三星电子

ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，韩国《中央日报》报道，其取得的三星电子部长出身、前长鑫存储（CXMT）设备投资负责人全某的陈述书显示，CXMT 前 CEO 王宁国曾于 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韩国团队，要求带回三星电子工艺配方计划（PRP）及设备信息，并称若不带回将向韩国政府举报，还警告对方有核实人脉、不要说谎。全某称当时感到害怕。报道称，CXMT 管理层当时以“黄山”作为三星电子的代号。全某在三星电子工作 28 年后加入 CXMT，因涉嫌未经授权泄露并使用三星投入 1.6 万亿韩元、当时全球率先开发的 18 纳米 DRAM 工艺被起诉，今年 4 月一审被判 7 年有期徒刑，目前处于二审。PRP 包含 DRAM 制造约 600 个步骤的顺序、设备、条件值及设备公司与型号。三星工艺设计工程师出身的朴某于 2016 年 9 月将相关内容手抄在 12 页笔记中带出，目前处于国际刑警组织红色通报状态。全某在庭审中陈述，与中国方面沟通时出现过做不出 18 纳米就不向 CXMT 提供投资的说法，并称后来得知对方从一开始就想要该技术，CXMT 起初并无自行开发打算。上述施压发生在为申请投资准备会议之前。CXMT 于 2016 年由合肥市政府下属合肥产业投资出资 144 亿人民币设立，约 10 年未盈利，去年首次年度盈利，净利润 71 亿人民币。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日报道，三星电子正加快平泽第五园区（P5）首条量产线（Ph1）建设，并与主要设备厂商讨论将 Ph1 设备搬入目标从原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投产为目标的下一代半导体生产基地，今年三季度已开始建设 Ph1 洁净室。三星电子此前已将原定明年初完成的 P5 Ph1 洁净室建设提前约 6 个月，设备导入因此预计在明年三季度左右。业内人士称，设备搬入开始时间拟从明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前后；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付设备、由其他地点暂存，显示其提前投资意愿较强。P5 第二阶段（Ph2）投资讨论也在推进。目前 Ph1 更可能建设为 DRAM 与 HBM 产线，Ph2 则更可能建设为包括第十代（V10）在内的先进 NAND 产线。设备业人士称，正式采购订单尚未下达，但三星已与合作方讨论将 Ph2 建成 NAND 产线，并因设备交付周期较长，要求提前备妥相关零部件。报道称，全球大型科技公司增加 AI 基础设施用高性能 DRAM 与 NAND 订单，而三星等存储企业产能有限。三星在 7 月二季度业绩电话会上曾表示，今年未能满足的需求将延至明年，明年供应短缺将比今年更严重，并预计短缺将持续至 2028 年。

ChainCatcher 消息，半导体分析机构 Kernel Insight：人工智能需求推动 DRAM 价格维持历史高位，最新工艺 DRAM 的单位面积销售价值已高于台积电 N2、N3 晶圆价格。该机构将台积电 300 毫米 N3 晶圆价格估为 2 万美元、N2 为 3 万美元，折合名义价格分别约为每平方毫米 0.283 美元和 0.424 美元，未计入边缘损耗、切割损耗及良率与缺陷。按每 Gb 1.50 美元及世代比特密度计算，1y DRAM 为每平方毫米 0.329 美元，1z 为 0.410 美元，1b 为 0.654 美元，较 N2 高出 50% 以上。10 纳米级工艺按 1y、1z、1a、1b 的顺序逐步微缩。上述每 Gb 价格假设接近现货，DRAMeXchange 数据显示，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 芯片平均成交价为 24.80 美元，约合每 Gb 1.55 美元。比较口径存在差异。台积电数字是客户支付的晶圆代工价格，DRAM 数字是成品销售的总销售潜力，且未计入先进封装成本；台积电实际供货价会随订单量与合约变化。DRAM 指标基于小额现货价格，不同于三星电子、SK 海力士、美光营收主体的长期合约价格。非公开固定交易价格近期走强，若尚未完全反映到现货价格，存储厂商晶圆单位价格的领先幅度可能更大。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星电子计划明年将第六代高带宽存储器 HBM4 与第七代 HBM4E 等 HBM4 系列产量较今年至少扩大一倍以上。该公司拟将 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃载体外协清洗量，由今年每月 2 万片增至明年每月 5 万片，较今年增加 2.5 倍。去年该载体月需求约 1 万片，今年已较去年翻倍。三星电子重点扩产的 HBM4 与 HBM4E 以 12 层及以上高堆叠产品为主。该公司今年 2 月开始量产出货采用第六代 10 纳米级（1c）DRAM 与 4 纳米工艺基底芯片的 HBM4，5 月向英伟达等客户提供 HBM4E 12 层样品。业界预计，以月均晶圆投入计，三星电子 HBM 产能将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片，增幅近 40%；HBM4 系列出货占比或由今年约 40% 升至明年约 80%。

ChainCatcher 消息，三星电子上月聘用前财政经济部外汇制度课长李熙坤为 IR 团队常务。李熙坤曾担任外汇制度课长、资金市场政策课长等职，负责外汇制度及海外投资应对，今年 4 月参与韩国纳入世界国债指数工作并获特别表彰，预计负责海外投资者及全球资本市场应对。SK 海力士上月聘用前财政经济部战略经济总括课长郑汝珍为传播总括下属副社长。郑汝珍曾任气候环境预算课长、经济副总理秘书官、外汇制度课长、外汇资金课长等职。两家公司正推进美国生产投资，三星电子计划投入 370 亿美元在得克萨斯州泰勒建设晶圆代工厂，SK 海力士计划投入 40 亿美元在印第安纳州建设先进封装工厂。

ChainCatcher 消息，三星电子在美国得克萨斯州泰勒的代工厂开始为特斯拉提供 AI5 芯片的原型生产。由于 AI 芯片需求激增，三星提前了原型产量以进行良率验证，计划今年年底完成大规模生产验证，并于明年全面供应。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 15 日报道，三星电子与 SK 海力士三季度营业利润共识在三个月内再次上调。综合主要券商与海外投行报告，三星电子三季度营业利润预估约 114 万亿韩元，较三个月前的 101.9052 万亿韩元上调 12.2836 万亿韩元（12%），较二季度 89.4 万亿韩元增长 28%。SK 海力士三季度预估为 78.8035 万亿韩元，较三个月前的 75.7249 万亿韩元上调 4%，较二季度 60.5426 万亿韩元增长 30%。TrendForce 预计三季度通用 DRAM 固定交易价格环比上涨 13% 至 18%，NAND 闪存上涨 10% 至 15%。证券界关注三星电子 HBM4 营收占比由一季度 5% 扩大至二季度约 35%，且良率改善。SK 海力士维持 HBM 市场份额第一，但三星 HBM4 量产改善或稀释其供应溢价。花旗证券因韩元走强将 SK 海力士三季度营业利润预估由 76.7 万亿韩元下调至 74 万亿韩元。美光将于 30 日公布 2026 财年第四季度（6 月至 8 月）业绩，营收指引为 490 亿至 510 亿美元。

ChainCatcher 消息，韩国央行在近日发布的《2026 年 9 月货币信贷政策报告》中复盘了今年以来韩国综合股价指数（KOSPI）的波动原因。报告显示，随着 KOSPI 不断攀升，三星电子和 SK 海力士对指数上涨的贡献率迅速提高。尤其是在 KOSPI 今年 6 月从 8000 点冲至 9000 点的过程中，两只股票对指数涨幅的贡献率高达 99%。

ChainCatcher 消息，据 The Bell 报道，三星电子代工业务部门与高通就应用处理器代工生产合同因生产单价分歧而延迟，双方未能缩小价格差距，谈判持续拉长。技术层面未出现重大问题，当前讨论的 2 纳米工艺已获相当程度稳定化评价。行业消息称，采用三星 2 纳米工艺的高通 AP 代工可能推迟至明年，年内能否投产亦不明确。高通曾在 2021 年前将先进 AP 交由三星代工，三星近年持续争取重新获得该业务，并已先后拿下特斯拉、博通等客户。知情人士表示，合同延迟使三星年内为高通生产 AP 变得困难，双方或转向下一代产品再议。三星在获得战略客户后，不再像以往那样接受低价订单。

ChainCatcher 消息，KB 证券 9 月 11 日发布报告指出，三星电子 HBM 市场份额有望从第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益于 HBM4 第三季度销量环比增长超过三倍，且下半年 HBM4 预计占其 HBM 总销售额的 60% 以上。三星电子已确立 HBM4 全面量产、向核心客户供应 HBM4E 样品、采用 1c 核心裸片与 2 纳米基础裸片的 HBM5 架构以及下一代 ZHBM 的路线图。其代工业务方面，4 纳米良率稳定在 80% 以上，2 纳米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 证券分析师 Kim Dong-Won 表示，代工业务自第三季度起有望扭亏为盈，2 纳米良率年内或助其斩获美国大客户订单。

ChainCatcher 消息，据科创板日报报道，三星电子已着手开发其首款配备显示屏的 AI 眼镜。该产品不仅能提供音频功能，还能在镜片上显示彩色视觉信息，与 Meta Ray-Ban Display 智能眼镜类似。业内人士透露，三星电子正在考虑为 AI 眼镜研发尺寸仅为 0.2 英寸或更小的超小型屏幕，并于上个月将该研发任务交给三星显示，提出了关于产品外形尺寸、信息显示面积、颜色和价格等方面的要求。三星电子目前对 OLEDoS 或 LEDoS 等候选面板方案展开评估，业内预计该产品将在 2027 年下半年或 2028 年上半年发布。目前该眼镜具体细节并未敲定。色彩显示方面，三星电子预计将采用 4 位色彩的有限灰阶，而非高清屏幕，且尚未决定采用双目式还是单目式设计。业内人士表示，RGB OLEDoS 在价格和良率方面面临挑战，很可能会推出白色 OLEDoS 面板。三星此前发布过没有显示屏的 AI 眼镜，由三星电子、谷歌、Gentle Monster 和 Warby Parker 联合开发。

ChainCatcher 消息，9 月 8 日，韩股半导体概念股涨跌互现，相关资产市场交投保持活跃。据 Gate 平台数据，SK 海力士（000660）现报 1,332.38 美元，24 小时涨幅为 0.56%；三星电子（005930）现报 200.26 美元，24 小时跌幅为 0.18%。据 CoinGlass 数据显示，SKHYNIX 与 SAMSUNG 合约市场均有较高交易活跃度。其中，Gate 相关股票衍生品交易活跃：SKHX 合约持仓额近 1.58 亿美元，居全网第二，24 小时成交额近 1.77 亿美元；SAMSUNG 合约持仓额达 951 万美元，24 小时成交额达 1,580 万美元，两项排名均位居全网第二。

ChainCatcher 消息，法国人工智能公司 Mistral AI 宣布完成 30 亿欧元 D 轮融资，投后估值超过 210 亿欧元。公司称，这是欧洲科技公司迄今规模最大的股权融资。三星电子领投，EQT 管理的 Scaleup Europe Fund 和现有投资者 PSG Equity 共同领投。新投资者包括 Advent、贝莱德管理的基金及账户，以及卢森堡大公国。a16z、ASML、Belfius、BNP Paribas CIB、Bpifrance、Carmignac、DST Global、Eurazeo、General Catalyst、Headline、Hillspire、Index Ventures、Korelya Capital、Lightspeed、英伟达、Phoenix Court 旗下 Solar Fund（包括 LocalGlobe、Latitude 和 Solar）以及 Salesforce Ventures 等现有投资者继续参投。资金将用于前沿模型研究、算力与基础设施扩张，以及商业化和国际市场拓展。Mistral AI 目前业务覆盖 20 个国家，服务超过 125 家企业，包括 Airbus、ASML 和 HSBC。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 7 日报道，SK 海力士正在加快提高 10 纳米级第六代（1c）DRAM 生产占比。业内数据显示，其 1c DRAM 占比由今年一季度约 10%升至二季度约 13%，三季度有望达约 24%，四季度约 34%；明年一季度或升至约 35%，首次超过 1b（约 33%）并成为主力工艺。1b（10 纳米级第五代）DRAM 占比在今年二季度约 43%见顶后转为下降。二季度末，三星电子 1c 占比约 16%、美光约 19%，均高于 SK 海力士的约 13%。报道称，SK 海力士下半年加快转换，四季度或按约 34%超过三星电子约 31%。SK 海力士在二季度业绩电话会上表示，采用 1c 工艺的 DRAM 供应自二季度起实质性展开，下半年将随 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出货增加，比特增长率高于上半年。三星电子自 HBM4 起采用 1c DRAM，运行速度约 11.7Gbps；SK 海力士此前以已验证的 1b DRAM 与先进 MR-MUF 封装优先保障量产稳定性，自下一代 HBM4E 起首次将 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等预计，今年英伟达、谷歌、AMD 合计口径下 HBM4 市场份额约为 SK 海力士 50% 中段、三星电子 20% 后段、美光 10% 后段。

ChainCatcher 消息，据韩媒 Greened.kr 报道，三星电子联合 Arm 正式启动端侧 AI 芯片的联合研发。Arm 已于 8 月底批准拨付用于开发下一代端侧 AI SoC 芯片的一次性工程费用，并与三星电子正式启动该项目。该项目采用由 Arm 提供核心技术、三星电子据此进行整合落地的合作模式，旨在共同开发面向终端客户交付的定制化芯片。

ChainCatcher 消息，韩国央行表示，得益于三星电子和 SK 海力士积极扩建国内生产设施，韩国在存储芯片产能方面的领先优势预计将进一步扩大。韩国央行预计到 2028 年投产的新芯片工厂将使韩国每月晶圆产能增加约 60 万片。

ChainCatcher 消息，据钜亨网报道，三星电子率先调高部分先进与成熟制程报价后，市场预期台积电也将跟进，旗下各制程价格可能全面上调 10% 至 15%。根据 TrendForce 与野村证券报告，台积电今年年中已与客户完成新一轮价格协商，调涨下半年供需吃紧的部分 3 纳米 N3 制程最高 15%。市场进一步预期，最晚至 2027 年初，台积电 N2、N3 及 N5 等先进制程价格还可能再调升 5% 至 10%。台积电 N2 与 N3 产能几乎已被苹果与辉达预订。连续 3 年未调价的 N12、N16 及 N28 等成熟制程，价格也可能同步调升，最高涨幅约 10%。里昂证券预估，台积电 2027 年资本支出将达 800 亿美元，2028 年进一步增加至 900 亿美元，今年资本支出已上调至 520 亿至 560 亿美元。台积电 7 月宣布扩大美国投资至 2650 亿美元。据路透报道，三星 7 月已调高部分先进制程新订单价格，其中 4 纳米 SF4 针对中国与美国客户涨幅达 10% 至 15%。