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ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，卫星通信基础设施公司 Space Network 与菲律宾基础设施公司 HQ Company International Holdings 签署 5000 万美元具有约束力的预购协议，将通过低轨卫星网络 Freeport 向菲律宾提供卫星连接。签约仪式在首尔 SKY 31 举行，Space Network 首席执行官 Tae Lim Oh 与 HQ Company 首席执行官 Yongsoo Samuel Cho 出席。根据协议，Space Network 提供 Freeport 网络接入、技术硬件、软件及持续工程支持，HQ Company 负责当地销售、客户获取、频谱授权与区域服务落地。Cho 为菲律宾前总统 Fidel V. Ramos 的孙女婿，长期在菲律宾从事跨境投资与基础设施业务。该协议叠加 Space Network 于 2026 年 6 月与越南 DETI Technology 签署的 1 亿美元协议后，商业预购总额达到 1.5 亿美元。Freeport 由 Space Network 建设并运营，目前有 4 颗低轨卫星，计划在 2029 年商业服务启动时扩至约 230 颗。运营商可购买区域容量并在开放网络上自建服务，节点通过链上合约结算。相关项目 Spacecoin 将区块链协议与低轨卫星结合，用于该网络中的服务计价与支付。

ChainCatcher 消息，马斯克预计星舰明年将达到每周或每两周一次的发射频率。

ChainCatcher 消息，SpaceX 新一代航天器 “星舰” 在第 14 次无人测试飞行中发生发动机故障，可能影响 NASA 的载人登月任务时间表。星舰是 NASA 竞标选用的两款航天器之一，计划于 2028 年执行载人登月任务。尽管在得州发射的测试任务中完成多项目标，但推进系统故障导致任务提前结束。

ChainCatcher 消息，韩国《中央日报》报道，其取得的三星电子部长出身、前长鑫存储（CXMT）设备投资负责人全某的陈述书显示，CXMT 前 CEO 王宁国曾于 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韩国团队，要求带回三星电子工艺配方计划（PRP）及设备信息，并称若不带回将向韩国政府举报，还警告对方有核实人脉、不要说谎。全某称当时感到害怕。报道称，CXMT 管理层当时以“黄山”作为三星电子的代号。全某在三星电子工作 28 年后加入 CXMT，因涉嫌未经授权泄露并使用三星投入 1.6 万亿韩元、当时全球率先开发的 18 纳米 DRAM 工艺被起诉，今年 4 月一审被判 7 年有期徒刑，目前处于二审。PRP 包含 DRAM 制造约 600 个步骤的顺序、设备、条件值及设备公司与型号。三星工艺设计工程师出身的朴某于 2016 年 9 月将相关内容手抄在 12 页笔记中带出，目前处于国际刑警组织红色通报状态。全某在庭审中陈述，与中国方面沟通时出现过做不出 18 纳米就不向 CXMT 提供投资的说法，并称后来得知对方从一开始就想要该技术，CXMT 起初并无自行开发打算。上述施压发生在为申请投资准备会议之前。CXMT 于 2016 年由合肥市政府下属合肥产业投资出资 144 亿人民币设立，约 10 年未盈利，去年首次年度盈利，净利润 71 亿人民币。

ChainCatcher 消息，据华尔街日报报道，三星向由 KKR 和英伟达支持的人工智能基础设施公司 Helix Digital 投资 10 亿美元，该投资将使 Helix Digital 的总资本承诺额超过 110 亿美元。

ChainCatcher 消息，SpaceX 表示星舰正从太空返回地球。

ChainCatcher 消息，SpaceX (SPCX.O) 已与所有 26 颗 V3 卫星建立连接。

ChainCatcher 消息，SpaceX (SPCX.O) 星舰正在部署星链卫星。

ChainCatcher 消息，SpaceX (SPCX.O) 宣布星舰超级重型助推器按计划成功溅落。

ChainCatcher 消息，SpaceX (SPCX.O) 宣布超级重型火箭按计划与星舰分离。

ChainCatcher 消息，SpaceX 预计于周一首次将其巨型星舰送入轨道，进行可能持续近 10 小时的测试飞行。此次任务将搭载 26 颗升级版星链卫星，计划将其部署至轨道并纳入现有太空互联网网络。若成功，将为更多轨道飞行任务铺平道路。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日报道，三星电子正加快平泽第五园区（P5）首条量产线（Ph1）建设，并与主要设备厂商讨论将 Ph1 设备搬入目标从原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投产为目标的下一代半导体生产基地，今年三季度已开始建设 Ph1 洁净室。三星电子此前已将原定明年初完成的 P5 Ph1 洁净室建设提前约 6 个月，设备导入因此预计在明年三季度左右。业内人士称，设备搬入开始时间拟从明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前后；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付设备、由其他地点暂存，显示其提前投资意愿较强。P5 第二阶段（Ph2）投资讨论也在推进。目前 Ph1 更可能建设为 DRAM 与 HBM 产线，Ph2 则更可能建设为包括第十代（V10）在内的先进 NAND 产线。设备业人士称，正式采购订单尚未下达，但三星已与合作方讨论将 Ph2 建成 NAND 产线，并因设备交付周期较长，要求提前备妥相关零部件。报道称，全球大型科技公司增加 AI 基础设施用高性能 DRAM 与 NAND 订单，而三星等存储企业产能有限。三星在 7 月二季度业绩电话会上曾表示，今年未能满足的需求将延至明年，明年供应短缺将比今年更严重，并预计短缺将持续至 2028 年。

ChainCatcher 消息，SpaceX 宣布 “星舰” 第 14 次飞行计划于 9 月 28 日周一发射，75 分钟的发射窗口将于北京时间 9 月 28 日 20 时 15 分开启。

ChainCatcher 消息，芬兰总统曾请求埃隆·马斯克扩大星链（Starlink）在俄罗斯及被占领地区的覆盖范围，以帮助乌克兰打击俄罗斯的弹道导弹发射装置。

ChainCatcher 消息，据纽约时报报道，下周四谷歌将发射一颗实验性卫星进入轨道，该卫星具备足够计算能力，可在太空中回答简单的人工智能查询。

ChainCatcher 消息，9 月 24 日，话题词“豆包员工感慨豆包成边缘产品”登上微博热搜。此前有媒体报道豆包通用 Session 团队出现人员缩减，相关内容传播后，网上出现“豆包裁员”“对话团队砍掉一半”等说法，并有网传称内部员工感慨豆包正在被边缘化。针对上述说法，豆包公关负责人刘星发文回应称：有媒体报道豆包 Session 团队组织调整，部分自媒体将其解读为豆包裁员、豆包对话团队砍掉一半，相关信息不实，实际上只是分工的组织调整。据刘星介绍，豆包通用 Session 团队的一部分职能拆分到豆包交易、豆包工作团队，相关人员随之平移，不少员工仍从事对话体验相关工作，例如交易侧也在优化交易对话体验。该团队不到 50 人，分工调整涉及 11 人，其中 3 人离职。他强调，部分自媒体报道中的“2 亿人用的豆包裁员”“对话团队砍掉一半”等表述不实。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；