海力士

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，美股周一收盘，道指收跌 0.67%，标普 500 指数跌 0.77%，纳指跌 0.92%。SK 海力士跌 5%，Meta 跌 4.8%，特斯拉跌近 4%，英伟达涨 1.6%。纳斯达克中国金龙指数收涨 1.1%，网易涨近 5%。

ChainCatcher 消息，据韩国《中小企业新闻》9 月 28 日报道，相关业界人士称，SK 海力士已在日本东北地区启动半导体工厂设立所需的基础工程。一名相关人士表示，目前尚不清楚该项目是独立工厂还是与铠侠的合资工厂，但当地正在推进地基工程，SK 海力士也已要求韩国国内零部件企业扩大供应。报道称，截至一个月前，SK 海力士对在日本建设存储半导体工厂的表态仍是“正在研究”，并称“没有具体决定事项”。针对此次消息，SK 海力士方面表示，日本存储半导体工厂目前仍处于研究阶段，没有进一步推进的事项。报道还提到，SK 集团会长崔泰源今年 8 月曾表示正在研究在日本建设存储半导体合资工厂，东北地区随后被视为有力候选地。日本东北及岩手县已聚集铠侠北上工厂、Japan Semiconductor、安靠科技、电装和东京电子等半导体及材料零部件企业。

ChainCatcher 消息，美光科技将于 9 月 30 日公布财年第四季度业绩。英伟达 CFO Colette Kress 在 8 月 26 日财年第二季度电话会议上表示，公司看到“内存极端定价条件”，价格涨幅已超出先前预期，并“将在明年进一步走高”。定价压力已体现在英伟达利润率上，Kress 指引毛利率在第四季度触底至 71%-72% 区间，随后在财年 2028 年回升至 72%-73%。Kress 表示当前内存短缺在很大程度上由 AI 建设本身驱动。SK 海力士预计内存市场最早到 2030 年才能达到供需平衡，并已投入约 383 亿美元通过 2031 年扩建韩国国内两个基地。SK 海力士持有约 50% 高带宽内存市场份额，领先于三星的 33% 和美光的 18%。

ChainCatcher 消息，三星电子上月聘用前财政经济部外汇制度课长李熙坤为 IR 团队常务。李熙坤曾担任外汇制度课长、资金市场政策课长等职，负责外汇制度及海外投资应对，今年 4 月参与韩国纳入世界国债指数工作并获特别表彰，预计负责海外投资者及全球资本市场应对。SK 海力士上月聘用前财政经济部战略经济总括课长郑汝珍为传播总括下属副社长。郑汝珍曾任气候环境预算课长、经济副总理秘书官、外汇制度课长、外汇资金课长等职。两家公司正推进美国生产投资，三星电子计划投入 370 亿美元在得克萨斯州泰勒建设晶圆代工厂，SK 海力士计划投入 40 亿美元在印第安纳州建设先进封装工厂。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，韩国 SK 海力士正与英特尔洽谈一项交易，拟首次在美国本土生产存储芯片。其中一种可能方案是 SK 海力士租用英特尔在俄亥俄州筹划已久的芯片制造设施的一部分；另一种方案是与英特尔及急于锁定存储芯片供应的主要云服务公司成立合资企业。交易将缓解英特尔的压力，并成为特朗普政府的一大胜利。但消息人士称，韩国方面的潜在反对可能是一大障碍，因为这些技术被视为敏感。一名消息人士称谈判尚属探索性，强调尚未作出决定。若达成协议，SK 海力士可能在俄亥俄州生产何种芯片也尚不清楚。其产品线包括用于服务器、PC 和智能手机的 DRAM，以及提供长期存储的 NAND 闪存，同时也是 AI 处理器所用高带宽存储（HBM）的领先供应商。

ChainCatcher 消息，SK 海力士与其工会已就绩效奖金达成协议。根据协议，奖金的 50% 将以现金支付，其余 50% 将以公司股票支付。SK 海力士原本计划以现金支付全部绩效奖金。这意味着公司现在需要回购相当于奖金总额至少 50% 的股票。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 15 日报道，三星电子与 SK 海力士三季度营业利润共识在三个月内再次上调。综合主要券商与海外投行报告，三星电子三季度营业利润预估约 114 万亿韩元，较三个月前的 101.9052 万亿韩元上调 12.2836 万亿韩元（12%），较二季度 89.4 万亿韩元增长 28%。SK 海力士三季度预估为 78.8035 万亿韩元，较三个月前的 75.7249 万亿韩元上调 4%，较二季度 60.5426 万亿韩元增长 30%。TrendForce 预计三季度通用 DRAM 固定交易价格环比上涨 13% 至 18%，NAND 闪存上涨 10% 至 15%。证券界关注三星电子 HBM4 营收占比由一季度 5% 扩大至二季度约 35%，且良率改善。SK 海力士维持 HBM 市场份额第一，但三星 HBM4 量产改善或稀释其供应溢价。花旗证券因韩元走强将 SK 海力士三季度营业利润预估由 76.7 万亿韩元下调至 74 万亿韩元。美光将于 30 日公布 2026 财年第四季度（6 月至 8 月）业绩，营收指引为 490 亿至 510 亿美元。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，美光科技 (MU.O) 盘前跌幅扩大至 6%，SK 海力士 (SKHY.O) 跌 7.5%。

ChainCatcher 消息，韩国央行在近日发布的《2026 年 9 月货币信贷政策报告》中复盘了今年以来韩国综合股价指数（KOSPI）的波动原因。报告显示，随着 KOSPI 不断攀升，三星电子和 SK 海力士对指数上涨的贡献率迅速提高。尤其是在 KOSPI 今年 6 月从 8000 点冲至 9000 点的过程中，两只股票对指数涨幅的贡献率高达 99%。

ChainCatcher 消息，据外媒报道，三星电子和 SK 海力士拒绝了韩国电力公社提出的一项预缴电费方案，该方案原本要求两家公司提前支付电费，为新建科技集群供电的电网建设提供资金。亚洲各地资金紧张的公用事业公司正难以跟上半导体和人工智能行业日益增长的需求。韩国电力公社的方案据当地媒体估计合计 25 万亿韩元，相当于五年的电费账单。韩国电力公社发言人通过短信表示：“两家公司最终拒绝了韩国电力公社的提议。”据当地媒体报道，这两家芯片制造商担心当前半导体繁荣能否持续未来五年存在不确定性。

ChainCatcher 消息，据日经亚洲报道，中国芯片制造商长鑫存储（CXMT）在利润率方面已领先全球竞争对手，超越 SK 海力士和美光。该公司利用商品级 DRAM 供应紧张的局面，在第二季度占据优势。长鑫存储的主要产品包括 DDR5 内存，近几个月价格出现上涨。报道称，这一情况出现在由韩国、美国和日本供应商主导的存储芯片行业。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，美股周三收盘，道指收跌 0.77%，标普 500 指数跌 0.48%，纳指跌 0.64%。苹果跌 0.2%，SK 海力士涨 7%，AMD 涨 3%，Meta Platforms 涨 6.5%。纳斯达克中国金龙指数收跌 2.08%，阿里巴巴跌 2.8%，爱奇艺跌 5%。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 9 日表示，下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。此前一日，该公司在利川园区 Supex 中心举行的 2026 SK 海力士未来论坛上，副社长金庆勋、孙浩英提出 3D DRAM 主要技术方向，包括 DRAM 外围电路采用逻辑代工工艺、最大化数据总线带宽、超短距离传输等。3D DRAM 是将原先平面铺设的存储单元垂直堆叠以提高集成度的下一代 DRAM。两人表示，实现该技术除设计与发热问题外，还需一并解决微细互连、键合、工艺整合等封装领域难题。随着前道与后道封装、代工与存储器技术边界趋近，超越既有领域的共同优化将更重要。孙浩英称，3D 技术正在改变晶圆厂与封装的技术边界，需与先进封装技术创新一起，建立超越既有领域的优化与新协作体系。同主题发表的高丽大学教授申昌焕表示，3D DRAM 不仅是芯片垂直堆叠，更是打破存储器与逻辑边界的技术；随着器件微细化接近极限、系统与存储器间数据移动带来的时间与功耗增加，转向 3D 技术不可避免，并提议以人工智能联动材料、器件、封装、架构四领域的 3D 集成设计框架。SK 海力士社长郭鲁正在致辞中称，过去存储器市场像比谁跑得更快的直线道路，现在则像时刻变化的弯道，除内部能力外，把握外部环境变化速度与方向并灵活适应也很重要。

ChainCatcher 消息，据彭博社报道，铠侠控股最高负责人否认与竞争对手及股东 SK 海力士建立更紧密合作关系的可能性，并表示将控制存储芯片价格快速上涨，以避免影响人工智能领域的长期需求。当前，存储芯片厂商正为满足人工智能服务商激增的订单扩大产能，推动相关芯片价格出现显著上涨。部分投资者认为，制造合作关系或有助于降低大规模资本支出的风险。

ChainCatcher 消息，韩国券商 KB Securities 警告，三星电子和 SK 海力士的存储半导体库存已降至不足 10 天供应量，明年可用供应将明显不足。该机构周一报告指出，人工智能基础设施投资以前所未有的速度扩张，存储芯片市场面临严重供应短缺。关键因素是向 HBM4 过渡，HBM4 所需晶圆约为传统 DRAM 的三倍，晶圆产能有限将减少传统 DRAM 可用产能。KB Securities 预计明年 DRAM 和 NAND 需求将超过供应 10 个百分点以上。研究主管 Kim Dong-won 表示，人工智能服务器将消耗 HBM、服务器 DDR5 和企业级固态硬盘，可能导致历史性短缺。全球超大规模数据中心运营商将明年人工智能基础设施投资预期上调至 1.3 万亿美元，较上年增长 60%。该机构预计明年存储半导体将占人工智能基础设施总投资的 57%，高于去年的 14%，TrendForce 预计这一比例可能高达 68%。三星电子股价较高点跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 7 日报道，SK 海力士正在加快提高 10 纳米级第六代（1c）DRAM 生产占比。业内数据显示，其 1c DRAM 占比由今年一季度约 10%升至二季度约 13%，三季度有望达约 24%，四季度约 34%；明年一季度或升至约 35%，首次超过 1b（约 33%）并成为主力工艺。1b（10 纳米级第五代）DRAM 占比在今年二季度约 43%见顶后转为下降。二季度末，三星电子 1c 占比约 16%、美光约 19%，均高于 SK 海力士的约 13%。报道称，SK 海力士下半年加快转换，四季度或按约 34%超过三星电子约 31%。SK 海力士在二季度业绩电话会上表示，采用 1c 工艺的 DRAM 供应自二季度起实质性展开，下半年将随 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出货增加，比特增长率高于上半年。三星电子自 HBM4 起采用 1c DRAM，运行速度约 11.7Gbps；SK 海力士此前以已验证的 1b DRAM 与先进 MR-MUF 封装优先保障量产稳定性，自下一代 HBM4E 起首次将 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等预计，今年英伟达、谷歌、AMD 合计口径下 HBM4 市场份额约为 SK 海力士 50% 中段、三星电子 20% 后段、美光 10% 后段。

ChainCatcher 消息，韩国国有电力公司韩国电力正与三星电子和 SK 海力士洽谈一项数十亿美元规模的电费预付款计划，以筹集资金建设新半导体产业集群所需的电网。根据目前方案，三星电子将预付 20 万亿韩元，SK 海力士预付 5 万亿韩元，合计 25 万亿韩元，约相当于未来 5 年的电费。韩国电力在一份声明中表示，大规模电费预付款制度，是急需扩建电网的企业与需要投资资金的韩国电力相互满足需求的一种机制。包括预付款金额和覆盖期限在内的具体细节尚未最终确定。

ChainCatcher 消息，今日韩股半导体概念股承压回落，相关资产市场交投仍然活跃。据 Gate 平台数据，SK 海力士（000660）现报 1,175.12 美元，24 小时跌幅为 2.11%；三星电子（005930）现报 183.02 美元，24 小时跌幅为 1.94%。据 CoinGlass 数据显示，SKHYNIX 与 SAMSUNG 合约市场交投活跃，两项标的合约持仓量分别增长 4.03% 和 7.30%，合约成交额分别增长 451.63% 和 1069.65%。Gate 相关股票衍生品中，SKHX 合约持仓额达 1.80 亿美元，居全网第二，24 小时成交额达 1.80 亿美元；SAMSUNG 合约持仓额达 814 万美元，居全网第二，24 小时成交额达 594 万美元。

ChainCatcher 消息，据 Citrini 分析师 Jukan 爆料，SK 海力士正着手多元化高带宽存储器（HBM）所用基底芯片的代工厂供应商，这些 HBM 是通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成的。据悉，该公司正考虑将第七代 HBM 即 HBM4E 的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂。到目前为止，SK 海力士一直完全依赖台积电进行外包基底芯片生产。此举被视为建立多供应商代工策略的努力，以减少供应链对台积电的集中度，同时增强 SK 海力士在定价方面的议价能力。根据行业消息人士 8 月 31 日的说法，SK 海力士正在推进一项计划，即 HBM4E 的基底芯片可能由台积电和英特尔共同制造，最早可能从 HBM4E 世代开始。由于市场预计 HBM4E 的基底芯片成本负担将进一步增加。由于 HBM 产品主要受长期供应协议（LTA）覆盖，SK 海力士也难以立即通过提高产品价格将更高的代工成本转嫁给客户。因此，行业观察人士认为，如果英特尔最终加入 SK 海力士的基底芯片供应链，该公司将在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。