sk海力士

ChainCatcher 消息，三星电子上月聘用前财政经济部外汇制度课长李熙坤为 IR 团队常务。李熙坤曾担任外汇制度课长、资金市场政策课长等职，负责外汇制度及海外投资应对，今年 4 月参与韩国纳入世界国债指数工作并获特别表彰，预计负责海外投资者及全球资本市场应对。SK 海力士上月聘用前财政经济部战略经济总括课长郑汝珍为传播总括下属副社长。郑汝珍曾任气候环境预算课长、经济副总理秘书官、外汇制度课长、外汇资金课长等职。两家公司正推进美国生产投资，三星电子计划投入 370 亿美元在得克萨斯州泰勒建设晶圆代工厂，SK 海力士计划投入 40 亿美元在印第安纳州建设先进封装工厂。

ChainCatcher 消息，韩国副总理周三表示，韩国必须继续推进人工智能发展，不能停顿或拖延，在全球关于该技术发展节奏的讨论中态度明确。韩国是三星电子与 SK 海力士等存储芯片企业所在地，也是人工智能数据中心热潮的主要受益者之一，相关需求带动了对该国半导体与硬件的旺盛采购。该国人口约 5200 万，目前无法按美国人工智能模型开发商 Anthropic 与 OpenAI 负责人所提议的方向放缓自身进展。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，韩国 SK 海力士正与英特尔洽谈一项交易，拟首次在美国本土生产存储芯片。其中一种可能方案是 SK 海力士租用英特尔在俄亥俄州筹划已久的芯片制造设施的一部分；另一种方案是与英特尔及急于锁定存储芯片供应的主要云服务公司成立合资企业。交易将缓解英特尔的压力，并成为特朗普政府的一大胜利。但消息人士称，韩国方面的潜在反对可能是一大障碍，因为这些技术被视为敏感。一名消息人士称谈判尚属探索性，强调尚未作出决定。若达成协议，SK 海力士可能在俄亥俄州生产何种芯片也尚不清楚。其产品线包括用于服务器、PC 和智能手机的 DRAM，以及提供长期存储的 NAND 闪存，同时也是 AI 处理器所用高带宽存储（HBM）的领先供应商。

ChainCatcher 消息，SK 海力士与其工会已就绩效奖金达成协议。根据协议，奖金的 50% 将以现金支付，其余 50% 将以公司股票支付。SK 海力士原本计划以现金支付全部绩效奖金。这意味着公司现在需要回购相当于奖金总额至少 50% 的股票。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 15 日报道，三星电子与 SK 海力士三季度营业利润共识在三个月内再次上调。综合主要券商与海外投行报告，三星电子三季度营业利润预估约 114 万亿韩元，较三个月前的 101.9052 万亿韩元上调 12.2836 万亿韩元（12%），较二季度 89.4 万亿韩元增长 28%。SK 海力士三季度预估为 78.8035 万亿韩元，较三个月前的 75.7249 万亿韩元上调 4%，较二季度 60.5426 万亿韩元增长 30%。TrendForce 预计三季度通用 DRAM 固定交易价格环比上涨 13% 至 18%，NAND 闪存上涨 10% 至 15%。证券界关注三星电子 HBM4 营收占比由一季度 5% 扩大至二季度约 35%，且良率改善。SK 海力士维持 HBM 市场份额第一，但三星 HBM4 量产改善或稀释其供应溢价。花旗证券因韩元走强将 SK 海力士三季度营业利润预估由 76.7 万亿韩元下调至 74 万亿韩元。美光将于 30 日公布 2026 财年第四季度（6 月至 8 月）业绩，营收指引为 490 亿至 510 亿美元。

ChainCatcher 消息，韩国央行在近日发布的《2026 年 9 月货币信贷政策报告》中复盘了今年以来韩国综合股价指数（KOSPI）的波动原因。报告显示，随着 KOSPI 不断攀升，三星电子和 SK 海力士对指数上涨的贡献率迅速提高。尤其是在 KOSPI 今年 6 月从 8000 点冲至 9000 点的过程中，两只股票对指数涨幅的贡献率高达 99%。

ChainCatcher 消息，据外媒报道，三星电子和 SK 海力士拒绝了韩国电力公社提出的一项预缴电费方案，该方案原本要求两家公司提前支付电费，为新建科技集群供电的电网建设提供资金。亚洲各地资金紧张的公用事业公司正难以跟上半导体和人工智能行业日益增长的需求。韩国电力公社的方案据当地媒体估计合计 25 万亿韩元，相当于五年的电费账单。韩国电力公社发言人通过短信表示：“两家公司最终拒绝了韩国电力公社的提议。”据当地媒体报道，这两家芯片制造商担心当前半导体繁荣能否持续未来五年存在不确定性。

ChainCatcher 消息，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储 CXMT 近日启动上海新厂合作商设备招标，并推进多地产能扩张。CXMT 目前在合肥二期、北京一期量产 DRAM，产能估约每月 20 万片中段，年底或超过每月 30 万片。CXMT 计划今年四季度开上海新厂，相关设备招标已启动。半导体设备业人士称，该厂拟分两阶段扩建，产能将显著超过每月 10 万片。随后计划明年上半年开合肥新厂、最早明年下半年开北京新厂，后年上半年再开合肥新厂。设备业人士称，CXMT 已与多方沟通多地建厂时点。若计划全部落地，CXMT 今年至 2028 年每年可新增至少每月 7 万至 8 万片产能，长期或超每月 60 万片。三星电子与 SK 海力士 DRAM 产能分别估约每月 70 万片、60 万片。

ChainCatcher 消息，据日经亚洲报道，中国芯片制造商长鑫存储（CXMT）在利润率方面已领先全球竞争对手，超越 SK 海力士和美光。该公司利用商品级 DRAM 供应紧张的局面，在第二季度占据优势。长鑫存储的主要产品包括 DDR5 内存，近几个月价格出现上涨。报道称，这一情况出现在由韩国、美国和日本供应商主导的存储芯片行业。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 9 日表示，下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。此前一日，该公司在利川园区 Supex 中心举行的 2026 SK 海力士未来论坛上，副社长金庆勋、孙浩英提出 3D DRAM 主要技术方向，包括 DRAM 外围电路采用逻辑代工工艺、最大化数据总线带宽、超短距离传输等。3D DRAM 是将原先平面铺设的存储单元垂直堆叠以提高集成度的下一代 DRAM。两人表示，实现该技术除设计与发热问题外，还需一并解决微细互连、键合、工艺整合等封装领域难题。随着前道与后道封装、代工与存储器技术边界趋近，超越既有领域的共同优化将更重要。孙浩英称，3D 技术正在改变晶圆厂与封装的技术边界，需与先进封装技术创新一起，建立超越既有领域的优化与新协作体系。同主题发表的高丽大学教授申昌焕表示，3D DRAM 不仅是芯片垂直堆叠，更是打破存储器与逻辑边界的技术；随着器件微细化接近极限、系统与存储器间数据移动带来的时间与功耗增加，转向 3D 技术不可避免，并提议以人工智能联动材料、器件、封装、架构四领域的 3D 集成设计框架。SK 海力士社长郭鲁正在致辞中称，过去存储器市场像比谁跑得更快的直线道路，现在则像时刻变化的弯道，除内部能力外，把握外部环境变化速度与方向并灵活适应也很重要。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 日报道，三星电机与 LG Innotek 正推进进入英特尔 EMIB-T 用封装基板供应链，相关产品开发与测试已在进行。EMIB 以小型硅桥连接芯片，英特尔此前主要用于自有芯片；改进版 EMIB-T 正扩大对外销售。谷歌计划于明年下半年推出的下一代 AI 加速器 TPU 将首次应用 EMIB-T。EMIB-T 在硅桥中插入用于电力传输的硅通孔。知情人士称，三星电机多年来已开发 EMIB 用基板样品，目前按 2.1D 封装基板概念推进 EMIB-T 供应。LG Innotek 近期向 SK 海力士送交 EMIB-T 用封装基板进行样品测试，双方正将 HBM 安装于基板上以评估产品特性。目前 EMIB-T 用封装基板由日本 Ibiden、新光电工、台湾欣兴电子及奥地利 AT&S 供应。Ibiden 决定利用闲置工厂开工建设英特尔 EMIB-T 专用基板量产线，投资规模约 2 万亿韩元，并据悉已获得谷歌、亚马逊、英特尔等预付款。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，韩国券商 KB Securities 警告，三星电子和 SK 海力士的存储半导体库存已降至不足 10 天供应量，明年可用供应将明显不足。该机构周一报告指出，人工智能基础设施投资以前所未有的速度扩张，存储芯片市场面临严重供应短缺。关键因素是向 HBM4 过渡，HBM4 所需晶圆约为传统 DRAM 的三倍，晶圆产能有限将减少传统 DRAM 可用产能。KB Securities 预计明年 DRAM 和 NAND 需求将超过供应 10 个百分点以上。研究主管 Kim Dong-won 表示，人工智能服务器将消耗 HBM、服务器 DDR5 和企业级固态硬盘，可能导致历史性短缺。全球超大规模数据中心运营商将明年人工智能基础设施投资预期上调至 1.3 万亿美元，较上年增长 60%。该机构预计明年存储半导体将占人工智能基础设施总投资的 57%，高于去年的 14%，TrendForce 预计这一比例可能高达 68%。三星电子股价较高点跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 7 日报道，SK 海力士正在加快提高 10 纳米级第六代（1c）DRAM 生产占比。业内数据显示，其 1c DRAM 占比由今年一季度约 10%升至二季度约 13%，三季度有望达约 24%，四季度约 34%；明年一季度或升至约 35%，首次超过 1b（约 33%）并成为主力工艺。1b（10 纳米级第五代）DRAM 占比在今年二季度约 43%见顶后转为下降。二季度末，三星电子 1c 占比约 16%、美光约 19%，均高于 SK 海力士的约 13%。报道称，SK 海力士下半年加快转换，四季度或按约 34%超过三星电子约 31%。SK 海力士在二季度业绩电话会上表示，采用 1c 工艺的 DRAM 供应自二季度起实质性展开，下半年将随 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出货增加，比特增长率高于上半年。三星电子自 HBM4 起采用 1c DRAM，运行速度约 11.7Gbps；SK 海力士此前以已验证的 1b DRAM 与先进 MR-MUF 封装优先保障量产稳定性，自下一代 HBM4E 起首次将 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等预计，今年英伟达、谷歌、AMD 合计口径下 HBM4 市场份额约为 SK 海力士 50% 中段、三星电子 20% 后段、美光 10% 后段。

ChainCatcher 消息，韩国央行表示，得益于三星电子和 SK 海力士积极扩建国内生产设施，韩国在存储芯片产能方面的领先优势预计将进一步扩大。韩国央行预计到 2028 年投产的新芯片工厂将使韩国每月晶圆产能增加约 60 万片。

ChainCatcher 消息，据电子新闻 9 月 3 日报道，美光计划将高带宽内存 HBM 产能较去年扩大一倍，今年年底前最多新增月产能 6 万片晶圆。知情人士称，去年美光 HBM 产量约月产 4 万至 5 万片，年底有望达到约月产 10 万片规模，以缩小与三星电子、SK 海力士的差距。美光正增加对多家 HBM 设备商的采购订单，生产基地主要在中国台湾与新加坡晶圆厂，持续导入设备。目前产量以 HBM3E 12 层为主，今年初 HBM4 12 层占比约 20% 至 30%，年底或升至最高 50%。HBM4 12 层将用于英伟达最新 AI 加速器 Vera Rubin，美光自今年二季度起量产该产品。美光 CEO 梅赫罗特拉今年 6 月在 2026 财年三季度业绩会上表示，HBM4 12 层量产爬坡速度约为 HBM3E 12 层的两倍，HBM4 累计出货营收已超 10 亿美元。业界认为三星、SK 海力士各自 HBM 产能约月产 15 万至 20 万片。Counterpoint 数据显示，今年二季度全球 HBM 市占率 SK 海力士 50%、三星 32%、美光 18%。美光还在日本广岛筹备相关投资。

ChainCatcher 消息，韩国国有电力公司韩国电力正与三星电子和 SK 海力士洽谈一项数十亿美元规模的电费预付款计划，以筹集资金建设新半导体产业集群所需的电网。根据目前方案，三星电子将预付 20 万亿韩元，SK 海力士预付 5 万亿韩元，合计 25 万亿韩元，约相当于未来 5 年的电费。韩国电力在一份声明中表示，大规模电费预付款制度，是急需扩建电网的企业与需要投资资金的韩国电力相互满足需求的一种机制。包括预付款金额和覆盖期限在内的具体细节尚未最终确定。

ChainCatcher 消息，据韩国《首尔经济》8 月 31 日报道，AI 加速器所用 HBM 与 DRAM 价格持续高涨。韩国贸易协会数据显示，DRAM 出口量由 5 月约 6.817 亿个降至 7 月 5.9174 亿个，下降 13.2%，出口额则由 114.28 亿美元增至 135.52 亿美元，增长 18.5%，出口单价由 16.76 美元升至 22.9 美元，上涨 36.6%。HBM4 向英伟达等客户供应扩大，且初期良率低于 HBM3E，加剧整体 DRAM 供应短缺。三星电子内存事业部据称将至 2031 年约 70% 产能分配给长期供应协议，主要对象包括英伟达、微软、谷歌。Mega Grid Supply 数据显示，HBM3E 36GB 现货价 2100 美元，约为长期协议价的 4 至 5 倍；正在量产协调的 HBM4 16 层现货价约 3500 美元。金融投资界预计三星电子三季度营收 206.64 万亿韩元、营业利润 116.38 万亿韩元，营业利润将首次突破 100 万亿韩元。SK 海力士三季度营收预计 101.76 万亿韩元、营业利润 79.16 万亿韩元。三星电子正考虑最早明年将平泽园区唯一晶圆代工产线 S5 转为内存生产。

ChainCatcher 消息，今日韩股半导体概念股承压回落，相关资产市场交投仍然活跃。据 Gate 平台数据，SK 海力士（000660）现报 1,175.12 美元，24 小时跌幅为 2.11%；三星电子（005930）现报 183.02 美元，24 小时跌幅为 1.94%。据 CoinGlass 数据显示，SKHYNIX 与 SAMSUNG 合约市场交投活跃，两项标的合约持仓量分别增长 4.03% 和 7.30%，合约成交额分别增长 451.63% 和 1069.65%。Gate 相关股票衍生品中，SKHX 合约持仓额达 1.80 亿美元，居全网第二，24 小时成交额达 1.80 亿美元；SAMSUNG 合约持仓额达 814 万美元，居全网第二，24 小时成交额达 594 万美元。

ChainCatcher 消息，据 Citrini 分析师 Jukan 爆料，SK 海力士正着手多元化高带宽存储器（HBM）所用基底芯片的代工厂供应商，这些 HBM 是通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成的。据悉，该公司正考虑将第七代 HBM 即 HBM4E 的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂。到目前为止，SK 海力士一直完全依赖台积电进行外包基底芯片生产。此举被视为建立多供应商代工策略的努力，以减少供应链对台积电的集中度，同时增强 SK 海力士在定价方面的议价能力。根据行业消息人士 8 月 31 日的说法，SK 海力士正在推进一项计划，即 HBM4E 的基底芯片可能由台积电和英特尔共同制造，最早可能从 HBM4E 世代开始。由于市场预计 HBM4E 的基底芯片成本负担将进一步增加。由于 HBM 产品主要受长期供应协议（LTA）覆盖，SK 海力士也难以立即通过提高产品价格将更高的代工成本转嫁给客户。因此，行业观察人士认为，如果英特尔最终加入 SK 海力士的基底芯片供应链，该公司将在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。