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Drift 보상 방안에 불만이 제기되었으며, 백 달러 손실은 약 1 달러로 환산됩니다

영구 계약 프로토콜 Drift (현재 Velocity) 재단이 4월 1일 보안 사건에 대한 청구 및 환매를 개방했습니다. 영향을 받은 사용자는 확인된 손실에 따라 1달러당 1개의 새로 발행된 보상 토큰 DFX를 받을 수 있습니다. DFX는 솔라나 표준 SPL 자산으로, 총량은 약 2억 9950만 개로 고정되어 있으며, 약 2억 9540만 달러의 확인된 손실에 해당하며, 더 이상 발행되지 않습니다.사용자는 공식 포털에서 DFX를 소각하고 환매가로 USDT로 교환할 수 있으며, Raydium 등의 이차 시장에서 거래할 수도 있습니다. 환매가는 추징 풀 잔액을 아직 소각되지 않은 DFX 수로 나누어 결정됩니다. 현재 풀 내에는 약 311만 USDT가 있으며, 환매가는 약 0.0104 달러로, 100달러의 손실당 약 1달러만 환매할 수 있어 약 1%의 손실만 보상된다는 불만이 커지고 있습니다. 이는 예상되는 충분한 보상과 큰 차이를 보입니다.계획에는 Tether의 최대 1억 2750만 달러, 협력자의 최대 2000만 달러 지원 약속과 새로운 거래 플랫폼 Velocity의 수수료 분배 및 도난 자금 회수 등의 후속 출처가 별도로 나열되어 있으며, 대부분 한도 또는 분할 지급 방식으로, 개방 당일에는 풀에 포함되지 않았습니다. DFX 개장 후 환매가는 여전히 약 0.0104 달러이며, 이차 시장 거래가는 약 0.01 달러에서 약 0.03 달러로 상승하여 24시간 상승폭은 약 210%에 달하며, 당시 유동성은 약 20만 달러였습니다. 토큰은 자유롭게 양도 가능하며, 거래가는 환매가와 같을 필요는 없습니다; 구매자는 주로 후속 자금 투입, 프로토콜 수익, 회수된 자금, 조기 환매 및 2028년 1월 1일 신청 창구 종료 후 미수령 부분이 소각되는 영향에 관심을 가지고 있습니다.

Drift 재단: 약 920만 달러의 도난 자금이 동결되었으며, 10.7만 개 이상의 ETH는 여전히 이전되지 않았습니다

Drift 재단은 4월 1일 안전 사건 자금 회수 진행 상황을 발표했으며, 약 2.954억 달러의 사용자 자산이 도난당했습니다. 재단은 Mandiant, zeroShadow 및 SEAL 911을 고용하여 조사 및 자금 추적을 진행하고 있으며, 그 중 Mandiant는 공격자를 북한 위협 조직 UNC6862로 식별했습니다.도난당한 자금은 이후 이더리움으로 브릿지되어 약 130,259개의 ETH가 4개의 지갑에 분산 저장되었습니다. 그 중 3개의 지갑은 현재까지 전송이 이루어지지 않았으며, 총 107,165개의 ETH를 보유하고 있습니다; 다른 지갑은 7월 23일에 약 23,094개의 ETH를 Tornado Cash로 전송했습니다. 재단은 현재 약 920만 달러의 도난당한 자금이 동결되었으며, 관련 자금은 이전에 8월에 Tornado Cash를 통해 전송되었지만, 해제 및 반환은 여전히 법적 절차와 협조가 필요하다고 밝혔습니다.Drift 재단은 동결, 보상 또는 법 집행 경로를 통해 회수된 자산을 모두 DFX 복구 풀로 전송할 것이며, DRIFT 토큰의 더 넓은 생태계에서의 후속 경로를 평가하고 있습니다. 또한, 재단은 Bybit와 협력하여 공개 보상 프로그램을 출시하였으며, 성공적으로 회수된 자금에 대해 10%의 보상을 제공합니다.

Gate는 TOKEN2049 싱가포르 홍보 영상을 발표했으며, Dr. Han이 행사에 참석하여 메인 무대에서 연설할 예정입니다

TOKEN2049 싱가포르가 다가옴에 따라, Gate는 이벤트 예고 영상을 발표했습니다. 영상에서 Gate의 창립자이자 CEO인 Dr. Han은 지속적인 혁신과 변화에 대한 생각을 공유하며, 향후 1~2년이 "새로운 출발점"이 될 것이라고 밝혔습니다. Gate는 제품, 서비스 및 시장 발전을 계속 추진할 것입니다.알려진 바에 따르면, Dr. Han은 이번 싱가포르 TOKEN2049에 참석하여 행사 메인 무대에서 주제 연설을 하고, 4회 F1 세계 챔피언인 Max Verstappen과의 대화도 진행할 예정입니다. 행사 기간 동안 Gate는 TOKEN2049 현장에서 브랜드 부스 및 전용 라운지를 마련하여 현장 참가자들에게 Gate 제품, 사업 배치 및 글로벌 생태계 발전에 대한 심도 있는 이해를 제공할 교류 공간을 마련할 것입니다.또한, Gate는 10월 8일 싱가포르 라플스 호텔에서 Gate Gala 시상 만찬을 개최할 예정이며, 약 300명의 글로벌 산업 창립자, 기관 대표, 투자자, 콘텐츠 제작자 및 생태계 파트너가 참석할 것으로 예상됩니다.현재 Gate의 글로벌 사용자 규모는 6,100만을 넘어섰으며, 플랫폼은 5,300개 이상의 암호화폐 및 12,800개 이상의 주식과 ETF를 지원하고, 사업은 현물, 계약, 주식, 자산 관리, 결제 및 AI 등 여러 분야에 걸쳐 있습니다. 사업 영역이 지속적으로 확장됨에 따라, Gate는 다양한 자산 및 금융 서비스를 아우르는 글로벌 플랫폼을 지속적으로 구축하고 있습니다. 이번 TOKEN2049 싱가포르 방문을 통해 Gate는 플랫폼의 최신 진행 상황과 미래 배치를 집중적으로 선보이며, 더 완전한 사업 구도와 더 넓은 글로벌 연결로 다음 단계를 열어갈 것입니다.

first_img 삼성전자 고위 임원: 내년 HBM이 DRAM 웨이퍼 생산 능력의 거의 30%를 차지할 것으로 예상됨

재무연구소에 따르면, 현지 시간 9월 29일 보도에 따르면, 삼성전자 부사장 김태우는 내년 HBM이 DRAM 제조업체의 웨이퍼 총 생산능력의 거의 30%를 차지할 것으로 예상하며, 현재 이 비율은 약 20%라고 밝혔다. 그는 HBM과 전통적인 DRAM이 동일한 웨이퍼 생산능력을 두고 경쟁하고 있으며, HBM 생산 확대가 전통적인 DRAM 공급을 압박할 수 있다고 언급했다.트렌드포스는 이전에 2027년 말까지 세계 3대 HBM 공급업체의 HBM 웨이퍼 투입량이 DRAM 웨이퍼 총 투입량의 약 30%를 차지할 것으로 예상했지만, 저장 용량 기준으로는 약 13%의 DRAM 총 공급량에 기여할 수 있다고 밝혔다. 또 다른 보도에 따르면, 삼성은 올해 2월부터 HBM4의 양산 출하를 시작했으며, 5월에는 엔비디아를 포함한 고객에게 12층 HBM4E 샘플을 제공했다. 업계에서는 삼성 HBM의 월 평균 웨이퍼 투입량이 올해 약 18만 장에서 내년 약 25만 장으로 증가할 것으로 예상하고 있다.트렌드포스는 같은 날 AI 서버 수요가 지속되고 있으며, HBM과 범용 DRAM이 여전히 제한된 첨단 공정 생산능력을 공유할 것이라고 밝혔다. 2027년 저장 공급은 여전히 긴축 상태를 유지할 것이며, 2027년 HBM 가격 전망을 상향 조정하여 혼합 평균 판매가가 전년 대비 121% 상승할 것으로 예상하고 있다. 공급이 제한되고 시스템 비용 상승의 영향을 받아, 8층 HBM은 2027년 여러 제조업체가 우선 평가할 솔루션이 될 것으로 예상되며, 그 가격은 12층 제품보다 약 10%에서 20% 더 높을 것으로 보인다.

first_img 분석: 1b DRAM 단위 면적 가치가 TSMC 2 나노를 초과함

반도체 분석 기관 Kernel Insight: 인공지능 수요가 DRAM 가격을 역사적 고수준으로 유지하고 있으며, 최신 공정 DRAM의 단위 면적 판매 가치는 TSMC N2, N3 웨이퍼 가격을 초과했습니다. 이 기관은 TSMC 300mm N3 웨이퍼 가격을 2만 달러, N2는 3만 달러로 추정하며, 명목 가격은 각각 약 1제곱밀리미터당 0.283달러와 0.424달러로, 엣지 손실, 절단 손실 및 수율과 결함은 포함되지 않았습니다.Gb당 1.50달러 및 세대 비트 밀도를 기준으로 계산할 때, 1y DRAM은 제곱밀리미터당 0.329달러, 1z는 0.410달러, 1b는 0.654달러로 N2보다 50% 이상 높습니다. 10나노급 공정은 1y, 1z, 1a, 1b 순서로 점진적으로 미세화됩니다. 위의 각 Gb 가격은 현물에 근접할 것으로 가정하며, DRAMeXchange 데이터에 따르면 9월 21일 16Gb DDR5 eTT 칩의 평균 거래가는 24.80달러로, 약 Gb당 1.55달러에 해당합니다.비교 기준에 차이가 있습니다. TSMC의 숫자는 고객이 지불하는 웨이퍼 파운드리 가격이며, DRAM 숫자는 완제품 판매의 총 판매 잠재력으로, 고급 패키징 비용은 포함되지 않았습니다; TSMC의 실제 공급가는 주문량 및 계약에 따라 변동합니다. DRAM 지표는 소액 현물 가격을 기준으로 하며, 삼성전자, SK 하이닉스, 마이크론의 수익 주체의 장기 계약 가격과는 다릅니다. 비공식 고정 거래 가격이 최근 강세를 보이고 있으며, 아직 현물 가격에 완전히 반영되지 않았다면, 메모리 제조업체의 웨이퍼 단위 가격의 선행 폭이 더 클 수 있습니다.

first_img 삼성전자 다음 세대 DRAM 로드맵을 조정하여 B1b를 D0a로 명명하다

ZDNet Korea에 따르면, 삼성전자는 차세대 DRAM 전략을 조정하여 이전에 프로젝트 형태로 개발된 B1b를 공식 로드맵에 포함시키고, 이를 첫 번째 10nm 이하 DRAM D0a로 명명했습니다. 이전에 D0a는 수직 트랜지스터 DRAM을 지칭했으나, 현재 이 제품은 D0a-V로 별도로 분류됩니다. 이번 이름 변경은 범용 DRAM에서 고급 패키지를 도입하는 속도를 높이기 위한 것입니다.B1b는 저장 셀과 주변 구동 회로를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 후 결합하며, 웨이퍼 대 웨이퍼 혼합 결합을 사용하여 구리 상호 연결을 통해 직접 연결합니다. 현재 상용화된 DRAM은 1c로, 6세대 10nm급, 선폭 약 11~12nm입니다; 차세대 1d는 7세대 10nm급, 선폭 약 10~11nm로, 사실상 마지막 10nm급 제품으로 간주됩니다. 관련 선폭은 마케팅 용어일 뿐 실제 물리적 크기는 아닙니다. 수직 트랜지스터는 셀 내 트랜지스터를 수직으로 배치하여 셀 면적을 6F²에서 4F²로 줄일 수 있지만, 높은 깊이 폭 비율 에칭과 누설 전류에 대응해야 하므로 개발 난이도가 높습니다. 웨이퍼 대 웨이퍼 혼합 결합은 CMOS 이미지 센서와 고적층 NAND에서 양산 적용되고 있습니다.삼성전자는 B1b를 8세대 고대역폭 메모리 HBM5에 사용할 가능성을 평가하고 있습니다. HBM5는 약 2029년에 양산될 것으로 예상되며, HBM4E보다 50% 이상의 속도 향상을 목표로 하고 있습니다. 업계에서는 B1b 기반의 D0a DRAM이 가장 빠르면 약 2년 후 상용화될 것으로 추정하고 있으며, 구체적인 양산 투자 일정은 내년 중반에 확정될 예정입니다.

first_img 장강 저장소 2026년 말 LPDDR5 시험 생산, 장신은 NAND 시장에 진출할 계획이다

전 세계 메모리가 지속적으로 심각한 품귀 현상을 겪고 있으며, AI 및 클라우드 애플리케이션이 DRAM과 NAND 플래시의 수요와 가격을 끌어올리고 있습니다. 중국의 두 대형 메모리 제조업체인 장강 저장소와 장신 저장소가 각각 반을 차지하는 구도를 깨뜨릴 것입니다.장강 저장소는 LPDDR5 DRAM에 진입하여 2026년 말에 시험 생산을 시작할 예정이며, 장신 저장소는 DRAM에서 NAND 플래시로 진출할 계획입니다. 업계에서는 두 회사가 가장 빠르면 2028년에 정면으로 맞붙을 것으로 추측하고 있습니다. 장강 저장소는 Xtacking 기술을 통해 294층 3D NAND 개발을 완료하였으며, 삼성은 2025년에 이와 관련된 특허 라이센스 계약을 체결하고 10세대 V-NAND부터 해당 특허를 사용할 예정입니다.장강 저장소의 3기 계획은 2026년 말에 생산을 시작하며, 초기 약 2.5만 장의 DRAM 생산 능력을 갖출 것이고, 2027년에는 생산량을 증가시켜 LPDDR5를 목표로 하며, 후속 증산 및 HBM, 3D DRAM을 계획하고 있습니다. 장신 저장소는 베이징에 NAND 연구개발 생산 라인을 설정할 것이라는 소식이 전해졌으며, 가장 빠르면 2028년에서 2029년 사이에 양산할 것으로 예상됩니다.
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