存儲器

ChainCatcher 消息，在 2026 世界製造業大會上，儲存晶片廠商長鑫科技宣布第五代技術平台正式量產。據介紹，長鑫科技將內存陣列有源區半間距做到 11.95 納米，儲存器電容深寬比 45:1，核心動能區高度降至 6762 納米。第五代工藝平台的儲存密度有大幅提升，同等條件下每張晶圓產出較上一代平台提升 50% 以上。基於該平台打造的 24GB LPDDR5X 產品已進入正式量產，並進入國產主流旗艦手機。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 9 日表示，下一代儲存器 3D DRAM 半導體開發可利用代工工藝。此前一日，該公司在利川園區 Supex 中心舉行的 2026 SK 海力士未來論壇上，副社長金慶勳、孫浩英提出 3D DRAM 主要技術方向，包括 DRAM 外圍電路採用邏輯代工工藝、最大化數據總線帶寬、超短距離傳輸等。3D DRAM 是將原先平面鋪設的儲存單元垂直堆疊以提高集成度的下一代 DRAM。兩人表示，實現該技術除設計與發熱問題外，還需一並解決微細互連、鍵合、工藝整合等封裝領域難題。隨著前道與後道封裝、代工與儲存器技術邊界趨近，超越既有領域的共同優化將更重要。孫浩英稱，3D 技術正在改變晶圓廠與封裝的技術邊界，需與先進封裝技術創新一起，建立超越既有領域的優化與新協作體系。同主題發表的高麗大學教授申昌煥表示，3D DRAM 不僅是晶片垂直堆疊，更是打破儲存器與邏輯邊界的技術；隨著器件微細化接近極限、系統與儲存器間數據移動帶來的時間與功耗增加，轉向 3D 技術不可避免，並提議以人工智慧聯動材料、器件、封裝、架構四領域的 3D 集成設計框架。SK 海力士社長郭魯正在致辭中稱，過去儲存器市場像比誰跑得更快的直線道路，現在則像時刻變化的彎道，除內部能力外，把握外部環境變化速度與方向並靈活適應也很重要。

ChainCatcher 消息，美光科技 CEO 宣布成立美光研究實驗室（Micron Research Labs），計畫投入 100 億美元，投資周期以數十年計。該實驗室將匯聚客戶、供應商、學術界、政府及更廣泛的半導體生態系統，致力於突破現有技術路線圖，探索未來可能性。美光方面表示，此舉體現了對早期創新的長期承諾。公司團隊已累計獲得超過 6.2 萬項專利。美光研究實驗室將加入美光在美國製造業超過 2500 億美元的投資佈局，預計創造逾 9 萬個美國就業崗位，涵蓋晶圓廠、工程師、技術員、學徒、供應商及社區等。美光強調，當前決策將決定誰能引領未來 AI 經濟，美國的 AI 未來將建立在美國製造的儲存器之上，而這些儲存器由美光生產。

ChainCatcher 消息，据工商時報報導，在 AI 帶動儲存器及先進封裝需求長期成長下，華邦電提前啟動高雄路竹廠擴產規劃，將原定二、三期整併為 Module B 同步開發，預計 2027 年動工興建無塵室，最快 2029 年初開始裝機，並依客戶需求預測及 LTA 分階段導入設備。目前已有客戶提前洽談 2029 年、2030 年產能。法人指出，華邦電第三季利基型 DRAM 與 SLC NAND 供不應求，價格季漲幅估約 50%；NOR Flash 受惠雲端服務供應商大客戶備貨，價格季漲幅估約 30%。第四季儲存器價格漲幅估收斂至 2% 至 5%，但受惠 DRAM 產能增加及出貨量成長，營收及獲利仍可維持季增。華邦電第二季合併營收 598.43 億元，季增 56.4%、年增 184.7%，DRAM 價格季增約 100%、Flash 上漲約 43%，合併毛利率升至 66.2%，每股稅後純益 5.40 元。Module B 產品規劃涵蓋 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽電容（Si-Cap），將支持 14 奈米及未來 12 奈米 DRAM 製程，後續亦規劃導入 EUV 設備。