海力士

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，美股週一收盤，道指收跌 0.67%，標普 500 指數跌 0.77%，納指跌 0.92%。SK 海力士跌 5%，Meta 跌 4.8%，特斯拉跌近 4%，英偉達漲 1.6%。納斯達克中國金龍指數收漲 1.1%，網易漲近 5%。

ChainCatcher 消息，据韓國《中小企業新聞》9 月 28 日報導，相關業界人士稱，SK 海力士已在日本東北地區啟動半導體工廠設立所需的基礎工程。一名相關人士表示，目前尚不清楚該項目是獨立工廠還是與鋼鐵的合資工廠，但當地正在推進地基工程，SK 海力士也已要求韓國國內零部件企業擴大供應。報導稱，截至一個月前，SK 海力士對在日本建設存儲半導體工廠的表態仍是"正在研究"，並稱"沒有具體決定事項"。針對此次消息，SK 海力士方面表示，日本存儲半導體工廠目前仍處於研究階段，沒有進一步推進的事項。報導還提到，SK 集團會長崔泰源今年 8 月曾表示正在研究在日本建設存儲半導體合資工廠，東北地區隨後被視為有力候選地。日本東北及岩手縣已聚集鋼鐵北上工廠、Japan Semiconductor、安靠科技、电装和東京電子等半導體及材料零部件企業。

ChainCatcher 消息，美光科技將於 9 月 30 日公布財年第四季度業績。英偉達 CFO Colette Kress 在 8 月 26 日財年第二季度電話會議上表示，公司看到「內存極端定價條件」，價格漲幅已超出先前預期，並「將在明年進一步走高」。定價壓力已體現在英偉達利潤率上，Kress 指引毛利率在第四季度觸底至 71%-72% 區間，隨後在財年 2028 年回升至 72%-73%。Kress 表示當前內存短缺在很大程度上由 AI 建設本身驅動。SK 海力士預計內存市場最早到 2030 年才能達到供需平衡，並已投入約 383 億美元通過 2031 年擴建韓國國內兩個基地。SK 海力士持有約 50% 高帶寬內存市場份額，領先於三星的 33% 和美光的 18%。

ChainCatcher 消息，三星電子上月聘用前財政經濟部外匯制度課長李熙坤為 IR 團隊常務。李熙坤曾擔任外匯制度課長、資金市場政策課長等職，負責外匯制度及海外投資應對，今年 4 月參與韓國納入世界國債指數工作並獲特別表彰，預計負責海外投資者及全球資本市場應對。SK 海力士上月聘用前財政經濟部戰略經濟總括課長鄭汝珍為傳播總括下屬副社長。鄭汝珍曾任氣候環境預算課長、經濟副總理秘書官、外匯制度課長、外匯資金課長等職。兩家公司正推進美國生產投資，三星電子計畫投入 370 億美元在德克薩斯州泰勒建設晶圓代工廠，SK 海力士計畫投入 40 億美元在印第安納州建設先進封裝工廠。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，韓國 SK 海力士正與英特爾洽談一項交易，擬首次在美國本土生產存儲芯片。其中一種可能方案是 SK 海力士租用英特爾在俄亥俄州籌劃已久的芯片製造設施的一部分；另一種方案是與英特爾及急於鎖定存儲芯片供應的主要雲服務公司成立合資企業。交易將緩解英特爾的壓力，並成為特朗普政府的一大勝利。但消息人士稱，韓國方面的潛在反對可能是一大障礙，因為這些技術被視為敏感。一名消息人士稱談判尚屬探索性，強調尚未作出決定。若達成協議，SK 海力士可能在俄亥俄州生產何種芯片也尚不清楚。其產品線包括用於伺服器、PC 和智能手機的 DRAM，以及提供長期存儲的 NAND 閃存，同時也是 AI 處理器所用高帶寬存儲（HBM）的領先供應商。

ChainCatcher 消息，SK 海力士與其工會已就績效獎金達成協議。根據協議，獎金的 50% 將以現金支付，其餘 50% 將以公司股票支付。SK 海力士原本計劃以現金支付全部績效獎金。這意味著公司現在需要回購相當於獎金總額至少 50% 的股票。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 15 日報導，三星電子與 SK 海力士三季度營業利潤共識在三個月內再次上調。綜合主要券商與海外投行報告，三星電子三季度營業利潤預估約 114 萬兆韓元，較三個月前的 101.9052 萬兆韓元上調 12.2836 萬兆韓元（12%），較二季度 89.4 萬兆韓元增長 28%。SK 海力士三季度預估為 78.8035 萬兆韓元，較三個月前的 75.7249 萬兆韓元上調 4%，較二季度 60.5426 萬兆韓元增長 30%。TrendForce 預計三季度通用 DRAM 固定交易價格環比上漲 13% 至 18%，NAND 閃存上漲 10% 至 15%。證券界關注三星電子 HBM4 營收占比由一季度 5% 擴大至二季度約 35%，且良率改善。SK 海力士維持 HBM 市場份額第一，但三星 HBM4 量產改善或稀釋其供應溢價。花旗證券因韓元走強將 SK 海力士三季度營業利潤預估由 76.7 萬兆韓元下調至 74 萬兆韓元。美光將於 30 日公布 2026 財年第四季度（6 月至 8 月）業績，營收指引為 490 億至 510 億美元。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情數據顯示，美光科技 (MU.O) 盤前跌幅擴大至 6%，SK 海力士 (SKHY.O) 跌 7.5%。

ChainCatcher 消息，韓國央行在近日發布的《2026 年 9 月貨幣信貸政策報告》中復盤了今年以來韓國綜合股價指數（KOSPI）的波動原因。報告顯示，隨著 KOSPI 不斷攀升，三星電子和 SK 海力士對指數上漲的貢獻率迅速提高。尤其是在 KOSPI 今年 6 月從 8000 點衝至 9000 點的過程中，兩隻股票對指數漲幅的貢獻率高達 99%。

ChainCatcher 消息，据外媒報導，三星電子和 SK 海力士拒絕了韓國電力公社提出的一項預繳電費方案，該方案原本要求兩家公司提前支付電費，為新建科技集群供電的電網建設提供資金。亞洲各地資金緊張的公用事業公司正難以跟上半導體和人工智慧行業日益增長的需求。韓國電力公社的方案據當地媒體估計合計 25 萬兆韓元，相當於五年的電費帳單。韓國電力公社發言人透過簡訊表示："兩家公司最終拒絕了韓國電力公社的提議。"據當地媒體報導，這兩家晶片製造商擔心當前半導體繁榮能否持續未來五年存在不確定性。

ChainCatcher 消息，据日經亞洲報導，中國芯片製造商長鑫存儲（CXMT）在利潤率方面已領先全球競爭對手，超越 SK 海力士和美光。該公司利用商品級 DRAM 供應緊張的局面，在第二季度佔據優勢。長鑫存儲的主要產品包括 DDR5 記憶體，近幾個月價格出現上漲。報導稱，這一情況出現在由韓國、美國和日本供應商主導的存儲芯片行業。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，美股週三收盤，道指收跌 0.77%，標普 500 指數跌 0.48%，納指跌 0.64%。蘋果跌 0.2%，SK 海力士漲 7%，AMD 漲 3%，Meta Platforms 漲 6.5%。納斯達克中國金龍指數收跌 2.08%，阿里巴巴跌 2.8%，愛奇藝跌 5%。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 9 日表示，下一代儲存器 3D DRAM 半導體開發可利用代工工藝。此前一日，該公司在利川園區 Supex 中心舉行的 2026 SK 海力士未來論壇上，副社長金慶勳、孫浩英提出 3D DRAM 主要技術方向，包括 DRAM 外圍電路採用邏輯代工工藝、最大化數據總線帶寬、超短距離傳輸等。3D DRAM 是將原先平面鋪設的儲存單元垂直堆疊以提高集成度的下一代 DRAM。兩人表示，實現該技術除設計與發熱問題外，還需一並解決微細互連、鍵合、工藝整合等封裝領域難題。隨著前道與後道封裝、代工與儲存器技術邊界趨近，超越既有領域的共同優化將更重要。孫浩英稱，3D 技術正在改變晶圓廠與封裝的技術邊界，需與先進封裝技術創新一起，建立超越既有領域的優化與新協作體系。同主題發表的高麗大學教授申昌煥表示，3D DRAM 不僅是晶片垂直堆疊，更是打破儲存器與邏輯邊界的技術；隨著器件微細化接近極限、系統與儲存器間數據移動帶來的時間與功耗增加，轉向 3D 技術不可避免，並提議以人工智慧聯動材料、器件、封裝、架構四領域的 3D 集成設計框架。SK 海力士社長郭魯正在致辭中稱，過去儲存器市場像比誰跑得更快的直線道路，現在則像時刻變化的彎道，除內部能力外，把握外部環境變化速度與方向並靈活適應也很重要。

ChainCatcher 消息，据彭博社報導，鎧俠控股最高負責人否認與競爭對手及股東 SK 海力士建立更緊密合作關係的可能性，並表示將控制存儲晶片價格快速上漲，以避免影響人工智慧領域的長期需求。當前，存儲晶片廠商正為滿足人工智慧服務商激增的訂單擴大產能，推動相關晶片價格出現顯著上漲。部分投資者認為，製造合作關係或有助於降低大規模資本支出的風險。

ChainCatcher 消息，韓國券商 KB Securities 警告，三星電子和 SK 海力士的儲存半導體庫存已降至不足 10 天供應量，明年可用供應將明顯不足。該機構週一報告指出，人工智慧基礎設施投資以前所未有的速度擴張，儲存晶片市場面臨嚴重供應短缺。關鍵因素是向 HBM4 過渡，HBM4 所需晶圓約為傳統 DRAM 的三倍，晶圓產能有限將減少傳統 DRAM 可用產能。KB Securities 預計明年 DRAM 和 NAND 需求將超過供應 10 個百分點以上。研究主管 Kim Dong-won 表示，人工智慧伺服器將消耗 HBM、伺服器 DDR5 和企業級固態硬碟，可能導致歷史性短缺。全球超大規模數據中心運營商將明年人工智慧基礎設施投資預期上調至 1.3 萬億美元，較上年增長 60%。該機構預計明年儲存半導體將占人工智慧基礎設施總投資的 57%，高於去年的 14%，TrendForce 預計這一比例可能高達 68%。三星電子股價較高點跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 7 日報導，SK 海力士正在加快提高 10 奈米級第六代（1c）DRAM 生產占比。業內數據顯示，其 1c DRAM 占比由今年一季度約 10%升至二季度約 13%，三季度有望達約 24%，四季度約 34%；明年一季度或升至約 35%，首次超過 1b（約 33%）並成為主力工藝。1b（10 奈米級第五代）DRAM 占比在今年二季度約 43%見頂後轉為下降。二季度末，三星電子 1c 占比約 16%、美光約 19%，均高於 SK 海力士的約 13%。報導稱，SK 海力士下半年加快轉換，四季度或按約 34%超過三星電子約 31%。SK 海力士在二季度業績電話會上表示，採用 1c 工藝的 DRAM 供應自二季度起實質性展開，下半年將隨 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出貨增加，比特增長率高於上半年。三星電子自 HBM4 起採用 1c DRAM，運行速度約 11.7Gbps；SK 海力士此前以已驗證的 1b DRAM 與先進 MR-MUF 封裝優先保障量產穩定性，自下一代 HBM4E 起首次將 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等預計，今年英偉達、谷歌、AMD 合計口徑下 HBM4 市場份額約為 SK 海力士 50% 中段、三星電子 20% 後段、美光 10% 後段。

ChainCatcher 消息，韓國國有電力公司韓國電力正與三星電子和 SK 海力士洽談一項數十億美元規模的電費預付款計劃，以籌集資金建設新半導體產業集群所需的電網。根據目前方案，三星電子將預付 20 萬億韓元，SK 海力士預付 5 萬億韓元，合計 25 萬億韓元，約相當於未來 5 年的電費。韓國電力在一份聲明中表示，大規模電費預付款制度，是急需擴建電網的企業與需要投資資金的韓國電力相互滿足需求的一種機制。包括預付款金額和覆蓋期限在內的具體細節尚未最終確定。

ChainCatcher 消息，今日韩股半導體概念股承壓回落，相關資產市場交投仍然活躍。據 Gate 平台數據，SK 海力士（000660）現報 1,175.12 美元，24 小時跌幅為 2.11%；三星電子（005930）現報 183.02 美元，24 小時跌幅為 1.94%。據 CoinGlass 數據顯示，SKHYNIX 與 SAMSUNG 合約市場交投活躍，兩項標的合約持倉量分別增長 4.03% 和 7.30%，合約成交額分別增長 451.63% 和 1069.65%。Gate 相關股票衍生品中，SKHX 合約持倉額達 1.80 億美元，居全網第二，24 小時成交額達 1.80 億美元；SAMSUNG 合約持倉額達 814 萬美元，居全網第二，24 小時成交額達 594 萬美元。

ChainCatcher 消息，据 Citrini 分析師 Jukan 爆料，SK 海力士正著手多元化高帶寬儲存器（HBM）所用基底晶片的代工廠供應商，這些 HBM 是透過垂直堆疊多個儲存晶片構建而成的。据悉，該公司正考慮將第七代 HBM 即 HBM4E 的部分基底晶片生產外包給英特爾代工廠。到目前為止，SK 海力士一直完全依賴台積電進行外包基底晶片生產。此舉被視為建立多供應商代工策略的努力，以減少供應鏈對台積電的集中度，同時增強 SK 海力士在定價方面的議價能力。根據行業消息人士 8 月 31 日的說法，SK 海力士正在推進一項計劃，即 HBM4E 的基底晶片可能由台積電和英特爾共同製造，最早可能從 HBM4E 世代開始。由於市場預期 HBM4E 的基底晶片成本負擔將進一步增加。由於 HBM 產品主要受長期供應協議（LTA）覆蓋，SK 海力士也難以立即透過提高產品價格將更高的代工成本轉嫁給客戶。因此，行業觀察人士認為，如果英特爾最終加入 SK 海力士的基底晶片供應鏈，該公司將在成本競爭力和供應穩定性方面獲得更多選擇。