存储器

ChainCatcher 消息，交易员 degentrading（@degentradingLSD）盘前分析，当前市场呈现以下几大信号：宏观层面：10Y 收益率升至 5.2%、30Y 升至 5.5%，接近历史高位；韩国股市开盘下跌 2.5%，存储器与半导体板块（SK 海力士、三星、MU、SNDK）普遍下跌 2%~5%，预计在 MU 财报发布前价格走势将持续震荡。新云计算：计算项目投资回收期已不足一年，市场认知正在转变，预计新云板块将迎来快速重估，电力瓶颈问题也日益受到关注。科技股：META 盘前走弱，关注 690 支撑位买入或历史新高突破机会，若超大规模数据中心板块整体突破，META、MSFT 等将迎来范式级重定价。加密市场：主流币与山寨币普遍走弱，BTC 或下探 82K 支撑位；上周已减持 TAO、DOGE 并止盈 CRDO 以释放风险资本。KBW 期间加密情绪通常偏正面，本周策略以寻找短线看涨机会为主。

ChainCatcher 消息，在 2026 世界制造业大会上，存储芯片厂商长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米。第五代工艺平台的存储密度有大幅提升，同等条件下每张晶圆产出较上一代平台提升 50% 以上。基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已进入正式量产，并进入国产主流旗舰手机。

ChainCatcher 消息，TrendForce 最新存储器产业研究指出，NOR Flash 市场正经历近十年来最显著的供需结构转变。AI 相关产品正吸收大量产能，供应商即使高端应用需求持续增长，也难以大幅增加 NOR Flash 位元产出。因此，2026 年下半年供需预计仍将失衡，整体合约价维持高位。尽管台湾和中国供应商已增加资本支出并扩产，新产能无法立即转化为市场供应。新产出需先经过制程迁移、良率爬升、产品认证和客户设计导入，中高容量段供应短缺短期内难以缓解。Winbond 预计 2026 年位元增长最强，受 45nm NOR 全面量产及向 25nm、20nm 迁移推动。GigaDevice 正升级 32Mb 及以上产品制程，上半年有效产出受限。MXIC 将额外 12 英寸产能优先用于 NAND 和 eMMC，限制 NOR 晶圆投入增长。2026 年 AI 和航空航天通信成为主要新增需求来源。AI 服务器 NOR 用量为传统服务器的 3-5 倍，边缘 AI、AI PC、机器人及低轨卫星等推动高密度需求。2026 年上半年合约价累计平均上涨 100–120%。下半年 256Mb 及以上产品平均价格可能再涨 90–110%，128Mb 及以下产品 4Q26 价格上涨 10–20%。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 9 日表示，下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。此前一日，该公司在利川园区 Supex 中心举行的 2026 SK 海力士未来论坛上，副社长金庆勋、孙浩英提出 3D DRAM 主要技术方向，包括 DRAM 外围电路采用逻辑代工工艺、最大化数据总线带宽、超短距离传输等。3D DRAM 是将原先平面铺设的存储单元垂直堆叠以提高集成度的下一代 DRAM。两人表示，实现该技术除设计与发热问题外，还需一并解决微细互连、键合、工艺整合等封装领域难题。随着前道与后道封装、代工与存储器技术边界趋近，超越既有领域的共同优化将更重要。孙浩英称，3D 技术正在改变晶圆厂与封装的技术边界，需与先进封装技术创新一起，建立超越既有领域的优化与新协作体系。同主题发表的高丽大学教授申昌焕表示，3D DRAM 不仅是芯片垂直堆叠，更是打破存储器与逻辑边界的技术；随着器件微细化接近极限、系统与存储器间数据移动带来的时间与功耗增加，转向 3D 技术不可避免，并提议以人工智能联动材料、器件、封装、架构四领域的 3D 集成设计框架。SK 海力士社长郭鲁正在致辞中称，过去存储器市场像比谁跑得更快的直线道路，现在则像时刻变化的弯道，除内部能力外，把握外部环境变化速度与方向并灵活适应也很重要。

ChainCatcher 消息，日经中文网 9 月 3 日报道，来自英伟达的人工智能服务器相关需求正在助推半导体存储器 DRAM 行情加速走高。用于个人电脑等设备的通用 DRAM 产品价格环比上涨 5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应 AI 服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。DRAM 除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的 AI 服务器等设备，承担数据临时存储功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按月度或季度开展谈判确定大宗交易价格。用于 PC、游戏机、服务器的通用型号 DDR5 的 16Gb 规格产品 7 月大宗交易价格敲定在约 40.2 美元，环比上涨 5%。价格实现连续 7 个月走高，电子商社高管表示已经刷新历史最高价位。

ChainCatcher 消息，美光科技 CEO 宣布成立美光研究实验室（Micron Research Labs），计划投入 100 亿美元，投资周期以数十年计。该实验室将汇聚客户、供应商、学术界、政府及更广泛的半导体生态系统，致力于突破现有技术路线图，探索未来可能性。美光方面表示，此举体现了对早期创新的长期承诺。公司团队已累计获得超过 6.2 万项专利。美光研究实验室将加入美光在美国制造业超过 2500 亿美元的投资布局，预计创造逾 9 万个美国就业岗位，涵盖晶圆厂、工程师、技术员、学徒、供应商及社区等。美光强调，当前决策将决定谁能引领未来 AI 经济，美国的 AI 未来将建立在美国制造的存储器之上，而这些存储器由美光生产。

ChainCatcher 消息，据工商时报报道，在 AI 带动存储器及先进封装需求长期成长下，华邦电提前启动高雄路竹厂扩产规划，将原定二、三期整并为 Module B 同步开发，预计 2027 年动工兴建无尘室，最快 2029 年初开始装机，并依客户需求预测及 LTA 分阶段导入设备。目前已有客户提前洽谈 2029 年、2030 年产能。法人指出，华邦电第三季利基型 DRAM 与 SLC NAND 供不应求，价格季涨幅估约 50%；NOR Flash 受惠云端服务供应商大客户备货，价格季涨幅估约 30%。第四季存储器价格涨幅估收敛至 2% 至 5%，但受惠 DRAM 产能增加及出货量成长，营收及获利仍可维持季增。华邦电第二季合并营收 598.43 亿元，季增 56.4%、年增 184.7%，DRAM 价格季增约 100%、Flash 上涨约 43%，合并毛利率升至 66.2%，每股税后纯益 5.40 元。Module B 产品规划涵盖 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及硅电容（Si-Cap），将支持 14 纳米及未来 12 纳米 DRAM 制程，后续亦规划导入 EUV 设备。

ChainCatcher 消息，高盛发表研报指，三星电子第二季营业利润符合预期，该行上调其 2026至 2028 年每股盈利预测约 2%，并将 12 个月目标价由 48 万韩元上调至 49 万韩元。该行预期存储器需求将大幅超越供给，2027 年差距将扩大，2028 年供应仍将偏紧。 高盛指出，该公司与主要数据中心客户签订长期协议，将提供较佳盈利能见度及下行保护。 此外，该公司目标成为 AI 存储器市场领导者，HBM4 预计 2026 年下半年占 HBM 收入逾 60%，并预期股东回报有显著上行空间。该股目前以 2027 年预测市盈率 3.1 倍及市账率 1.2 倍交易，股东回报率接近 50%。