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ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，韩国《中央日报》报道，其取得的三星电子部长出身、前长鑫存储（CXMT）设备投资负责人全某的陈述书显示，CXMT 前 CEO 王宁国曾于 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韩国团队，要求带回三星电子工艺配方计划（PRP）及设备信息，并称若不带回将向韩国政府举报，还警告对方有核实人脉、不要说谎。全某称当时感到害怕。报道称，CXMT 管理层当时以“黄山”作为三星电子的代号。全某在三星电子工作 28 年后加入 CXMT，因涉嫌未经授权泄露并使用三星投入 1.6 万亿韩元、当时全球率先开发的 18 纳米 DRAM 工艺被起诉，今年 4 月一审被判 7 年有期徒刑，目前处于二审。PRP 包含 DRAM 制造约 600 个步骤的顺序、设备、条件值及设备公司与型号。三星工艺设计工程师出身的朴某于 2016 年 9 月将相关内容手抄在 12 页笔记中带出，目前处于国际刑警组织红色通报状态。全某在庭审中陈述，与中国方面沟通时出现过做不出 18 纳米就不向 CXMT 提供投资的说法，并称后来得知对方从一开始就想要该技术，CXMT 起初并无自行开发打算。上述施压发生在为申请投资准备会议之前。CXMT 于 2016 年由合肥市政府下属合肥产业投资出资 144 亿人民币设立，约 10 年未盈利，去年首次年度盈利，净利润 71 亿人民币。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日报道，三星电子正加快平泽第五园区（P5）首条量产线（Ph1）建设，并与主要设备厂商讨论将 Ph1 设备搬入目标从原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投产为目标的下一代半导体生产基地，今年三季度已开始建设 Ph1 洁净室。三星电子此前已将原定明年初完成的 P5 Ph1 洁净室建设提前约 6 个月，设备导入因此预计在明年三季度左右。业内人士称，设备搬入开始时间拟从明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前后；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付设备、由其他地点暂存，显示其提前投资意愿较强。P5 第二阶段（Ph2）投资讨论也在推进。目前 Ph1 更可能建设为 DRAM 与 HBM 产线，Ph2 则更可能建设为包括第十代（V10）在内的先进 NAND 产线。设备业人士称，正式采购订单尚未下达，但三星已与合作方讨论将 Ph2 建成 NAND 产线，并因设备交付周期较长，要求提前备妥相关零部件。报道称，全球大型科技公司增加 AI 基础设施用高性能 DRAM 与 NAND 订单，而三星等存储企业产能有限。三星在 7 月二季度业绩电话会上曾表示，今年未能满足的需求将延至明年，明年供应短缺将比今年更严重，并预计短缺将持续至 2028 年。

ChainCatcher 消息，半导体分析机构 Kernel Insight：人工智能需求推动 DRAM 价格维持历史高位，最新工艺 DRAM 的单位面积销售价值已高于台积电 N2、N3 晶圆价格。该机构将台积电 300 毫米 N3 晶圆价格估为 2 万美元、N2 为 3 万美元，折合名义价格分别约为每平方毫米 0.283 美元和 0.424 美元，未计入边缘损耗、切割损耗及良率与缺陷。按每 Gb 1.50 美元及世代比特密度计算，1y DRAM 为每平方毫米 0.329 美元，1z 为 0.410 美元，1b 为 0.654 美元，较 N2 高出 50% 以上。10 纳米级工艺按 1y、1z、1a、1b 的顺序逐步微缩。上述每 Gb 价格假设接近现货，DRAMeXchange 数据显示，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 芯片平均成交价为 24.80 美元，约合每 Gb 1.55 美元。比较口径存在差异。台积电数字是客户支付的晶圆代工价格，DRAM 数字是成品销售的总销售潜力，且未计入先进封装成本；台积电实际供货价会随订单量与合约变化。DRAM 指标基于小额现货价格，不同于三星电子、SK 海力士、美光营收主体的长期合约价格。非公开固定交易价格近期走强，若尚未完全反映到现货价格，存储厂商晶圆单位价格的领先幅度可能更大。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。

ChainCatcher 消息，富达投资全球宏观总监 Jurrien Timmer 在 X 平台表示，AI 领域交易已超过三个月处于“死钱”状态，其跟踪的 token 支出和 GPU 租赁费率均持平或下降，仅内存（DRAM）价格持续上涨。 Timmer 认为，AI 长期将改变生活，并可能释放生产率奇迹，使经济非通胀速度上限提高到足以维持全球债务可持续的水平。但在此之前，当前的建设是通胀性的，对数万亿美元算力投资的回报尚不确定，企业股权和债务资本需求正以 3.3 万亿美元的速度增长。

ChainCatcher 消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。

ChainCatcher 消息，据 TechPowerUp 报道，中国 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）预计到 2026 年底 DRAM 晶圆月产能约达 35 万片，美光同期预估约 37.5 万片。长鑫存储洁净室建设周期约 12 个月，短于行业通常的 21 至 24 个月。受美国制裁无法获得 EUV，长鑫存储使用较旧的 DUV 光刻及多重图案化技术。该公司已开始出货 16 Gb DDR5 芯片，速度 8000 MT/s，芯片面积 67 mm²、密度 0.239 Gb/mm²，G4 单元较 G3 小 20%。24 Gb 模组以约 6000 MT/s 量产，LPDDR5X-10667 模组（12 Gb 和 16 Gb）亦已量产。中国政府正鼓励长鑫存储向 JHICC、Swaysure 及长江存储子公司 XMC 等国内厂商转移 DRAM IP。

ChainCatcher 消息，界面新闻从产业链独家获悉，苹果已接受三星电子 2027 年一季度存储芯片报价：DRAM 接近 2.0 美元 /Gb，NAND 闪存接近 0.33 美元 /Gb，较今年三季度报价上涨 30%-40%。界面新闻就此消息向苹果求证，截至发稿暂无回应。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 15 日报道，三星电子与 SK 海力士三季度营业利润共识在三个月内再次上调。综合主要券商与海外投行报告，三星电子三季度营业利润预估约 114 万亿韩元，较三个月前的 101.9052 万亿韩元上调 12.2836 万亿韩元（12%），较二季度 89.4 万亿韩元增长 28%。SK 海力士三季度预估为 78.8035 万亿韩元，较三个月前的 75.7249 万亿韩元上调 4%，较二季度 60.5426 万亿韩元增长 30%。TrendForce 预计三季度通用 DRAM 固定交易价格环比上涨 13% 至 18%，NAND 闪存上涨 10% 至 15%。证券界关注三星电子 HBM4 营收占比由一季度 5% 扩大至二季度约 35%，且良率改善。SK 海力士维持 HBM 市场份额第一，但三星 HBM4 量产改善或稀释其供应溢价。花旗证券因韩元走强将 SK 海力士三季度营业利润预估由 76.7 万亿韩元下调至 74 万亿韩元。美光将于 30 日公布 2026 财年第四季度（6 月至 8 月）业绩，营收指引为 490 亿至 510 亿美元。

ChainCatcher 消息，HIP-3 市场部署者 Entropy 花费 500 枚 HYPE（约合 38,950 美元）拍下代码 DRAM，预计将上线 io:DRAM 永续合约交易。此前 Trade.xyz 已部署 xyz:DRAM 永续合约交易。DRAM 为 Roundhill Memory ETF（DRAM），是全球首只纯内存主题 ETF。

ChainCatcher 消息，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储 CXMT 近日启动上海新厂合作商设备招标，并推进多地产能扩张。CXMT 目前在合肥二期、北京一期量产 DRAM，产能估约每月 20 万片中段，年底或超过每月 30 万片。CXMT 计划今年四季度开上海新厂，相关设备招标已启动。半导体设备业人士称，该厂拟分两阶段扩建，产能将显著超过每月 10 万片。随后计划明年上半年开合肥新厂、最早明年下半年开北京新厂，后年上半年再开合肥新厂。设备业人士称，CXMT 已与多方沟通多地建厂时点。若计划全部落地，CXMT 今年至 2028 年每年可新增至少每月 7 万至 8 万片产能，长期或超每月 60 万片。三星电子与 SK 海力士 DRAM 产能分别估约每月 70 万片、60 万片。

ChainCatcher 消息，据日经亚洲报道，中国芯片制造商长鑫存储（CXMT）在利润率方面已领先全球竞争对手，超越 SK 海力士和美光。该公司利用商品级 DRAM 供应紧张的局面，在第二季度占据优势。长鑫存储的主要产品包括 DDR5 内存，近几个月价格出现上涨。报道称，这一情况出现在由韩国、美国和日本供应商主导的存储芯片行业。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 9 日表示，下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。此前一日，该公司在利川园区 Supex 中心举行的 2026 SK 海力士未来论坛上，副社长金庆勋、孙浩英提出 3D DRAM 主要技术方向，包括 DRAM 外围电路采用逻辑代工工艺、最大化数据总线带宽、超短距离传输等。3D DRAM 是将原先平面铺设的存储单元垂直堆叠以提高集成度的下一代 DRAM。两人表示，实现该技术除设计与发热问题外，还需一并解决微细互连、键合、工艺整合等封装领域难题。随着前道与后道封装、代工与存储器技术边界趋近，超越既有领域的共同优化将更重要。孙浩英称，3D 技术正在改变晶圆厂与封装的技术边界，需与先进封装技术创新一起，建立超越既有领域的优化与新协作体系。同主题发表的高丽大学教授申昌焕表示，3D DRAM 不仅是芯片垂直堆叠，更是打破存储器与逻辑边界的技术；随着器件微细化接近极限、系统与存储器间数据移动带来的时间与功耗增加，转向 3D 技术不可避免，并提议以人工智能联动材料、器件、封装、架构四领域的 3D 集成设计框架。SK 海力士社长郭鲁正在致辞中称，过去存储器市场像比谁跑得更快的直线道路，现在则像时刻变化的弯道，除内部能力外，把握外部环境变化速度与方向并灵活适应也很重要。

ChainCatcher 消息，长鑫科技召开 2026 年半年度业绩说明会。有投资者询问长鑫科技第三季度 DRAM 价格情况，公司高级副总裁、财务负责人黄丹阳认为，展望 2026 年下半年，全球 DRAM 产品供给紧缺格局将延续。

ChainCatcher 消息，韩国券商 KB Securities 警告，三星电子和 SK 海力士的存储半导体库存已降至不足 10 天供应量，明年可用供应将明显不足。该机构周一报告指出，人工智能基础设施投资以前所未有的速度扩张，存储芯片市场面临严重供应短缺。关键因素是向 HBM4 过渡，HBM4 所需晶圆约为传统 DRAM 的三倍，晶圆产能有限将减少传统 DRAM 可用产能。KB Securities 预计明年 DRAM 和 NAND 需求将超过供应 10 个百分点以上。研究主管 Kim Dong-won 表示，人工智能服务器将消耗 HBM、服务器 DDR5 和企业级固态硬盘，可能导致历史性短缺。全球超大规模数据中心运营商将明年人工智能基础设施投资预期上调至 1.3 万亿美元，较上年增长 60%。该机构预计明年存储半导体将占人工智能基础设施总投资的 57%，高于去年的 14%，TrendForce 预计这一比例可能高达 68%。三星电子股价较高点跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%。

ChainCatcher 消息，长鑫科技召开 2026 年半年度业绩说明会。公司独立董事陈武朝在回复投资者提问时表示，2026 年上半年，全球 DRAM 产品景气度提升，价格上涨。目前，公司仍处于产能扩张和技术升级的关键投入期，需要在保障必要资本开支的前提下逐步为股东创造回报。随着盈利能力持续增强，公司将依法依规适时启动分红方案的论证。

ChainCatcher 消息，据 TrendForce 集邦咨询最新存储器产业研究，2026 年第二季由于 Conventional DRAM（一般型 DRAM）合约价显著上涨，推升整体 DRAM 产业营收季增 59.5%，近 1,547.3 亿美元。随着 LLM 模型训练、AI 推理刺激 AI Server 需求，HBM3e、LPDDR5X 和高容量 RDIMM 出货同步成长，Agentic AI 应用则带动各容量规格的 RDIMM 拉货。供给方面，原厂库存处于谷底、且新增供给优先满足 Server 应用，第二季整体 DRAM 位元出货量小幅成长。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 7 日报道，SK 海力士正在加快提高 10 纳米级第六代（1c）DRAM 生产占比。业内数据显示，其 1c DRAM 占比由今年一季度约 10%升至二季度约 13%，三季度有望达约 24%，四季度约 34%；明年一季度或升至约 35%，首次超过 1b（约 33%）并成为主力工艺。1b（10 纳米级第五代）DRAM 占比在今年二季度约 43%见顶后转为下降。二季度末，三星电子 1c 占比约 16%、美光约 19%，均高于 SK 海力士的约 13%。报道称，SK 海力士下半年加快转换，四季度或按约 34%超过三星电子约 31%。SK 海力士在二季度业绩电话会上表示，采用 1c 工艺的 DRAM 供应自二季度起实质性展开，下半年将随 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出货增加，比特增长率高于上半年。三星电子自 HBM4 起采用 1c DRAM，运行速度约 11.7Gbps；SK 海力士此前以已验证的 1b DRAM 与先进 MR-MUF 封装优先保障量产稳定性，自下一代 HBM4E 起首次将 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等预计，今年英伟达、谷歌、AMD 合计口径下 HBM4 市场份额约为 SK 海力士 50% 中段、三星电子 20% 后段、美光 10% 后段。