晶圆代工

ChainCatcher 消息，供应链人士称，台积电晶圆代工价格确定再涨，并已确定自 2027 年 1 月起按不同制程调整 Wafer Out 价格，涨幅约 3% 至 6%。8 吋厂产能利用率超过 100%，45 奈米以下制程满载，订单能见度已至 2030 年。先进制程涨幅较高，成熟及特殊制程则依产品、稼动率及客户状况个别议价，台积电不回应市场传闻。供应链人士称，台积电 2 奈米、3 奈米供不应求，CoWoS 等先进封装产能吃紧压力未解除，客户即使面对价格上调也不易立即转换供应商。美国亚利桑那州厂反映较高制造成本，代工报价维持高档。调价后，三星电子、英特尔、联电、世界先进等晶圆代工厂，以及封测厂和 IC 设计客户的报价也可能受牵动。联电、力积电、世界先进已宣布涨价策略，涨价将延续至 2027 年。供应链称，此波 AI 需求除 GPU、ASIC 及 HBM 外，也增加 PMIC、MCU、驱动 IC、类比 IC 及传感器等需求。IC 设计业者指出，晶圆价格调高后需重估产品成本，高阶 GPU、ASIC 转嫁空间相对较大。台积电董事长魏哲家曾表示，客户选择晶圆代工伙伴不是今天不满意明天就换一家。供应链称，Google、苹果、NVIDIA 等转单多属非核心芯片或规模有限订单，主要高阶制程客户投片未出现明显变化。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；

ChainCatcher 消息，TrendForce 最新晶圆代工产业研究显示，2026 年第二季度全球前十大晶圆代工厂合计营收环比增长 11.5%，接近 534.9 亿美元，再创纪录。增长主要来自 AI 与 HPC 处理器先进制程持续供不应求，以及 PMIC、功率分立器件等外围 AI 芯片需求上升；电视、PC、笔记本等消费供应链提前备货，也使部分成熟制程产能趋紧。台积电继续领先，二季度营收接近 402 亿美元，环比增长 12.1%，市占率 72.5%。AI 服务器 GPU 与 XPU 需求使其 5/4 纳米及 3 纳米产能满载，新款 iPhone 初期备货亦有贡献，2 纳米首次贡献营收。三星晶圆代工排名第二，营收 32.6 亿美元，环比微增 1.8%，市占率降至 5.9%。中芯国际排名第三，营收超过 30 亿美元，环比大增 20%，市占率升至 5.4%，缩小与三星差距。联电维持第四，营收近 21.8 亿美元，环比增长 12.7%，市占率 3.9%。格芯第五，营收约 17.9 亿美元，环比增长 9.3%，市占率 3.2%。华虹集团第六，营收逾 12.7 亿美元，环比增长 3.5%。Tower、世界先进、晶合集成、力积电分列第七至第十，营收分别为 4.60 亿、4.51 亿、4.47 亿及 4.32 亿美元。

ChainCatcher 消息，据韩国《文化日报》报道，三星电子美国得克萨斯州泰勒晶圆厂预计本月底前后进入试运行，因特斯拉、博通、Arm 等 2 纳米订单持续涌入，投产前产能已接近满载。该厂自 2022 年起累计投资 370 亿美元，计划下月初试运行、明年量产，初期月产能约 5 万片晶圆，接近台积电约 8 万片水平。报道称，泰勒厂将生产特斯拉下一代人工智能芯片 AI5、博通新一代通信芯片及 Arm 智能设备 AI 芯片等。三星 2 纳米良率由今年初约 60% 升至近期约 80%。公司 6 月已向该厂派遣工艺、设备与良率人员，7 月开始安装设备。三星在近期业绩会上预计今年 2 纳米接单量较去年增加一倍以上，并称英伟达推理芯片 Grok3 已于上月开始量产；三星近期还将 4 纳米代工价格上调最多 15%。泰勒二厂计划今年底开工、2030 年量产，三星已要求主要合作商提前完成相关生产设备安全认证，部分合作商正考虑向当地派遣数十名人员。同期，英特尔上月发行约 200 亿美元新股并扩大 2 纳米级 18A 与 1.4 纳米级 14A 投资，日本 Rapidus 上月在北海道完成 2 纳米工厂并进入晶圆试投阶段。

ChainCatcher 消息，三星电子晶圆代工事业部在 4 纳米工艺中，分配给第六代高带宽存储器 HBM4 用基底芯片量产的比重最近突破 50%。业界称，该事业部今年下半年将超过一半的 4 纳米晶圆投入 HBM4 基底芯片制造，以配合向英伟达、博通、AMD 等扩大供应。三星于今年 2 月率先启动 HBM4 量产出货，并计划自第三季度起扩大供应量，自年中起显著增加相关晶圆投入。该芯片基于三星晶圆代工 4 纳米（SF4）工艺。截至上月，其全部 4 纳米产能中超过 50% 已分配给 HBM4 基底芯片。知情人士称，三星 4 纳米目前处于满产，其中 HBM4 基底芯片占比约 50% 至 60%，下半年将维持高占比。三星在平泽 2 厂与 3 厂的晶圆代工产线量产 4 至 7 纳米级工艺，其中 4 纳米产能约每月 3 万片，据此估算 HBM4 基底芯片相关晶圆投入约每月 1.5 万片。三星在第二季度业绩电话会上表示，预计第三季度 HBM4 营收环比扩大 3 倍以上，下半年 HBM4 营收将超过公司整体 HBM 营收的 60%。

ChainCatcher 消息，据钜亨网报道，三星电子率先调高部分先进与成熟制程报价后，市场预期台积电也将跟进，旗下各制程价格可能全面上调 10% 至 15%。根据 TrendForce 与野村证券报告，台积电今年年中已与客户完成新一轮价格协商，调涨下半年供需吃紧的部分 3 纳米 N3 制程最高 15%。市场进一步预期，最晚至 2027 年初，台积电 N2、N3 及 N5 等先进制程价格还可能再调升 5% 至 10%。台积电 N2 与 N3 产能几乎已被苹果与辉达预订。连续 3 年未调价的 N12、N16 及 N28 等成熟制程，价格也可能同步调升，最高涨幅约 10%。里昂证券预估，台积电 2027 年资本支出将达 800 亿美元，2028 年进一步增加至 900 亿美元，今年资本支出已上调至 520 亿至 560 亿美元。台积电 7 月宣布扩大美国投资至 2650 亿美元。据路透报道，三星 7 月已调高部分先进制程新订单价格，其中 4 纳米 SF4 针对中国与美国客户涨幅达 10% 至 15%。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子正加快在美国扩大尖端晶圆代工产能。公司计划于今年年底启动得克萨斯州泰勒晶圆厂二期建设，目标 2030 年量产，并已要求主要设备合作伙伴提前获取 SEMI 认证，以便后续设备导入与出口。SEMI 认证是评估半导体设备安全性的标准，通常为设备出境前的必要程序。泰勒晶圆厂承担三星最先进代工量产任务。一期目前正进行设备进场与安装，目标今年年底投产，主力量产工艺为 2 纳米，特斯拉被视为核心客户。三星在上月二季度业绩电话会上表示，为及时响应客户需求增长，泰勒二期将于今年年底开工。业内人士称，尽管二期具体规格尚未最终确定，三星代工业务已提前推动相关准备。此前三星曾因客户不足与市况疲软多次推迟泰勒一期投资，直至特斯拉于去年三季度与其签订约 22.76 万亿韩元代工协议后建设提速。二期实际量产节奏仍将取决于对特斯拉供货扩大及新增大客户进展。另有消息称，三星 E&A 正考虑向当地派遣数十名建设人员。

ChainCatcher 消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子正调整其器兴园区 NRD-K 2 号产线的原定用途，从研发设施改为晶圆代工产线，主要目标产品为英伟达 HBM 所需的 2nm 基础芯片。该产线预计将于 2028 年下半年启用，采用“Send-Fab”模式，即从其他量产线接收晶圆并代工特定工序。 NRD-K 是三星电子为抢占未来半导体技术而建设的最尖端复合研发园区，总投资约 20 万亿韩元，共规划 3 条产线，其中第 1 条已于 2024 年底竣工。此次调整旨在提前应对 AI 基础设施投资带动的 HBM 需求扩张。三星计划在定制 HBM 及 HBM5 上率先应用 2nm 工艺以保持性能优势。 业内人士指出，NRD-K 2 号线规模相对较小，适合以 Send-Fab 形式运作。但距离产线启用仍有约两年时间，最终用途仍可能根据市场形势再次调整。三星此前曾考虑将该产线用于 DRAM 生产，相关计划在本月被修改后，DRAM 产能将更集中于平泽园区。设备采购订单尚未正式发出。

ChainCatcher 消息，据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子晶圆代工业务 4nm 产线产能已满载至明年，主要受 HBM4 订单激增及英伟达推理用 LPU“Grok3” 超预期订单推动。为应对产能瓶颈，三星正积极向客户推荐已通过验证的 5nm 制程作为替代方案，该工艺原主要面向汽车芯片，现正扩大至服务器及高性能AI/NPU芯片领域。 报道称，近期 3-4个月内5nm客户需求显著增长，主要来自因台积电先进制程供应紧张及地缘政治因素转向的中国及印度Fabless企业。此外，2nm制程的客户咨询也在持续进行中。

ChainCatcher 消息，据《日经亚洲》援引多位知情人士消息报道，台积电 (TSM.N) 计划在 2027 年上调先进及成熟制程芯片的代工价格，涨幅最高可达 10%，以应对材料、制造设备及海外新厂建设成本上涨带来的压力。台积电已与客户就涨价事宜展开磋商，涉及 7 纳米及更先进制程。这部分业务在今年 4 月至 6 月季度贡献了台积电约 77%的营收。 知情人士表示，基础涨价幅度为 5%至 10%，具体取决于客户和产品。对于超出客户原先预测的高性能计算（HPC）芯片新增订单，台积电计划在基础涨价幅度之上再加收 10%至 15%的溢价。因此，部分先进制程芯片订单的整体涨价幅度可能超过 10%。在成熟制程方面（包括 12 纳米、16 纳米、28 纳米等制程以及其他传统工艺），台积电计划最高涨价 10%，但部分产品涨幅将低于这一水平。成熟制程业务在上一季度约占公司营收的 23%。知情人士称，相关谈判于 6 月左右启动，并于 7 月敲定，新价格将于 2027 年初生效。

ChainCatcher 消息，据韩媒报道，三星电子晶圆代工业务正加速扩大其在全球 AI 芯片市场的份额。继去年承接特斯拉 AI 芯片订单后，三星目前正与 Meta 及 Anthropic 推进定制化芯片（ASIC）的生产合作。 据悉，Meta 正与三星洽谈规模超 10 万亿韩元的下一代 ASIC 设计与生产合同。Meta 的第三代 AI 加速器“MTIA”拟从台积电转向采用三星最先进的 2 纳米工艺进行大规模量产，并由三星 System LSI 部门联合进行早期芯片架构设计，以配合其 6 个月一代的快速研发周期。此外，美国 AI 企业 Anthropic 也正评估利用三星的 2 纳米工艺开发专属 ASIC，旨在推进其 AI 基础设施的内部化。 业内人士指出，随着全球科技巨头 AI 芯片订单的集中涌入，加之目前正与比亚迪（BYD）洽谈的车载芯片代工协议，三星晶圆代工业务的中长期订单储备预计将逼近 50 万亿韩元，并有望在今年第四季度实现营业利润的扭亏为盈。