及全球資本市場應對。SK 海力士上月聘用前財政經濟部戰略經濟總括課長鄭汝珍為傳播總括下屬副社長。鄭汝珍曾任氣候環境預算課長、經濟副總理秘書官、外匯制度課長、外匯資金課長等職。兩家公司正推進美國生產投資，三星電子計畫投入 370 億美元在德克薩斯州泰勒建設晶圓代工廠，SK 海力士計畫投入 40 億美元在印第安納州建設先進封裝工廠。

ChainCatcher 消息，三星電子在美國德克薩斯州泰勒的代工廠開始為特斯拉提供 AI5 晶片的原型生產。由於 AI 晶片需求激增，三星提前了原型產量以進行良率驗證，計劃今年年底完成大規模生產驗證，並於明年全面供應。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 15 日報導，三星電子與 SK 海力士三季度營業利潤共識在三個月內再次上調。綜合主要券商與海外投行報告，三星電子三季度營業利潤預估約 114 萬兆韓元，較三個月前的 101.9052 萬兆韓元上調 12.2836 萬兆韓元（12%），較二季度 89.4 萬兆韓元增長 28%。SK 海力士三季度預估為 78.8035 萬兆韓元，較三個月前的 75.7249 萬兆韓元上調 4%，較二季度 60.5426 萬兆韓元增長 30%。TrendForce 預計三季度通用 DRAM 固定交易價格環比上漲 13% 至 18%，NAND 閃存上漲 10% 至 15%。證券界關注三星電子 HBM4 營收占比由一季度 5% 擴大至二季度約 35%，且良率改善。SK 海力士維持 HBM 市場份額第一，但三星 HBM4 量產改善或稀釋其供應溢價。花旗證券因韓元走強將 SK 海力士三季度營業利潤預估由 76.7 萬兆韓元下調至 74 萬兆韓元。美光將於 30 日公布 2026 財年第四季度（6 月至 8 月）業績，營收指引為 490 億至 510 億美元。

ChainCatcher 消息，韓國央行在近日發布的《2026 年 9 月貨幣信貸政策報告》中復盤了今年以來韓國綜合股價指數（KOSPI）的波動原因。報告顯示，隨著 KOSPI 不斷攀升，三星電子和 SK 海力士對指數上漲的貢獻率迅速提高。尤其是在 KOSPI 今年 6 月從 8000 點衝至 9000 點的過程中，兩隻股票對指數漲幅的貢獻率高達 99%。

ChainCatcher 消息，据 The Bell 報導，三星電子代工業務部門與高通就應用處理器代工生產合同因生產單價分歧而延遲，雙方未能縮小價格差距，談判持續拉長。技術層面未出現重大問題，當前討論的 2 奈米工藝已獲相當程度穩定化評價。行業消息稱，採用三星 2 奈米工藝的高通 AP 代工可能推遲至明年，年內能否投產亦不明確。高通曾在 2021 年前將先進 AP 交由三星代工，三星近年持續爭取重新獲得該業務，並已先後拿下特斯拉、博通等客戶。知情人士表示，合同延遲使三星年內為高通生產 AP 變得困難，雙方或轉向下一代產品再議。三星在獲得戰略客戶後，不再像以往那樣接受低價訂單。

ChainCatcher 消息，KB 證券 9 月 11 日發布報告指出，三星電子 HBM 市場份額有望從第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益於 HBM4 第三季度銷量環比增長超過三倍，且下半年 HBM4 預計占其 HBM 總銷售額的 60% 以上。三星電子已確立 HBM4 全面量產、向核心客戶供應 HBM4E 樣品、採用 1c 核心裸片與 2 奈米基礎裸片的 HBM5 架構以及下一代 ZHBM 的路線圖。其代工業務方面，4 奈米良率穩定在 80% 以上，2 奈米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 證券分析師 Kim Dong-Won 表示，代工業務自第三季度起有望扭虧為盈，2 奈米良率年內或助其斬獲美國大客戶訂單。

ChainCatcher 消息，据科創板日報報導，三星電子已著手開發其首款配備顯示屏的 AI 眼鏡。該產品不僅能提供音頻功能，還能在鏡片上顯示彩色視覺信息，與 Meta Ray-Ban Display 智能眼鏡類似。業內人士透露，三星電子正在考慮為 AI 眼鏡研發尺寸僅為 0.2 英寸或更小的超小型屏幕，並於上個月將該研發任務交給三星顯示，提出了關於產品外形尺寸、信息顯示面積、顏色和價格等方面的要求。三星電子目前對 OLEDoS 或 LEDoS 等候選面板方案展開評估，業內預計該產品將在 2027 年下半年或 2028 年上半年發布。目前該眼鏡具體細節並未敲定。色彩顯示方面，三星電子預計將採用 4 位色彩的有限灰階，而非高清屏幕，且尚未決定採用雙目式還是單目式設計。業內人士表示，RGB OLEDoS 在價格和良率方面面臨挑戰，很可能會推出白色 OLEDoS 面板。三星此前發布過沒有顯示屏的 AI 眼鏡，由三星電子、谷歌、Gentle Monster 和 Warby Parker 聯合開發。

ChainCatcher 消息，9 月 8 日，韓股半導體概念股漲跌互現，相關資產市場交投保持活躍。據 Gate 平台數據，SK 海力士（000660）現報 1,332.38 美元，24 小時漲幅為 0.56%；三星電子（005930）現報 200.26 美元，24 小時跌幅為 0.18%。據 CoinGlass 數據顯示，SKHYNIX 與 SAMSUNG 合約市場均有較高交易活躍度。其中，Gate 相關股票衍生品交易活躍：SKHX 合約持倉額近 1.58 億美元，居全網第二，24 小時成交額近 1.77 億美元；SAMSUNG 合約持倉額達 951 萬美元，24 小時成交額達 1,580 萬美元，兩項排名均位居全網第二。

ChainCatcher 消息，法國人工智慧公司 Mistral AI 宣布完成 30 億歐元 D 輪融資，投後估值超過 210 億歐元。公司稱，這是歐洲科技公司迄今規模最大的股權融資。三星電子領投，EQT 管理的 Scaleup Europe Fund 和現有投資者 PSG Equity 共同領投。新投資者包括 Advent、貝萊德管理的基金及帳戶，以及盧森堡大公國。a16z、ASML、Belfius、BNP Paribas CIB、Bpifrance、Carmignac、DST Global、Eurazeo、General Catalyst、Headline、Hillspire、Index Ventures、Korelya Capital、Lightspeed、英偉達、Phoenix Court 旗下 Solar Fund（包括 LocalGlobe、Latitude 和 Solar）以及 Salesforce Ventures 等現有投資者繼續參投。資金將用於前沿模型研究、算力與基礎設施擴張，以及商業化和國際市場拓展。Mistral AI 目前業務覆蓋 20 個國家，服務超過 125 家企業，包括 Airbus、ASML 和 HSBC。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 7 日報導，SK 海力士正在加快提高 10 奈米級第六代（1c）DRAM 生產占比。業內數據顯示，其 1c DRAM 占比由今年一季度約 10%升至二季度約 13%，三季度有望達約 24%，四季度約 34%；明年一季度或升至約 35%，首次超過 1b（約 33%）並成為主力工藝。1b（10 奈米級第五代）DRAM 占比在今年二季度約 43%見頂後轉為下降。二季度末，三星電子 1c 占比約 16%、美光約 19%，均高於 SK 海力士的約 13%。報導稱，SK 海力士下半年加快轉換，四季度或按約 34%超過三星電子約 31%。SK 海力士在二季度業績電話會上表示，採用 1c 工藝的 DRAM 供應自二季度起實質性展開，下半年將隨 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出貨增加，比特增長率高於上半年。三星電子自 HBM4 起採用 1c DRAM，運行速度約 11.7Gbps；SK 海力士此前以已驗證的 1b DRAM 與先進 MR-MUF 封裝優先保障量產穩定性，自下一代 HBM4E 起首次將 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等預計，今年英偉達、谷歌、AMD 合計口徑下 HBM4 市場份額約為 SK 海力士 50% 中段、三星電子 20% 後段、美光 10% 後段。

ChainCatcher 消息，据韓媒 Greened.kr 報導，三星電子聯合 Arm 正式啟動端側 AI 晶片的聯合研發。Arm 已於 8 月底批准撥付用於開發下一代端側 AI SoC 晶片的一次性工程費用，並與三星電子正式啟動該項目。該項目採用由 Arm 提供核心技術、三星電子據此進行整合落地的合作模式，旨在共同開發面向終端客戶交付的定制化晶片。

ChainCatcher 消息，韓國央行表示，得益於三星電子和 SK 海力士積極擴建國內生產設施，韓國在儲存晶片產能方面的領先優勢預計將進一步擴大。韓國央行預計到 2028 年投產的新晶片工廠將使韓國每月晶圓產能增加約 60 萬片。

ChainCatcher 消息，据钜亨網報導，三星電子率先調高部分先進與成熟製程報價後，市場預期台積電也將跟進，旗下各製程價格可能全面上調 10% 至 15%。根據 TrendForce 與野村證券報告，台積電今年年中已與客戶完成新一輪價格協商，調漲下半年供需吃緊的部分 3 奈米 N3 製程最高 15%。市場進一步預期，最晚至 2027 年初，台積電 N2、N3 及 N5 等先進製程價格還可能再調升 5% 至 10%。台積電 N2 與 N3 產能幾乎已被蘋果與輝達預訂。連續 3 年未調價的 N12、N16 及 N28 等成熟製程，價格也可能同步調升，最高漲幅約 10%。里昂證券預估，台積電 2027 年資本支出將達 800 億美元，2028 年進一步增加至 900 億美元，今年資本支出已上調至 520 億至 560 億美元。台積電 7 月宣布擴大美國投資至 2650 億美元。據路透報導，三星 7 月已調高部分先進製程新訂單價格，其中 4 奈米 SF4 針對中國與美國客戶漲幅達 10% 至 15%。