bm

Theo báo cáo của nhật báo kinh tế Hàn Quốc, sản phẩm bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo "12 lớp HBM4E" của Samsung Electronics đã vượt qua kiểm tra chất lượng của NVIDIA và các nhà điều hành trung tâm dữ liệu quy mô lớn chính.

Theo báo cáo của PRNewswire, Chủ tịch công ty Bitmine Tom Lee cho biết, khi thị trường tiền điện tử bước vào chu kỳ bò mà ông cho là, giá cổ phiếu Bitmine (BMNR) trong giai đoạn thị trường gấu từ năm 2025 đến 2026 đáng chú ý so với hiệu suất của Ethereum (ETH).Trong 9 tháng đầu năm 2026, giá ETH giảm 10%, trong khi BMNR chỉ giảm 3%, đạt được khoảng 731 điểm cơ bản (7,31 điểm phần trăm) vượt trội hơn. Hiệu suất giá cổ phiếu của BMNR phản ánh cam kết của công ty trong việc tối ưu hóa lợi nhuận cho cổ đông, bao gồm việc thực hiện kế hoạch mua lại cổ phiếu kho bạc lớn nhất trong ngành tiền điện tử, chỉ trong năm 2026 đã mua lại 21 triệu cổ phiếu.Ngoài ra, Tom Lee cũng chỉ ra rằng, từ quý 3 năm 2026 đến nay, ETH đã vượt trội hơn 6832 điểm cơ bản so với chỉ số S&P 500. Trong bối cảnh áp lực vĩ mô như lập trường của Cục Dự trữ Liên bang nghiêng về phía diều hâu, giá dầu tăng, lợi suất trái phiếu toàn cầu tăng và môi trường tài chính thắt chặt, ETH vẫn thể hiện hiệu suất mạnh mẽ, dẫn đầu các tài sản vĩ mô chính khác.

Theo dữ liệu từ Gate, cổ phiếu phần mềm Mỹ tăng cao, IBM tăng 5%, ServiceNow tăng 4.8%, Salesforce tăng 3%.

Theo báo cáo của truyền thông vào ngày 29 tháng 9, Phó Chủ tịch điều hành của Samsung Electronics, Kim Taewoo cho biết: Dự kiến vào năm tới, HBM sẽ chiếm gần 30% tổng công suất wafer của các nhà sản xuất DRAM, hiện tại tỷ lệ này khoảng 20%. Ông cho biết, HBM và DRAM truyền thống đang cạnh tranh cho cùng một công suất wafer, việc mở rộng sản xuất HBM có thể sẽ gây áp lực lên nguồn cung DRAM truyền thống.TrendForce trước đó đã dự đoán, đến cuối năm 2027, ba nhà cung cấp HBM lớn nhất toàn cầu sẽ đầu tư vào wafer HBM khoảng 30% tổng đầu tư wafer DRAM, nhưng tính theo dung lượng lưu trữ chỉ có thể đóng góp khoảng 13% tổng nguồn cung DRAM. Ngoài ra, theo báo cáo của truyền thông vào ngày 20 tháng 9, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng bao gồm Nvidia; ngành công nghiệp dự đoán lượng wafer HBM trung bình hàng tháng của Samsung sẽ tăng từ khoảng 180.000 wafer năm nay lên khoảng 250.000 wafer vào năm tới.TrendForce cũng cho biết vào cùng ngày, nhu cầu máy chủ AI vẫn tiếp tục, HBM và DRAM thông dụng sẽ vẫn chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, nguồn cung lưu trữ vào năm 2027 sẽ duy trì tình trạng căng thẳng, và đã điều chỉnh dự báo giá HBM năm 2027, dự kiến giá bán trung bình hỗn hợp sẽ tăng 121% so với năm trước. Do nguồn cung hạn chế và chi phí hệ thống tăng, HBM 8 lớp dự kiến sẽ trở thành giải pháp ưu tiên được nhiều nhà sản xuất đánh giá vào năm 2027, với giá bán mỗi Gb sẽ cao hơn khoảng 10% đến 20% so với sản phẩm 12 lớp.

IBM thông báo rằng khách hàng của nền tảng quản lý tài sản kỹ thuật số IBM Digital Asset Haven hiện đã có thể kết nối với mạng blockchain có giấy phép, bao gồm sổ cái chia sẻ dựa trên blockchain của Swift. Một phiên bản thử nghiệm mới của bộ điều hợp thông điệp ISO 20022 cho phép các tổ chức tài chính khởi tạo giao dịch gửi tiền token hóa thông qua sổ cái này, sử dụng thông điệp thanh toán tiêu chuẩn. IBM cho biết, các tổ chức tài chính tham gia vào các chương trình liên quan đến Swift đã sử dụng Digital Asset Haven để thử nghiệm gửi tiền token hóa trên sổ cái này. Sổ cái hỗ trợ gửi tiền token hóa do ngân hàng phát hành, cho phép các khách hàng của IBM tham gia chuyển đổi tài sản kỹ thuật số 24/7, và việc thanh toán cuối cùng vẫn được thực hiện thông qua hệ thống hiện có.Swift lần đầu tiên công bố sổ cái này tại Sibos 2025, dựa trên nguyên mẫu được phát triển hợp tác với Consensys, với sự tham gia của hơn 40 tổ chức tài chính trong thiết kế, trong đó 17 tổ chức đang tham gia thí điểm gửi tiền token hóa. Hiện tại, Swift kết nối với hơn 12,500 tổ chức tài chính trên hơn 200 thị trường toàn cầu. Bộ điều hợp thông điệp nêu trên cho phép các ngân hàng tiếp tục sử dụng định dạng thông điệp thanh toán và quy trình hoạt động hiện có mà không cần áp dụng quy trình làm việc riêng biệt cho blockchain.IBM cũng mở rộng Digital Asset Haven đến phiên bản thử nghiệm triển khai tại chỗ, phiên bản này có thể được cài đặt trên IBM Z và IBM LinuxONE của khách hàng để quản lý các tài sản kỹ thuật số như stablecoin, gửi tiền token hóa mà không cần phụ thuộc vào cơ sở hạ tầng đám mây công cộng. IBM cho biết, nền tảng và lớp quản lý khóa hoàn toàn được giữ lại trong môi trường của khách hàng, với khóa được bảo vệ bởi mô-đun bảo mật phần cứng IBM Crypto Express.

Trong tập 166 của podcast BidClub, nhà thiết kế chip Bubble boi cho biết, bộ nhớ flash băng thông cao về mặt kỹ thuật có sức hấp dẫn, nhưng thiếu các trường hợp sử dụng trung tâm dữ liệu quyết định. Thông tin mà anh đưa ra là, khách hàng chính mà anh nghe nói là những khách hàng Trung Quốc khó có thể tiếp cận hoặc sản xuất HBM cao cấp.Bubble boi cho biết, HBF và độ trễ bộ nhớ flash AI cao cấp đều khoảng 5 micro giây, băng thông thấp hơn HBM, chi phí mỗi bit thấp hơn nhưng tổng chi phí có thể tương đương. Anh cho rằng khách hàng rõ ràng nhất là những người không thể tiếp cận HBM, điều này phù hợp với nhu cầu Trung Quốc mà anh nghe từ hai đến ba người, vì họ không thể sản xuất đầy đủ bộ tăng tốc, hoặc sẵn sàng chấp nhận sản phẩm không theo thông số kỹ thuật hàng đầu.

Theo báo cáo của Money Today vào ngày 21 tháng 9, Samsung Electronics đang thúc đẩy mở rộng năng lực sản xuất quy trình tiên tiến trong lĩnh vực gia công wafer do sự tăng trưởng của thị trường HBM, nhằm đáp ứng nhu cầu gia tăng đối với chip nền HBM4 đang được đánh giá để mở rộng quy trình 4 nanomet. HBM4 của Samsung bao gồm chip DRAM lõi thế hệ 6 (1c) ở mức 10 nanomet và chip nền logic 4 nanomet, chip nền chịu trách nhiệm trao đổi dữ liệu tốc độ cao với GPU và các bộ tăng tốc AI khác.Khác với SK Hynix sử dụng quy trình 12 nanomet của TSMC, Samsung sử dụng quy trình 4 nanomet tự sản xuất cho chip nền HBM4. Dây chuyền sản xuất này đã hoạt động hết công suất và nhận đơn hàng từ Nvidia Groq 3 LPU, công ty gần đây đã điều chỉnh tăng giá cho các đơn hàng mới 4 nanomet và chip nền HBM4. Samsung dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng hơn 3 lần so với quý trước, và tỷ lệ HBM4 trong doanh thu HBM nửa cuối năm sẽ cao hơn 60%. Việc mở rộng sản xuất P4 tại Pyeongtaek chủ yếu sẽ được sử dụng cho DRAM 1c cho HBM, hơn một nửa năng lực sản xuất 4 nanomet trong gia công wafer đã được phân bổ cho chip nền HBM4.HBM4E cũng sử dụng chip nền 4 nanomet, Samsung đã cung cấp mẫu cho khách hàng vào tháng 5. Công ty cũng đang đánh giá việc xây dựng dây chuyền sản xuất mới 2 nanomet cho HBM5, với mục tiêu sử dụng cấu trúc GAA quy trình 2 nanomet và tăng mật độ TSV, nhằm nâng cao tốc độ hoạt động hơn 50% so với HBM4E. Citigroup dự đoán nhu cầu HBM toàn cầu năm tới sẽ đạt 75,2 tỷ Gb, tăng 62% so với năm trước, cung cấp khoảng 59,4 tỷ Gb, thiếu hụt khoảng 21%.

Theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics dự kiến sẽ mở rộng sản lượng bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 và thế hệ thứ bảy HBM4E trong năm tới ít nhất gấp đôi so với năm nay. Công ty dự định tăng lượng kính nền cần thiết cho việc gia công DRAM HBM từ 20.000 tấm mỗi tháng năm nay lên 50.000 tấm mỗi tháng vào năm tới, tăng 2,5 lần so với năm nay. Nhu cầu hàng tháng cho kính nền này vào năm ngoái khoảng 10.000 tấm, năm nay đã gấp đôi so với năm ngoái.HBM4 và HBM4E mà Samsung Electronics tập trung mở rộng sản xuất chủ yếu là các sản phẩm có độ chồng chất cao từ 12 lớp trở lên. Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 sử dụng DRAM thế hệ thứ sáu 10nm (1c) và chip nền quy trình 4nm từ tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng như NVIDIA. Ngành công nghiệp dự đoán, tính theo lượng wafer trung bình hàng tháng, công suất HBM của Samsung Electronics sẽ tăng từ khoảng 180.000 tấm năm nay lên khoảng 250.000 tấm vào năm tới, tăng gần 40%; tỷ lệ xuất khẩu của dòng sản phẩm HBM4 có thể tăng từ khoảng 40% năm nay lên khoảng 80% vào năm tới.

KB Chứng khoán ngày 11 tháng 9 đã phát hành báo cáo chỉ ra rằng, thị phần HBM của Samsung Electronics dự kiến sẽ tăng từ 33% trong quý hai lên 40% trong quý bốn, chủ yếu nhờ vào doanh số HBM4 trong quý ba tăng hơn ba lần so với quý trước, và trong nửa cuối năm, HBM4 dự kiến sẽ chiếm hơn 60% tổng doanh thu HBM của họ.Samsung Electronics đã thiết lập sản xuất hàng loạt HBM4, cung cấp mẫu HBM4E cho các khách hàng chính, áp dụng kiến trúc HBM5 với chip lõi 1c và chip nền 2 nanomet, cũng như lộ trình cho thế hệ tiếp theo ZHBM. Về mảng gia công, tỷ lệ sản xuất 4 nanomet ổn định trên 80%, tỷ lệ sản xuất 2 nanomet GAA nhanh chóng tăng lên trên 70%. Nhà phân tích của KB Chứng khoán, Kim Dong-Won, cho biết, mảng gia công dự kiến sẽ có lãi từ quý ba, và tỷ lệ sản xuất 2 nanomet trong năm nay có thể giúp họ giành được đơn hàng từ các khách hàng lớn tại Mỹ.

Theo báo cáo độc quyền của Reuters vào ngày 10 tháng 9, các nhà sản xuất chip AI của Trung Quốc đã tăng giá mạnh do thiếu hụt bộ nhớ băng thông cao. Huawei đã điều chỉnh giá chỉ định của thẻ tăng tốc Ascend 950DT lên trên 250.000 nhân dân tệ, tăng 20% đến 50% so với mức giá hai tháng trước. Cambricon đã điều chỉnh giá chỉ định của chip 690 dự kiến tăng 20% đến 30%, Muxi và Tianxu Zhixin cũng có mức tăng giá tương tự.Báo cáo cho biết, nguyên nhân bao gồm các biện pháp kiểm soát xuất khẩu của Mỹ và nguồn cung bộ nhớ băng thông cao trên thị trường xám đã đẩy chi phí lên cao. Giá của các sản phẩm trước đây của Huawei như Ascend 950PR và 910C cũng đã tăng khoảng 30%. Mức tăng giá này đã làm tăng chi phí xây dựng sức mạnh tính toán AI của Trung Quốc. Huawei, Cambricon và các công ty khác chưa có bình luận.

Theo thông tin từ ngành, NVIDIA đang xem xét điều chỉnh giải pháp bộ nhớ băng thông cao cho bộ tăng tốc trí tuệ nhân tạo Rubin Ultra thế hệ tiếp theo từ 12 lớp xuống 8 lớp.Trong bối cảnh chi phí lưu trữ tăng cao, NVIDIA càng chú trọng đến chi phí băng thông đơn vị và tính kinh tế của toàn bộ hệ thống.

Theo báo cáo của nhật báo Triều Tiên, nhà sản xuất DRAM lớn nhất Trung Quốc là Changxin Storage (CXMT) đã khởi động sản xuất thử nghiệm bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ tư HBM3, với tỷ lệ sản phẩm đạt yêu cầu ban đầu dừng lại ở mức 25%, khoảng một phần ba so với tỷ lệ vàng trong sản xuất hàng loạt là 80%. SK Hynix đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm tương tự từ năm 2022, với tỷ lệ đạt yêu cầu vượt quá 90%.Tỷ lệ đạt yêu cầu của quy trình trước cho sản phẩm HBM3 8 lớp của Changxin Storage khoảng 30%, trong khi quy trình sau đạt khoảng 70% trở thành sản phẩm cuối cùng đạt yêu cầu. Công ty cung cấp một số mẫu cho các doanh nghiệp Trung Quốc như Alibaba, PingTouGe, và Cambricon, đồng thời tiếp tục cải thiện tỷ lệ đạt yêu cầu. Quy trình G4 (17nm) của DRAM thông thường không gặp vấn đề lớn, nhưng chip DRAM dùng cho HBM có diện tích lớn hơn và tiêu chuẩn điện tử nghiêm ngặt hơn.Ngành công nghiệp chỉ ra rằng nguyên nhân là do độ trưởng thành của công nghệ lỗ xuyên silicon TSV chưa đủ. Phân tích của Nomad Semi cho thấy, mỗi chip HBM2 của Samsung có hơn 5000 lỗ TSV, HBM3 của SK Hynix có hơn 8000 lỗ, trong khi Changxin Storage chỉ có khoảng 3000 lỗ. So với Samsung và SK Hynix, có khoảng cách từ 4 đến 5 năm.

Bộ phận gia công wafer của Samsung Electronics gần đây đã vượt qua 50% tỷ lệ sản xuất chip nền cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 trong quy trình 4 nanomet. Ngành công nghiệp cho biết, bộ phận này sẽ đưa hơn một nửa wafer 4 nanomet vào sản xuất chip nền HBM4 trong nửa cuối năm nay, nhằm mở rộng cung cấp cho NVIDIA, Broadcom, AMD và các công ty khác.Samsung đã khởi động sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay và dự kiến sẽ mở rộng lượng cung cấp từ quý ba, đồng thời tăng đáng kể lượng wafer liên quan từ giữa năm. Chip này dựa trên quy trình 4 nanomet (SF4) của Samsung. Tính đến tháng trước, hơn 50% tổng công suất 4 nanomet của họ đã được phân bổ cho chip nền HBM4. Các nguồn tin cho biết, Samsung hiện đang hoạt động hết công suất 4 nanomet, trong đó chip nền HBM4 chiếm khoảng 50% đến 60%, và tỷ lệ cao này sẽ được duy trì trong nửa cuối năm.Samsung đang sản xuất hàng loạt quy trình từ 4 đến 7 nanomet tại nhà máy Pyeongtaek 2 và 3, trong đó công suất 4 nanomet khoảng 30.000 wafer mỗi tháng, từ đó ước tính rằng lượng wafer liên quan đến chip nền HBM4 khoảng 15.000 wafer mỗi tháng. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả quý hai, Samsung cho biết dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng gấp ba lần so với quý trước, và doanh thu HBM4 trong nửa cuối năm sẽ vượt quá 60% doanh thu HBM tổng thể của công ty.

Nhà phân tích chứng khoán Kim Young-gun của Future Asset cho biết, sự mở rộng lượng hàng HBM của Samsung Electronics hướng tới ứng dụng AI dự kiến sẽ bù đắp cho tác động của việc tăng trưởng chip lưu trữ chung chậm lại vào năm tới. Dự kiến, lượng hàng HBM của Samsung Electronics vào năm 2027 và giá bán trung bình sẽ lần lượt tăng vọt 57% và 49%, có khả năng vượt qua mức tăng trưởng dự kiến 16% và 20% của chip lưu trữ chung.Future Asset dự đoán lợi nhuận của Samsung sẽ bị ảnh hưởng bởi sự mạnh lên của đồng won Hàn Quốc so với đô la Mỹ, nhưng tổng thể vẫn sẽ giữ vững. Cơ quan này đã điều chỉnh dự báo lợi nhuận hoạt động của Samsung năm 2026 giảm 5,7% xuống 370.057 triệu won Hàn Quốc, và giảm 4,2% xuống 535.682 triệu won Hàn Quốc vào năm 2027.

Chủ tịch công ty Bitmine Tom Lee đã đăng bài trên nền tảng X cho biết, tính đến cuối quý ba, trong số các cổ phiếu có mức tăng cao nhất trong chỉ số Russell 1000, khoảng 20% là cổ phiếu liên quan đến tiền điện tử. Trong đó, BMNR đã tăng 99% kể từ quý ba, xếp thứ 4; MSTR tăng 67%, xếp thứ 12; CRCL tăng 65%, xếp thứ 14; BLSH tăng 55%, xếp thứ 21.Tom Lee bổ sung rằng, chỉ còn một tháng nữa là kết thúc quý ba, những cổ phiếu tiền điện tử có hiệu suất mạnh mẽ này có thể trở thành mục tiêu mà các nhà đầu tư sẽ theo đuổi tiếp theo.

Theo tin tức điện tử ngày 3 tháng 9, Micron dự định sẽ mở rộng công suất bộ nhớ băng thông cao HBM gấp đôi so với năm ngoái, với tối đa 60.000 wafer mới mỗi tháng trước cuối năm nay. Những người có thông tin cho biết, sản lượng HBM của Micron khoảng 40.000 đến 50.000 wafer mỗi tháng vào năm ngoái, và dự kiến sẽ đạt khoảng 100.000 wafer mỗi tháng vào cuối năm, nhằm thu hẹp khoảng cách với Samsung Electronics và SK Hynix.Micron đang tăng cường đơn hàng mua sắm từ nhiều nhà cung cấp thiết bị HBM, với các cơ sở sản xuất chủ yếu tại các nhà máy wafer ở Đài Loan và Singapore, liên tục đưa vào thiết bị. Hiện tại, sản lượng chủ yếu là HBM3E 12 lớp, đầu năm nay HBM4 12 lớp chiếm khoảng 20% đến 30%, và có thể tăng lên tối đa 50% vào cuối năm. HBM4 12 lớp sẽ được sử dụng cho bộ tăng tốc AI mới nhất của NVIDIA, Vera Rubin, Micron đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm này từ quý 2 năm nay.CEO của Micron, Mehrotra, đã phát biểu trong cuộc họp kết quả quý 3 tài chính năm 2026 vào tháng 6 năm nay rằng, tốc độ sản xuất hàng loạt HBM4 12 lớp nhanh gấp đôi so với HBM3E 12 lớp, doanh thu từ HBM4 đã vượt quá 1 tỷ USD. Ngành công nghiệp cho rằng công suất HBM của Samsung và SK Hynix mỗi bên khoảng 150.000 đến 200.000 wafer mỗi tháng. Dữ liệu từ Counterpoint cho thấy, trong quý 2 năm nay, thị phần HBM toàn cầu là SK Hynix 50%, Samsung 32%, Micron 18%. Micron cũng đang chuẩn bị đầu tư liên quan tại Hiroshima, Nhật Bản.

Theo thông tin từ ngành vật liệu, vào ngày 2 tháng 9, TSMC dự kiến sẽ tiếp tục sử dụng công nghệ vi chóp truyền thống trong thời gian ngắn thay vì liên kết hỗn hợp, để kết nối bộ nhớ băng thông cao HBM với bộ tăng tốc AI trong các gói tiên tiến. Xét đến chu kỳ phát triển vật liệu liên quan, vi chóp với khoảng cách nhỏ hơn dự kiến sẽ được sử dụng cho đến giai đoạn cuối của HBM4 và giai đoạn đầu của HBM5. TSMC đã yêu cầu các đối tác vật liệu và thiết bị phát triển giải pháp liên kết và lấp đầy đáy cho chóp khoảng 5 micromet, các nhà cung cấp Hàn Quốc và Nhật Bản đã bắt đầu phát triển, sản xuất hàng loạt chóp 5μm dự kiến sẽ bắt đầu vào nửa cuối năm 2028.Hiện tại, chiều cao chóp của HBM thế hệ thứ ba, tức HBM3E, khoảng 15--25μm, HBM4 gần khoảng 10μm. Các nhà cung cấp vật liệu Nhật Bản trước đó đã cho biết khó đảm bảo chất lượng dưới 15μm. Việc rút ngắn và tinh chỉnh chóp là do giới hạn chiều cao của khối HBM và nhu cầu về mật độ kết nối cao hơn. JEDEC quy định chiều cao tối đa của chồng HBM là 775μm. Trong gói CoWoS tiên tiến của TSMC, các chồng HBM đã được lắp ráp bởi nhà cung cấp GPU và bộ nhớ được lắp đặt vào lớp trung gian silicon thông qua vi chóp, chồng 16 lớp DRAM được hoàn thành trong gói HBM bởi SK hynix và Samsung Electronics.Thế hệ đầu tiên và thứ hai của HBM sử dụng chóp hàn lớn hơn, vi chóp đã trở thành xu hướng chính khoảng thế hệ HBM3. SK hynix sử dụng quy trình MR-MUF, Samsung Electronics sử dụng TC-NCF. Liên kết hỗn hợp có thể đạt được kết nối mỏng hơn và dày hơn thông qua việc liên kết trực tiếp các pad đồng, TSMC đã sử dụng trên nền tảng SoIC cho chồng chip logic, nhưng HBM vẫn được kết nối với lớp trung gian bằng vi chóp.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo chí Hàn Quốc, Samsung Electronics đang phối hợp với Nvidia (NVDA.O) yêu cầu phát triển bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ bảy (HBM4E) với 8 lớp, giảm đáng kể chiều cao xếp chồng so với kế hoạch ban đầu là 12 lớp và 16 lớp. Thông số tốc độ mà Nvidia đề xuất là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E 14.4Gbps ban đầu của Samsung. Sản phẩm này được báo cáo sẽ được sử dụng cho NVHBM.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo phân tích của nhà phân tích Citrini Jukan, SK Hynix đang nỗ lực đa dạng hóa nhà cung cấp xưởng gia công cho các chip nền tảng được sử dụng trong bộ nhớ băng thông cao (HBM), những HBM này được xây dựng bằng cách xếp chồng nhiều chip nhớ theo chiều dọc. Được biết, công ty đang xem xét việc thuê ngoài sản xuất một phần chip nền tảng của HBM thế hệ thứ bảy, tức HBM4E, cho các nhà máy gia công của Intel. Đến nay, SK Hynix hoàn toàn phụ thuộc vào TSMC để thuê ngoài sản xuất chip nền tảng.Hành động này được coi là nỗ lực xây dựng chiến lược đa nhà cung cấp để giảm độ tập trung của chuỗi cung ứng vào TSMC, đồng thời tăng cường khả năng thương lượng về giá của SK Hynix. Theo thông tin từ các nguồn trong ngành vào ngày 31 tháng 8, SK Hynix đang thúc đẩy một kế hoạch, theo đó chip nền tảng của HBM4E có thể được sản xuất chung bởi TSMC và Intel, có thể bắt đầu từ thế hệ HBM4E.Do thị trường dự đoán rằng gánh nặng chi phí của chip nền tảng HBM4E sẽ tăng thêm. Vì sản phẩm HBM chủ yếu được bảo vệ bởi các hợp đồng cung cấp dài hạn (LTA), SK Hynix cũng khó có thể ngay lập tức chuyển giao chi phí gia công cao hơn cho khách hàng bằng cách tăng giá sản phẩm. Do đó, các nhà quan sát trong ngành cho rằng nếu Intel cuối cùng tham gia vào chuỗi cung ứng chip nền tảng của SK Hynix, công ty sẽ có nhiều lựa chọn hơn về khả năng cạnh tranh chi phí và tính ổn định của nguồn cung.