nand

Согласно отчету ZDNet Korea от 28 сентября, Samsung Electronics ускоряет строительство первой линии массового производства (Ph1) в пятом парке Пхенчжина (P5) и обсуждает с основными производителями оборудования перенос сроков установки оборудования Ph1 с запланированного на третий квартал следующего года на второй квартал следующего года. P5 является следующей базой по производству полупроводников с целью запуска в 2028 году, строительство чистой комнаты Ph1 началось в третьем квартале этого года.Ранее Samsung Electronics перенесла завершение строительства чистой комнаты P5 Ph1, запланированное на начало следующего года, примерно на 6 месяцев, поэтому ввод оборудования ожидается примерно в третьем квартале следующего года. Эксперты отрасли сообщают, что начало переноса оборудования планируется с июля-августа следующего года на май-июнь следующего года; другие источники утверждают, что Samsung даже предложила сначала доставить оборудование в первом квартале следующего года и временно хранить его в других местах, что демонстрирует сильную готовность к предварительным инвестициям.Обсуждение инвестиций во втором этапе P5 (Ph2) также продолжается. В настоящее время Ph1, скорее всего, будет построен как линия производства DRAM и HBM, тогда как Ph2, вероятно, будет включать в себя передовые линии NAND, включая десятую (V10). Представители оборудования сообщают, что официальные заказы на закупку еще не размещены, но Samsung уже обсуждала с партнерами возможность создания линии NAND в Ph2 и, учитывая длительный цикл поставки оборудования, требует заранее подготовить соответствующие компоненты. Сообщается, что крупные мировые технологические компании увеличивают заказы на высокопроизводительные DRAM и NAND для инфраструктуры ИИ, в то время как у таких компаний, как Samsung, ограниченные производственные мощности. В июле на телефонной конференции по результатам второго квартала Samsung заявила, что неудовлетворенный спрос этого года будет перенесен на следующий год, нехватка поставок в следующем году будет более серьезной, чем в этом году, и ожидается, что нехватка продлится до 2028 года.

Глобальный рынок памяти продолжает испытывать серьезный дефицит, а приложения на базе ИИ и облачных технологий поднимают спрос и цены на DRAM и NAND Flash. Два крупнейших производителя памяти в Китае, Yangtze Memory Technologies и Changxin Memory, собираются изменить сложившуюся ситуацию, в которой они занимают половину рынка.Yangtze Memory Technologies начнет пробное производство LPDDR5 DRAM в конце 2026 года, а Changxin Memory планирует перейти от DRAM к NAND Flash. В отрасли предполагают, что обе компании могут столкнуться в 2028 году. Yangtze Memory Technologies завершила разработку 294-слойной 3D NAND с использованием технологии Xtacking, а Samsung заключила соглашение о лицензировании патентов с ней в 2025 году, начиная с 10-го поколения V-NAND.Третий этап проекта Yangtze Memory Technologies планируется к запуску в конце 2026 года с первоначальной мощностью около 25 000 пластин DRAM, с завершением наращивания производства в 2027 году, нацеливаясь на LPDDR5, и планируя дальнейшее расширение производства, а также HBM и 3D DRAM. Changxin сообщила о намерении создать линию для разработки и производства NAND в Пекине, и, по оценкам, массовое производство может начаться в 2028-2029 годах.

Согласно сообщениям Reuters, ссылающимся на осведомленные источники, Longxin Storage (CXMT) готовится выйти на рынок NAND флеш-накопителей, расширяясь за пределы своего основного бизнеса DRAM и конкурируя с Samsung Electronics, SK Hynix, Micron и Yangtze Memory Technologies.Longxin Storage планирует создать линию разработки и производства NAND флеш-памяти на новом заводе в Пекине и открыть исследовательский институт в Пекине, включающий проекты по разработке NAND. Компания уже обсуждала соответствующие планы с клиентами, среди которых есть стартап, который намерен закупать чипы для систем ИИ и суперкомпьютеров. График запуска исследовательской линии или масштабного коммерческого производства пока неясен.Глобальный дефицит памяти обусловлен спросом на серверы ИИ и, как ожидается, продлится как минимум до 2027 года. Производители отдают приоритет расходам на DRAM и HBM, что ограничивает увеличение мощностей NAND. Longxin Storage собрала 57,92 миллиарда юаней на IPO в июле. Yangtze Memory Technologies была внесена в список субъектов в 2022 году.

Экономическая газета сообщает, что за последние полгода производители CCL из-за общего роста цен на сырьевые материалы повысили цены на продукцию на 20%~30%. Большинство заводов PCB не успевают оперативно передавать цены, что приводит к задержке в 2~3 месяца, что, в свою очередь, приводит к снижению маржи. Юридические лица сообщают, что с третьего квартала этого года некоторые производители PCB повысят цены, что позволит улучшить их финансовые результаты.Аналитики отмечают, что в сегменте подложек, такие как электронные стекловолокна на основе T glass и медные фольги, продолжают испытывать нехватку, причем дефицит T glass наиболее серьезен, у некоторых производителей он достиг 20%, и ожидается, что нехватка продлится до следующего года. Ожидается, что во второй половине этого года производители подложек столкнутся с дефицитом из-за высокого спроса на AI GPU и ASIC, а также из-за продолжающегося дефицита ключевых сырьевых материалов, что приведет к ситуации, когда предложение не будет соответствовать спросу. Производители подложек продолжат применять метод поэтапного изменения цен, и у них все еще есть возможность для двузначного повышения цен.Кроме того, из-за высокого спроса, связанного с AI, новые поколения продуктов требуют повышения спецификаций, и ожидается, что производители CCL получат выгоду от роста как цен, так и объемов. Цены на сырьевые материалы продолжают оставаться высокими, а сроки поставки высококачественного CCL продолжают увеличиваться, что сохраняет тенденцию к повышению цен. Ожидается, что тайваньские производители CCL, такие как Taiyo Yuden и Taisil, будут иметь положительные перспективы. В то же время, с увеличением дефицита подложек, это будет способствовать повышению переговорной способности производителей подложек, и тенденция к повышению цен продолжится. Ожидается, что производители подложек из Тайваня, включая Nanya, будут показывать хорошие результаты в будущем.

Согласно электронным новостям от 15 сентября, крупнейший производитель NAND флеш-памяти в Китае, Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC), приступил к подключению производственного оборудования на своем третьем заводе в Ухане (FAB3), и начало производства в конце года постепенно становится очевидным.Недавно Китайская электронная система инженерного строительства второй компании подписала контракт на общую подрядную работу по проекту "Система трубопроводов A Дуань B для вторичных трубопроводов на YMTC FAB3 в Ухане". Этот проект соединит уже построенные газовые, водные и другие коммунальные сети завода с производственным оборудованием. Условия тендера требуют наличия опыта выполнения проектов YMTC или Changxin Storage или аналогичных по масштабу 12-дюймовых полупроводниковых заводов.Ожидается, что третий завод YMTC в Ухане начнет производство в конце этого года, а при полной загрузке его мощность составит около 100 000 12-дюймовых пластин в месяц. По данным Counterpoint Research, во втором квартале этого года доля поставок глобальных NAND битов от YMTC составила 14%, что вывело компанию на третье место в мире, в то время как Samsung Electronics занимает первое место с 25%, а SK Hynix — второе с 22%.

Согласно эксклюзивной информации от Interface News, Apple приняла предложение Samsung Electronics на цены на чипы памяти в первом квартале 2027 года: DRAM близок к 2.0 долларам США за гигабайт, NAND флеш-память близка к 0.33 долларам США за гигабайт, что на 30%-40% выше, чем цены в третьем квартале этого года.Interface News запросила подтверждение этой информации у Apple, но на момент публикации ответа не поступило.

Рыночные новости: японский гигант NAND Kioxia Holdings рассматривает возможность выхода на биржу в США для привлечения 10 миллиардов долларов.Компания ведет переговоры с Bank of America, Goldman Sachs и JPMorgan Chase, чтобы получить больше ликвидности в США.

Сообщение ChainCatcher, исследовательская компания Sigmaintell опубликовала индикатор цен на память, показывающий, что в третьем квартале 2026 года общий спрос и предложение на рынке памяти по-прежнему остаются напряженными. Цены на все категории DRAM (динамическая оперативная память) и NAND Flash (флеш-память) продолжают расти по сравнению с предыдущим периодом, но по сравнению с ростом цен во втором квартале, темпы роста значительно замедлились, и для некоторых чипов памяти рост цен по сравнению с предыдущим периодом сократился до 10% и менее.

Сообщение ChainCatcher, генеральный директор SK Hynix Квак Нох-Джун заявил, что компания изучает способы углубления сотрудничества с японскими клиентами и поставщиками чипов памяти и осторожно оценивает, как совместно развивать рынок NAND флэш-памяти. Что касается важной косвенной доли компании в Kioxia, он отметил, что в настоящее время «нет никаких определенных планов».После сокращения доли Toshiba в этом месяце инвестиционный инструмент SK Hynix, BCPE Pangea Cayman2, стал крупнейшим акционером Kioxia с долей в 14,19%. SK Hynix владеет облигациями, которые могут быть конвертированы в почти все голосующие права этого инвестиционного инструмента; согласно ранее достигнутому соглашению, без согласия Kioxia его голосующие права не могут превышать 15% до 2028 года.Кроме того, SK Hynix инвестирует более 4 миллиардов долларов в строительство своего первого завода по упаковке HBM в США, штат Индиана. Ожидается, что чистая комната завода будет запущена в октябре 2028 года, а массовое производство следующего поколения HBM начнется во второй половине 2029 года; после полного запуска ожидается, что будет трудоустроено около 1000 человек. Компания также продолжает оценивать возможность выхода на биржу своего американского дочернего предприятия NAND Solidigm, но пока не приняла решения.

Сообщение ChainCatcher, исследователи P Equity Research и SemiAnalysis, включая Ника Дойла, обсуждают высокобандwidth флэш-память HBF в X Space. Ник отметил, что в настоящее время слишком рано судить о том, насколько может сократиться премия по стоимости HBF относительно HBM, так как существующие данные в основном исходят от производителей, например, Sandisk утверждает, что стоимость за бит составляет примерно одну восьмую от HBM. Уровень выхода, тестирование и другие факторы будут улучшаться с увеличением масштаба, но структурные затраты, такие как TSV, стековые технологии и режимы pSLC, будут существовать постоянно, а долговечность является ключевой неизвестной; если износ превысит ожидания, это приведет к увеличению затрат.Сценарии применения HBF узки, они предназначены только для AI-выводов, особенно для моделей MoE с низким объемом пакетирования и длинным контекстом, и не являются заменой HBM. Фактическая цель по пропускной способности составляет около 1,6 ТБ/с, что соответствует уровню HBM3E, подходит для последовательного чтения для загрузки весов модели, более соответствующей потребностям небольшого количества GPU в локальных или частных компаниях, а не для сценариев с очень высокой пропускной способностью. Надежность охлаждения еще не решена, флэш-память рядом с GPU при высокой температуре будет ускорять деградацию, меры по разделению UCIe и ежедневному обновлению еще не были проверены.Что касается производства, Sandisk/Kioxia обладают опытом в 3D NAND, а SK Hynix дополняет возможности стековой технологии HBM, но массовое производство еще предстоит подтвердить. В целом, рынок хранения данных движется к специализированной сегментации, нехватка NAND, как ожидается, продлится до 2028 года, HBF может еще больше повлиять на спрос и предложение.

Сообщение ChainCatcher, согласно корейским СМИ Chosun Biz, SK Hynix отстает в переходе на старые производственные линии NAND, и разрыв в эффективности трудно сократить. По состоянию на второй квартал этого года, доля их 176-слойных продуктов все еще составляет около 50%, в то время как Samsung завершила переход на 236-слойные продукты в качестве основного. Данные Omdia показывают, что доля Micron 232-слойных продуктов составляет 53%, а YMTC достигает 68%.В период роста цен на NAND компании с высоким процентом передовых технологий лучше улучшают свои затраты и прибыль. Доля выручки от NAND SK Hynix (включая Solidigm) снизилась с 21,4% в четвертом квартале прошлого года до 16,4% в первом квартале этого года, в то время как YMTC увеличилась с 11,5% до 16,2%. Инвестиции SK Hynix в оборудование в первую очередь направлены на DRAM и HBM, инвестиции в NAND сокращаются третий год подряд, с 3,5 миллиарда долларов в 2023 году до 2,9 миллиарда долларов в 2025 году, что замедляет переход. В настоящее время рассматривается возможность списания устаревших активов NAND для оптимизации затрат.

Сообщение ChainCatcher, согласно отчету Nikkei Asia, производитель чипов для хранения Kioxia Holdings планирует построить новое производственное предприятие на своем заводе на севере Японии, инвестиции в проект ожидаются более 1 триллиона иен (примерно 62,7 миллиарда долларов США).Kioxia в настоящее время занимает третье место на мировом рынке NAND флэш-памяти, уступая только Samsung Electronics и SK Hynix. Этот шаг компании направлен на то, чтобы следовать за корейскими конкурентами в увеличении производственных мощностей для удовлетворения рыночного спроса.

Сообщение ChainCatcher, согласно отчету DIGITIMES, Longsys и Yangtze Memory продолжают расширяться, в последнее время Apple активно ищет возможность интеграции двух китайских поставщиков памяти, и общественность обращает внимание на их вхождение в цепочку поставок Apple. В отрасли сообщают, что обе компании на самом деле используют Apple, чтобы доказать, что качество китайского DRAM и NAND Flash достигло международного уровня, а под столом через третьи стороны организуют сборку и экспортируют к новым облачным операторам в Северной Америке (neocloud), расширяя долю на рынке облачных и корпоративных услуг.Материнская компания Longsys, Longsys Technology, завершила сбор средств в размере 29,5 миллиарда юаней, а Yangtze Memory планирует IPO для привлечения около 33 миллиардов юаней, которые будут использованы для модернизации производственных линий и исследований. Yangtze Memory уже вышла на прибыль в 2024 году, а в первом квартале 2026 года чистая прибыль составила 33,379 миллиарда юаней; их новый завод третьей фазы начнет производство раньше, в четвертом квартале 2026 года, с общей мощностью 100 000 пластин в месяц, из которых около 20% будут пробными LPDDR, что станет их первой базой DRAM. По данным цепочки поставок, обе компании могут повысить уровень самодостаточности китайской памяти до более чем 50% к концу 2027 года или 2028 году.Yangtze Memory продает NAND третьим производителям модулей и собирает их в корпоративные SSD, избегая чувствительности к месту производства; Longsys уже сертифицировала малые и средние облачные компании в США, Канаде и других странах. Частные компании в США в принципе могут закупать у обеих компаний, физический список в основном ограничивает их доступ к американским технологиям, но не запрещает полностью частные закупки. Облачные операторы также снижают риски соблюдения норм, арендуя вычислительные мощности или используя активы третьих сторон. В отрасли считают, что влияние Apple на спрос и предложение в индустрии снижается, обе компании не намерены массово поставлять Apple или конкурировать по ценам, и расширение производства все еще не сможет в краткосрочной перспективе удовлетворить спрос Apple на китайском рынке.

Сообщение ChainCatcher, согласно отчету ZDNet Korea, Samsung Electronics и SK Hynix планируют продолжить инвестиции в оборудование для массового производства NAND флеш-памяти в Китае до следующего года, чтобы укрепить местные производственные мощности. С начала этого года Samsung уже продвигает инвестиции в преобразование V9 NAND на производственной линии X2 в Сиане, этот продукт представляет собой передовую технологию с примерно 280 слоями. Ожидается, что месячная производственная мощность составит от 40 до 50 тысяч штук; для стабилизации массового производства компания утвердила план дополнительных инвестиций, основное внимание уделяется добавлению оборудования для травления, соответствующие заказы на закупку, как ожидается, будут уточнены к концу года, дополнительные инвестиции планируется начать с второй половины следующего года.SK Hynix с третьего квартала этого года начинает инвестиции в модернизацию оборудования для NAND продукции на заводе в Даляне, обсуждаемый масштаб составляет около 30 тысяч штук в месяц, ключевое производственное оборудование начнет поступать с следующего месяца и планируется завершить развертывание до середины следующего года. Завод в Даляне является активом, который был приобретен после покупки подразделения NAND Intel во второй половине 2020 года, в 2022 году была проведена церемония начала строительства второго завода для расширения производства, но затем из-за рыночных условий ввод оборудования был приостановлен, сейчас инвестиции вновь запускаются.Отраслевые эксперты указывают, что вышеуказанные планы направлены на поэтапное расширение производственных мощностей по передовым NAND в Китае, чтобы справиться с быстрым ростом спроса на высококачественную память в таких областях, как серверы искусственного интеллекта.

Сообщение ChainCatcher, 24 августа, по данным Reuters, материнская компания крупнейшего в Китае производителя флеш-чипов Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (YMTC) - компания Yangtze Memory Technologies Corp. (CCSH Corporation) - получила одобрение на подачу заявки на листинг на научно-технической бирже Шанхая, и ожидается, что компания выйдет на биржу в следующем году. Ожидается, что в ходе IPO будет привлечено 33 миллиарда юаней (около 4,9 миллиарда долларов США). CCSH планирует выпустить от 1,98 до 2,43 миллиарда новых акций.В проспекте эмиссии указано, что выручка компании в первом квартале 2026 года (с января по март) составила 47 миллиардов юаней, что на почти 5 раз больше по сравнению с прошлым годом; чистая прибыль составила 33,38 миллиарда юаней, что более чем в два раза превышает чистую прибыль за весь 2025 год в 14,21 миллиарда юаней. Заводы YMTC в настоящее время работают почти на полную мощность и продолжают увеличивать объемы продаж на рынке NAND-флеш-памяти, где наблюдается нехватка предложения. Средняя цена NAND-флеш-памяти в первом квартале 2026 года достигла 2,73 раза от среднего уровня 2025 года, а валовая прибыль увеличилась с 35,3% в 2025 году до 76,8%.CCSH планирует использовать 20,8 миллиарда юаней из средств, привлеченных в ходе этого IPO, для расширения производственных мощностей, а 12,2 миллиарда юаней - для разработки следующего поколения NAND-флеш-памяти и высокоскоростных накопителей.

Сообщение ChainCatcher, SK Hynix возобновила строительство своего второго завода по производству NAND флеш-памяти в Даляне, ожидается, что месячная мощность в этом регионе увеличится примерно на 50%. Новый производственный поток спроектирован с месячной мощностью около 50 000 пластин, в сочетании с существующей мощностью первого завода в Даляне в 100 000 пластин в месяц, общая мощность SK Hynix по производству NAND в Китае увеличится до примерно 150 000 пластин в месяц. Завод был заложен четыре года назад, но был приостановлен из-за падения рынка чипов памяти и ограничений на экспорт оборудования в Китай со стороны США, завершив лишь структурные работы.Инвестиции в второй завод в Даляне инициированы дочерней компанией SK Hynix по производству NAND Solidigm, которая планирует начать установку оборудования в ноябре этого года и создать систему массового производства в первой половине следующего года. Под воздействием расширения центров обработки данных AI спрос на корпоративные SSD резко возрос, цена на NAND увеличилась почти в 10 раз по сравнению с прошлым годом, что способствовало возобновлению инвестиций. SK Hynix применит двойную стратегию: завод в Даляне будет использовать зрелую архитектуру Intel для производства NAND уровня 100 слоев, в то время как отечественные заводы, такие как Cheongju M17, сосредоточатся на производстве передовых NAND более 300 слоев, последний из которых уже объявил об инвестициях в 19,1 триллиона вон. Ожидается, что конфигурация оборудования второго завода в Даляне будет схожа с первой, а месячная мощность останется в диапазоне от 40 000 до 60 000 пластин.

Сообщение ChainCatcher, согласно отчету Nikkei, крупнейшим акционером японского производителя NAND Kioxia стал специальный инвестиционный фонд BCPE Pangea Cayman 2 (SPC2), который владеет 14,19% акций Kioxia, что немного выше 14,06%, после того как Toshiba сократила свою долю. SPC2 является субъектом инвестиций SK Hynix через конвертируемые облигации (CB).С 15 июля по 3 августа Toshiba семь раз сократила свою долю в Kioxia, снизив ее с 15,10% до 14,06%. В 2018 году SK Hynix инвестировала около 40 триллионов вон в Kioxia через два SPC, из которых SPC1, совместно финансируемый с Bain Capital, завершил продажу акций в июне этого года, когда Bain Capital вышел из проекта, в то время как SPC2, финансируемый только SK Hynix на сумму около 13 триллионов вон, продолжает держать свою долю. Если CB будет конвертирована в акции, SK Hynix получит право голоса. Однако в отрасли оценивают, что реальное влияние на управление Kioxia будет низким, поскольку осуществление права голоса требует одобрения конкуренции и антимонопольных органов в разных странах, и японское правительство, учитывая защиту своей полупроводниковой цепочки поставок, может не дать легкого разрешения. В настоящее время Kioxia является третьим по величине производителем NAND в мире, уступая только Samsung Electronics и SK Hynix.

ChainCatcher Сообщение, японский производитель NAND Kioxia ускоряет свои шаги на рынке NAND для ИИ, в этом году запустив массовое производство 10-го поколения (BiCS 10) 332-слойного 3D NAND и выпустив на его основе eSSD "CM10" для дата-центров с поддержкой PCIe 6.0, производительность последовательного чтения увеличилась на 92% по сравнению с предыдущим поколением. Кроме того, Kioxia планирует начать массовое производство встроенной памяти UFS 5.0 в конце этого года, скорость передачи данных увеличится примерно в 2 раза по сравнению с UFS 4.1, основной акцент будет сделан на рынок мобильных устройств с ИИ. Согласно данным TrendForce, доля Kioxia на мировом рынке NAND в первом квартале этого года составила 13.9%, что позволяет занять третье место, уступая Samsung Electronics (31.6%) и SK Hynix (17.6%).Корейские компании также ускоряют свои шаги. Samsung в прошлом месяце начала массовое производство PCIe 6.0 eSSD "PM1763", оснащенного 9-м поколением V-NAND и контроллером 4nm, массовое производство UFS 5.0 планируется на четвертый квартал. Samsung также объявила, что с этого месяца начнет массовое производство 10-го поколения V-NAND (около 430 слоев), впервые применяя смешанное склеивание и трехслойную технологию. Аналитики отрасли считают, что Kioxia обладает конкурентоспособностью в скорости технологической итерации, но масштаб производства все еще отстает от корейских компаний, и конкуренция на рынке ИИ-памяти станет еще более напряженной.